Продукція > 2N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6284G | STM | NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6287) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6284G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6284G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6284G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6284G | onsemi | Darlington Transistors 20A 100V Bipolar Power NPN | на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6284G | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 160W Case: TO3 Mounting: THT Collector current: 20A Collector-emitter voltage: 100V Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington Current gain: 100...18000 | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6284G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6285 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6285 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: NO productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6285 | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 60V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6285 | SGS | PNP 20A 60V 160W 2N6285 T2N6285 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 108 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6285 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6285 | On Semiconductor | PNP, 60V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6285 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 60V 20A DIE Power - Max: 160 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Supplier Device Package: Die DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6286 | Microchip Technology | Darlington Transistors 80V 20A 175W PNP Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 175 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286 | onsemi | Darlington Transistors 20A 80V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286 | Microchip Technology | Trans Darlington PNP 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6286G Код товару: 182086
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6286G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 160 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286G | onsemi | Darlington Transistors 20A 80V Bipolar Power PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286G | On Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 20A 160W Through Hole TO-204 (TO-3) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6286G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | STMicroelectronics | Darlington Transistors PNP Darlington Sw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | ON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6287 | Microchip Technology | Trans Darlington PNP 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 160 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | STM | PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | onsemi | Darlington Transistors 20A 100V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 160W Case: TO3 Mounting: THT Collector current: 20A Pulsed collector current: 40A Collector-emitter voltage: 100V Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Current gain: 100...18000 | на замовлення 623 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6287 Код товару: 73585
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6287 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP DARL 100V 20A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 175 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | --- | PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 | Microchip Technology | Darlington Transistors 100V 20A 160W PNP Power BJT THT | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6287 | CDIL | PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors . . | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 PBFREE 2N6287 | Centralsemi | PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0A 160W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287 TIN/LEAD | Central Semiconductor | 2N6287 TIN/LEAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287G | STM | PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6284) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: - Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287G | On Semiconductor | PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6284) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287G | onsemi | Darlington Transistors 20A 100V Bipolar Power PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 20A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 160 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287G (ON) pnp, TO-204-2, транзистор Дарлінгтона 20A 100V Код товару: 129310
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6287G 2N6287 | NTE | PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287JANTXV | Microchip Technology | Trans Darlington PNP 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287WP | ON Semiconductor | 2N6287WP | на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6287WP | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 20A TO204 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6287WP | ON Semiconductor | 2N6287WP | на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6287WP 2N6284G | On Semiconductor | NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6287) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 LEDFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 LEDFREE | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 30Vceo 5.0V 7.0A 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 7A TO-220 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 6387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6288G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 7A TO-220 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6288G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N628A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N629 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6290 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 40W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 40W Case: TO220 Mounting: THT Collector current: 7A Pulsed collector current: 10A Collector-emitter voltage: 50V Kind of package: tube Frequency: 4MHz Current gain: 2.3...150 | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6290 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6290 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6290 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 50V 7A TO220-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6290 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 7.0A 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292 | ARK | NPN 7A 70V 40W (=BDP285) 2N6292 T2N6292 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 370 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292 | onsemi | Description: TRANS NPN 70V 7A TO-220 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292 | ARK | NPN 7A 70V 40W (=BDP285) 2N6292 T2N6292 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6292 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292 | ARK | NPN 7A 70V 40W (=BDP285) 2N6292 T2N6292 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 70Vceo 5.0V 7.0A 10A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6292. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292G | onsemi | Description: TRANS NPN 70V 7A TO-220 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W NPN | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292G | On Semiconductor | PNP Дарлингтон, Uкэ=80V, Iк=7A, TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 7A; 40W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: bipolar Case: TO220AB Type of transistor: NPN Kind of package: tube Collector current: 7A Power dissipation: 40W Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 4MHz | на замовлення 862 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6292G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6292G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6293 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 80V 7A TO220 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 10MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6294 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6294 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6294 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6294 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |

