Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT39XV-400-2R2B005JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.187mH DCR=0.78mOhms40A AEC-Q200
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-400-S2R2B003JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.067mH 3Phase DCR=0.4mOhms40A AEC-Q200
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-400-S2R2B003JHKEMETDescription: KEMET - SCT39XV-400-S2R2B003JH - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 67µH, 40A, 1KV AC/DC, Produktreihe SCT
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 67µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 400µohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 40A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT-XV Three Phase Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.04 грн
12+933.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-400-Y2R0B003JHKEMETDescription: KEMET - SCT39XV-400-Y2R0B003JH - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 67µH, 40A, 1KV AC/DC, Produktreihe SCT
tariffCode: 85045000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivität: 67µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 40A
isCanonical: Y
DC-Widerstand, max.: 530µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1652.51 грн
12+1381.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-400-Y2R0B003JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.067mH DCR=0.53mOhms40A AEC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-420-2R4B004JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.119mH DCR=0.53mOhms42A AEC
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-420-2R4B004JHKEMETDescription: KEMET - SCT39XV-420-2R4B004JH - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 119µH, 42A, 1KV AC/DC, Produktreihe SCT
tariffCode: 85045000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivität: 119µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1336.32 грн
12+1096.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-420-2R4B004JHKEMETDescription: CMC 119UH 42A 2LN TH AEC-Q200
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1287.02 грн
12+1003.86 грн
36+914.69 грн
60+822.12 грн
108+782.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-440-Z2R0B005JHKEMETDescription: KEMET - SCT39XV-440-Z2R0B005JH - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 187µH, 44A, 1KV AC/DC, Produktreihe SCT
tariffCode: 85045000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivität: 187µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1404.60 грн
12+1174.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-440-Z2R0B005JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.187mH DCR=0.95mOhms44A AEC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-500-Z2R4B004JHKEMETDescription: CMC 119UH 50A 4LN TH
Packaging: Tray
Package / Case: Horizontal, 8 PC Pin
Filter Type: Power Line
Size / Dimension: 2.087" Dia (53.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 4
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 1.299" (33.00mm)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Current Rating (Max): 50A
DC Resistance (DCR) (Max): 0.51mOhm (Typ)
Inductance @ Frequency: 119 µH @ 100 kHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1577.04 грн
12+1229.67 грн
36+1120.44 грн
60+1007.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-500-Z2R4B004JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.119mH DCR=0.51mOhms50A AEC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT39XV-500-Z2R4B004JHKEMETDescription: KEMET - SCT39XV-500-Z2R4B004JH - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 119µH, 50A, 1KV AC/DC, Produktreihe SCT
tariffCode: 85045000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivität: 119µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 50A
isCanonical: Y
DC-Widerstand, max.: 510µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1404.60 грн
12+1174.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4/0-1/0Panduit CorpDescription: COPPER T SPLICE LONG BARREL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4/0-4/0Panduit CorpDescription: COPPER T SPLICE LONG BARREL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT401TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 3.3V 5V 12V 40W
Power (Watts): 40W (55W Forced Air)
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.00" H (127.0mm x 76.2mm x 25.4mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE
Efficiency: 70%
Voltage - Output 1: 3.3V
Voltage - Output 2: 5V
Voltage - Output 3: 12V
Number of Outputs: 3
Voltage - Isolation: 4.3 kV
Current - Output 1: 4 A
Current - Output 2: 2 A
Current - Output 3: 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4013DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1961.39 грн
5+1705.35 грн
10+1449.30 грн
50+1318.61 грн
100+1192.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2114.73 грн
30+1325.30 грн
120+1195.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4013DEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.0169 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1830.53 грн
5+1663.89 грн
10+1497.26 грн
50+1310.31 грн
100+1134.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1681.28 грн
30+1032.39 грн
120+904.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 105A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 120A SIC
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4013DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 0.0169 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1820.77 грн
50+1628.07 грн
100+1444.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 120A, 9-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2334.20 грн
10+1657.13 грн
100+1655.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4013DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 0.0169 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 405W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0169ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2381.64 грн
5+2101.20 грн
10+1820.77 грн
50+1628.07 грн
100+1444.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 120A, 9-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+3571.52 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2997.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2369.04 грн
8+1991.88 грн
10+1885.80 грн
50+1591.14 грн
100+1420.66 грн
450+1293.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2702.71 грн
5+2452.35 грн
10+2201.18 грн
50+1985.84 грн
100+1779.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 750V 13m 4th Gen TO-247-4L
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4013DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.0169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1830.53 грн
5+1663.89 грн
10+1497.26 грн
50+1310.31 грн
100+1134.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 105A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1681.28 грн
30+1032.39 грн
120+904.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DTWRohm SemiconductorDescription: SIC FET TOP SIDE COOLING
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 98A N-CH SIC
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1963.02 грн
5+1864.67 грн
10+1535.46 грн
50+1413.71 грн
100+1293.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2131.98 грн
10+1505.12 грн
100+1474.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1535.46 грн
50+1413.71 грн
100+1293.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1251.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2161.76 грн
30+1355.64 грн
120+1225.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2097.58 грн
10+2083.71 грн
25+1995.04 грн
50+1834.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2172.73 грн
5+1910.19 грн
10+1646.82 грн
50+1498.25 грн
100+1355.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1739.95 грн
30+1709.96 грн
120+1663.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2357.22 грн
30+1689.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4018KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2246.70 грн
5+2032.92 грн
10+1818.33 грн
50+1654.49 грн
100+1496.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4018KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1663.08 грн
50+1447.68 грн
100+1247.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4018KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2079.26 грн
5+1871.17 грн
10+1663.08 грн
50+1447.68 грн
100+1247.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KW7TLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1968.16 грн
10+1644.15 грн
100+1359.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1873.32 грн
10+1312.42 грн
100+1252.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KWATLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1063.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4020DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 80A SIC
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4020DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4020DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 750 V, 0.026 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1240.40 грн
50+1099.72 грн
100+967.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4020DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 80A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 500 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.06 грн
10+1210.07 грн
25+1135.62 грн
100+988.88 грн
250+952.25 грн
500+930.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4020DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4020DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 750 V, 0.026 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1647.64 грн
5+1444.43 грн
10+1240.40 грн
50+1099.72 грн
100+967.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4020DLLTRDCRohm SemiconductorDescription: 750V, 80A, 9-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEC11ROHMDescription: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.03 грн
5+1241.21 грн
10+1087.59 грн
50+929.14 грн
100+811.68 грн
250+795.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.57 грн
30+836.88 грн
120+727.86 грн
510+656.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT4026DEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.89 грн
5+1112.78 грн
10+1003.86 грн
50+869.51 грн
100+744.10 грн
250+729.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1377.16 грн
30+1089.93 грн
120+954.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4026DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 750 V, 0.034 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.29 грн
5+1109.53 грн
10+946.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DLLTRDCROHMDescription: ROHM - SCT4026DLLTRDC - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 750 V, 0.034 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+946.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DLLTRDCROHM SemiconductorSiC MOSFETs TOLL 750V 61A SIC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1397.54 грн
10+962.20 грн
450+705.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4026DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1721.26 грн
10+1198.75 грн
100+974.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT4026DRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.44 грн
5+1458.24 грн
10+1445.24 грн
50+1314.83 грн
100+1189.31 грн
250+1164.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.96 грн
5+918.51 грн
10+763.26 грн
50+694.40 грн
100+627.75 грн
250+615.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+763.26 грн
50+694.40 грн
100+627.75 грн
250+615.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1430.46 грн
10+986.05 грн
100+888.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1212.56 грн
10+827.92 грн
100+719.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1012.80 грн
5+892.50 грн
10+771.39 грн
50+666.47 грн
100+569.22 грн
250+558.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TLROHMDescription: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+771.39 грн
50+666.47 грн
100+569.22 грн
250+558.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.99 грн
10+754.41 грн
100+636.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+701.49 грн
50+613.64 грн
100+530.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.27 грн
5+815.28 грн
10+701.49 грн
50+613.64 грн
100+530.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.69 грн
5+880.31 грн
10+729.93 грн
50+631.00 грн
100+538.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.75 грн
10+793.58 грн
100+683.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLROHMDescription: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+729.93 грн
50+631.00 грн
100+538.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATLRohm SemiconductorDescription: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT403DMC ToolsHand Tools SAFE-T-CABLE TOOL .040" WITH 3" NOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036DEC11Rohm SemiconductorDescription: 750V, 42A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1794 pF @ 500 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.12 грн
30+556.96 грн
120+477.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]