Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5209RLRE | Motorola | 2N5209RLRE | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5209RLRE | Motorola | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5209RLRE | NXP | Description: NXP - 2N5209RLRE - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8012 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N520A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N521 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5210 | на замовлення 50450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N5210 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT N/50V/50MA/200-600 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210 - 2N5210, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13889 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2n5210 Код товару: 144830
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5210 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 12552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 5311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3-Pin TO-92 Ammo/T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 50mA; 0.35W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Current gain: 200...600 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz | на замовлення 4422 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 250mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA PBFREE | Central Semiconductor | NPN Silicon Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 3630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210BU - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210BU Код товару: 100007
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5210BU | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210BU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210NMBU | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210RLRA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.05A 310mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210RLRA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210RLRA - 2N5210RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210RLRA | MOTO | на замовлення 405 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5210TA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TA | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TA | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 38506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210TA - 2N5210TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 8307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 57333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 35333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 71333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13889 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TF | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TFR | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5210TFR - 2N5210TFR, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TFR | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | на замовлення 22450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5210_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210_J05Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5210_S00Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5211 | MOT | CAN | на замовлення 489 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N521A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N522 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5223 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 4pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5223 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 4pF | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5224 | ON Semiconductor | Description: NPN LO LEVEL SWITCH TRANS TO92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5225 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5225 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 100mA 20pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5226 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 8pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 500MA 310MW TH TRANSISTOR-SM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 300nA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5226 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5227 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 3.0Vebo 10mA 10pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5227 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 3.0Vebo 10mA 10pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5229 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5229A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N522A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N523 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5230 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5231 | MOTOROLA | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5231A | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5232A | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 30nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5232A APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5232A APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5232A LEAD FREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5232A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 3545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5232A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5232A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 30nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 | на замовлення 15024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5232A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 70Vcbo 50Vcbo 5.0Vebo 100mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5232A TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |