Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC857A-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857A-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT-23/TRA/SOT/GPT-03TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857A-RTK/3E | KEC | SOT-23 00+ | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 9536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC857A-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857A-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -50V -100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 5315 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | на замовлення 1104 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC857AE6327HTSA1 - BC857 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AF | PHILIPS | 00+ SOT-323 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AFHW-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1110A-3/SWP T&R 5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AFHWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1110A-3/SWP T&R 5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AFSW-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AFSW-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 450 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AFSWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AFSWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 450 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AGS18 | Vishay | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AL | onsemi | onsemi SS SOT23 GP XSTR PNP 45V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AL3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006-3 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: DFN1006-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AL3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857ALT | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857ALT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857ALT1 - TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857ALT1 | onsemi | Description: TRANS PNP GP 45V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | On Semiconductor | SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=90, -55...+150 Транзистори | на замовлення 22500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 | на замовлення 878350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G Код товару: 107176
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857ALT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857AM,315 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 68750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AM,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857AM/SOT883/XQFN3 | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AM,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AM3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AM3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AM315 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC857AM - SMALL SIG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 47264064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2040000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857AMB,315 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 46613434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT883B 45V .1A PNP BJT | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 156706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857AMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | на замовлення 8702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AMTF | FAIRCHILD | SOT-23 | на замовлення 306000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 48706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQ | Yangjie Electronic Technology | PNP General Purpose Amplifier | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857AQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 145000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1215 45V .1A PNP GP TRANS | на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 147272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AQAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 145000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AQB-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A PNP BJT | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQBAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 340 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: DFN1110D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AQBAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC857AQBAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC857AQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

