Продукція > NTB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTBV45N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | на замовлення 61003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| NTBV45N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTBV5605T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| NTBV5605T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 60V 18.5A 14MO | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| NTBV75N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |