Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| JANSD2N2907AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP RH Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP RH Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUBC/TR | Microchip Technology | Microchip Technology | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N2907AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3019 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3019 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3019S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3019S | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3057A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-46 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3057A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3439 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3439L | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3439L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3439U4 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3439U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3439UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3440 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3440L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3440L | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3498 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3498L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3499L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3500L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3501L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3501UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3501UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3501UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Qualification: MIL-PRF-19500/366 Power - Max: 500 mW Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3501UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3634 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3634L | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3634UB | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3634UB/TR | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3635UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3636 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3636L | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3636UB | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3637 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3637L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3637UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3637UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3700 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3700UB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3700UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3700UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3700UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810 | Microchip Technology | Description: DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810L | Microchip Technology | Description: DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810U | Microchip Technology | Microchip Technology Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL RH SMALL-SIGNAL Qualification: MIL-PRF-19500/336 Grade: Military Supplier Device Package: 6-SMD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N3810U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N4449 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N4449 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5002 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 10A TO59 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5004 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 10A TO59 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5151 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5151 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5151L | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5151L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Long-Lead RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5151U3 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5151U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5152 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5152L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5152U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER RH Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5153 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5153L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP RH Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5153U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER RH Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5154 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5154L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Long-Lead RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSD2N5154U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSE2N2222AUB | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT _ UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSE2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT _ UB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |