Продукція > FDM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMD86100 | onsemi / Fairchild | MOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56 | на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMD86100 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power 5x6 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8630 | onsemi | Stepper Motors PANdrive / Smart Stepper Motor, Magnetic Encoder, 24/48V, 7Nm, NEMA34/86mm, CAN, TMCL Firmware | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8680 | onsemi | Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 39W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power 5x6 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8680 | onsemi | Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Power - Max: 39W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-Power 5x6 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMD8680 | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V Dual N Chnl PowerTrench MOSFET | на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMD8680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8900 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 17A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2605pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 12-Power3.3x5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMD8900 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET | на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME0106NZT | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V | на замовлення 21625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1023PZT | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) | на замовлення 358483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1023PZT | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1023PZT | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1023PZT | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 600mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 355000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1023PZT | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME1023PZT | onsemi / Fairchild | MOSFETs 20V Dual P-Channel PowerTrench | на замовлення 57999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1024NZT | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1024NZT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDME1024NZT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1024NZT | onsemi / Fairchild | MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench | на замовлення 39998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1024NZT | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: PowerTrench® Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Gate charge: 4.2nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±8V Case: MicroFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME1024NZT | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME1034CZT | onsemi / Fairchild | MOSFETs 20V Complementary PowerTrench | на замовлення 548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1034CZT | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) | на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME1034CZT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/2.6A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME1034CZT | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME1034CZT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/2.6A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME410NZT | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME410NZT | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-Channel PowerTrench | на замовлення 6863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME430NT | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME430NT | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V | на замовлення 21155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME510PZT | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin MicroFET T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME510PZT | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 10 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME510PZT | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin MicroFET T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME510PZT | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 39867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME510PZT | onsemi / Fairchild | MOSFETs -20V P-Channel PowerTrench | на замовлення 13749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME820NZT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V | на замовлення 11537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME820NZT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDME820NZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.014 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME820NZT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME820NZT | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME820NZT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDME820NZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.014 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME820NZT-P | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME8RG | Panduit | Enclosures, Boxes & Cases 8-port DIN rail fiber optic enclosur | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME8RG | Panduit Corp | Description: INDUSTRIALNET 8-PORT DIN RAIL F Packaging: Bulk For Use With/Related Products: LC and SC Connectors Material: Thermoplastic Accessory Type: Enclosure Specifications: DIN Rail | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME8RG | PANDUIT | Description: PANDUIT - FDME8RG - LWL-GEHÄUSE, DIN-SCHIENE, 8 PORTS tariffCode: 85367000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME905PT | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 6 V | на замовлення 13924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME905PT | onsemi / Fairchild | MOSFETs -12V P-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME905PT | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 6 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDME910PZT | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-CHAN -20V -8A 2.1W | на замовлення 4551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME910PZT | ON Semiconductor | Description: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDME910PZT | ON Semiconductor | Description: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF2011 | onsemi | Description: MCM FAN7842 DRIVER AND MV5 100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF2011 | ON Semiconductor | Driver 0.65A 2-OUT High and Low Side 36-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF2011 | onsemi | Description: MCM FAN7842 DRIVER AND MV5 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF2011 | onsemi / Fairchild | Common Mode Chokes / Filters 200uH 10MHz +50/-30 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF301155 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 31PQFN Load Type: Inductive Supplier Device Package: 31-PQFN (5x5) Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 2A Current - Output / Channel: 50A Applications: DC-DC Converters Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 31-PowerWFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF301155 | ON Semiconductor / Fairchild | Gate Drivers Smart Power Stage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF301155 | ON Semiconductor | integrated MOSFET plus driver power stage solution | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3030 | onsemi / Fairchild | Gate Drivers X Small High Perform High Freq DrMOS Mod | на замовлення 5338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3030 | ON Semiconductor | Driver 50A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 40-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3030 | ONN | на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMF3030 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN Part Status: Last Time Buy Load Type: Inductive Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO Supplier Device Package: 40-PQFN (6x6) Voltage - Load: 3V ~ 24V Technology: DrMOS Current - Output / Channel: 50A Applications: Synchronous Buck Converters Rds On (Typ): 900mOhm LS, 800mOhm HS Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 40-PowerTFQFN Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3030 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN Part Status: Last Time Buy Load Type: Inductive Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO Supplier Device Package: 40-PQFN (6x6) Voltage - Load: 3V ~ 24V Technology: DrMOS Current - Output / Channel: 50A Applications: Synchronous Buck Converters Rds On (Typ): 900mOhm LS, 800mOhm HS Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 40-PowerTFQFN Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3032 | Fairchild Semiconductor | Description: SWITCHING REGULATOR, SMART POWER Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3033 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side 31-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3033 | ON Semiconductor | Description: IC HALF-BRIDGE DRVR PWM 31PQFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3033 | ON Semiconductor / Fairchild | Gate Drivers 6A Smart Power Stage (SPS) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3033 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side 31-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3033 | ON Semiconductor | Description: IC HALF-BRIDGE DRVR PWM 31PQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3035 | onsemi / Fairchild | Gate Drivers Smart Power Stage (SPS) Module | на замовлення 9918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3035 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 31-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 29690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3035 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 31PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation Package / Case: 31-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Rds On (Typ): 1Ohm LS, 1Ohm HS Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 50A Current - Peak Output: 50A Technology: UMOS Voltage - Load: 4.5V ~ 24V Supplier Device Package: 31-PQFN (5x5) Fault Protection: Shoot-Through, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3035 Код товару: 167093
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMF3035 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 31-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 29688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3035 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 31PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation Package / Case: 31-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Rds On (Typ): 1Ohm LS, 1Ohm HS Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 50A Current - Peak Output: 50A Technology: UMOS Voltage - Load: 4.5V ~ 24V Supplier Device Package: 31-PQFN (5x5) Fault Protection: Shoot-Through, UVLO Load Type: Inductive Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3035-F135 | onsemi | Description: SMART POWER STAGE (SPS) MODULE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3037 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 31-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3037 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 31-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3037 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 31PQFN Technology: UMOS Current - Output / Channel: 35A Applications: Synchronous Buck Converters Rds On (Typ): 1Ohm LS, 1Ohm HS Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Part Status: Active Load Type: Inductive Fault Protection: Shoot-Through, UVLO Supplier Device Package: 31-PQFN (5x5) Voltage - Load: 4.5V ~ 24V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 31-PowerWFQFN Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3037 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 31-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3037 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 31-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3037 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 31PQFN Part Status: Active Load Type: Inductive Fault Protection: Shoot-Through, UVLO Supplier Device Package: 31-PQFN (5x5) Voltage - Load: 4.5V ~ 24V Technology: UMOS Current - Output / Channel: 35A Applications: Synchronous Buck Converters Rds On (Typ): 1Ohm LS, 1Ohm HS Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Output Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Interface: PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 31-PowerWFQFN Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3037 | ON Semiconductor | Driver 4A 1-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 31-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3037 | onsemi / Fairchild | Gate Drivers Smart Power Stage (SPS) Module | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3039 | ON Semiconductor | Smart Power Stage Module T/R | на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3039 | ON Semiconductor | Smart Power Stage Module T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3039 | onsemi / Fairchild | Gate Drivers Ultra-Compact SPS Module | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3039 | Fairchild Semiconductor | Description: SWITCHING REGULATOR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3160 | ON Semiconductor | Switching Voltage Regulators 55A LOW VOLTAGE PW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3160 | ON Semiconductor | FF - CLOUD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3170 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A 39QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 39-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic, PWM Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge (2) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: General Purpose Current - Output / Channel: 55A Current - Peak Output: 70A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 39-PQFN (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, UVLO Load Type: Inductive | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3170 | ON Semiconductor | на замовлення 4740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMF3170 | ON Semiconductor | Driver 6A 1-OUT High Side/Low Side 39-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3170 | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 55A 39QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 39-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic, PWM Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge (2) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: General Purpose Current - Output / Channel: 55A Current - Peak Output: 70A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 4.5V ~ 16V Supplier Device Package: 39-PQFN (5x6) Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, UVLO Load Type: Inductive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3170 | onsemi / Fairchild | Gate Drivers Low Voltage Smart Power Stage 3 | на замовлення 25039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3170 | ON Semiconductor | Driver 6A 1-OUT High Side/Low Side 39-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMF3170 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMF3170 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 558857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMF3172 | onsemi / Fairchild | Gate Drivers Low Voltage Smart Power Stage 3 | на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

