Продукція > G11
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G11MH7-P02LPH0-0060 | ODU | Circular Push Pull Connectors | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G11MH7-P02LPH0-0070 | ODU | Circular Push Pull Connectors Receptacle with break-away and push-pull locking for front panel mounting | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G11MH7-P02LPH0-0070 | ODU | Description: ODU MEDI-SNAP RECEPT.,STY1,SZ1,S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G11MJ7-P02LPH0-0080 | ODU | Circular Push Pull Connectors | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G11N120CND | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| G11S | GOFORD SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Technology: Trench | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G11S | Goford Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G11S | GOFORD Semiconductor | P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

