Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT60R022S7XTMA1InfineonТранзистор: N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.91 грн
10+697.76 грн
100+526.48 грн
500+456.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+786.87 грн
5+667.67 грн
10+548.48 грн
50+465.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+426.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R024CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.46 грн
10+466.01 грн
100+336.89 грн
500+300.30 грн
1000+267.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R024CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+633.04 грн
50+530.99 грн
100+436.99 грн
250+430.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R024CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.19 грн
5+763.52 грн
10+633.04 грн
50+530.99 грн
100+436.99 грн
250+430.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+992.25 грн
50+730.50 грн
100+658.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1614.17 грн
12+1284.35 грн
100+1062.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1011.58 грн
50+732.91 грн
100+635.46 грн
500+584.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R035CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 351W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 67A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 351W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.59 грн
10+639.58 грн
100+480.12 грн
500+409.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
10+326.59 грн
100+248.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+666.06 грн
10+449.34 грн
100+291.32 грн
500+289.25 грн
1000+269.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+414.78 грн
100+335.05 грн
500+276.71 грн
1000+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+211.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.71 грн
10+414.78 грн
100+335.05 грн
500+276.71 грн
1000+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
10+316.05 грн
100+238.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.82 грн
10+328.67 грн
100+214.01 грн
1000+193.30 грн
2000+181.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.42 грн
10+384.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET, SJS7 Power Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.78 грн
10+344.17 грн
100+264.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+624.04 грн
29+501.37 грн
100+375.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+472.77 грн
50+386.65 грн
100+308.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+224.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+688.62 грн
10+466.01 грн
100+303.06 грн
1000+292.70 грн
2000+283.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.62 грн
5+580.69 грн
10+472.77 грн
50+386.65 грн
100+308.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.44 грн
5+518.68 грн
10+434.11 грн
50+341.78 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.21 грн
10+520.79 грн
100+377.62 грн
500+336.20 грн
1000+314.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.14 грн
10+435.93 грн
100+327.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+434.11 грн
50+341.78 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+277.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 236W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+244.84 грн
500+197.44 грн
1000+173.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+577.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.43 грн
10+305.65 грн
100+209.86 грн
500+198.82 грн
1000+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.31 грн
10+304.46 грн
100+226.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.18 грн
10+310.08 грн
100+244.84 грн
500+197.44 грн
1000+173.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.08 грн
10+288.33 грн
100+206.99 грн
500+176.50 грн
1000+151.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R055CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.99 грн
500+176.50 грн
1000+151.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+398.32 грн
45+317.24 грн
46+314.02 грн
100+242.30 грн
250+222.08 грн
500+204.44 грн
1000+197.72 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.32 грн
10+317.24 грн
25+314.02 грн
100+242.30 грн
250+222.08 грн
500+204.44 грн
1000+197.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.04 грн
10+331.05 грн
100+211.93 грн
500+188.46 грн
1000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.35 грн
105+136.27 грн
106+134.10 грн
108+127.30 грн
250+116.02 грн
500+109.59 грн
1000+107.73 грн
3000+105.95 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.04 грн
10+238.17 грн
100+158.09 грн
500+145.66 грн
1000+132.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.08 грн
6+138.35 грн
10+136.27 грн
25+129.31 грн
100+117.87 грн
250+111.38 грн
500+109.59 грн
1000+107.73 грн
3000+105.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1
Код товару: 213119
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
1000+205.54 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.50 грн
10+289.14 грн
100+214.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R070CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.48 грн
10+242.93 грн
100+150.49 грн
500+133.93 грн
2000+124.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R070CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R070CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.48 грн
10+246.45 грн
100+175.58 грн
500+145.09 грн
1000+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.04 грн
10+287.33 грн
100+207.44 грн
500+163.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.49 грн
10+325.50 грн
100+205.72 грн
500+193.30 грн
1000+180.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.79 грн
500+191.45 грн
1000+164.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.05 грн
10+323.15 грн
100+234.93 грн
500+189.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.43 грн
10+324.58 грн
100+236.79 грн
500+191.45 грн
1000+164.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+215.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.90 грн
10+319.94 грн
100+222.29 грн
500+198.82 грн
1000+180.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.074 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+311.69 грн
100+251.28 грн
500+219.87 грн
1000+178.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.04 грн
10+238.17 грн
100+167.75 грн
500+140.14 грн
1000+129.78 грн
2000+121.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.84 грн
10+216.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.074 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.91 грн
10+311.69 грн
100+251.28 грн
500+219.87 грн
1000+178.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.97 грн
10+188.95 грн
100+118.74 грн
500+100.10 грн
1000+99.41 грн
2000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R099CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R099CM8XTMA1
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.32 грн
10+229.43 грн
100+153.95 грн
500+143.59 грн
1000+134.62 грн
2000+126.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.78 грн
10+238.87 грн
100+170.74 грн
500+143.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]