Продукція > Mps
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MPS6534 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6534 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6534 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6534 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6534_D26Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6534_D75Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6534_D75Z | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6534_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6535 | на замовлення 1663 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6535 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6535 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6535 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6535 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 100mA 7.0pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 | onsemi | Description: TRANS NPN SS GP 25V TO92 Packaging: Bulk | на замовлення 6862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MPS6560 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPS6560 - TRANS NPN 25V 0.5A TO92 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1862 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 | на замовлення 2640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6560 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | на замовлення 3958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 PBFREE | Central Semiconductor | Complementary Silicon Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6560G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6561 | onsemi | Description: NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6561 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6561 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6561 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr | на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6561 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20Vcbo 20Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6561 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6561 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 | на замовлення 12375 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6562 | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3 Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562_D26Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562_D74Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6562_D75Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6563 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6563 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6563 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6563 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6563 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20Vcbo 20Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6563 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6563 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6564 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 4.0pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6564 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 4.0pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6566 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 3.5pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6566 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 3.5pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6566 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 4.0Vebo 10mA 3.5pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6566 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6566 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 3.5pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6566 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPS6601 - TRANS NPN 25V 1A TO92 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 43850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MPS6601 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 48850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MPS6601 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601 | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6601(Z) | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601G | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601G | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6601G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 25804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MPS6601G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPS6601G - MPS6601G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MPS6601RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601RLRA | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601RLRA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601RLRAG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6601RLRM | на замовлення 18500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6602 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 30V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6602 | на замовлення 255 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6602 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 1A TO92 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6602 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 1000mA 50pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6602 PBFREE | Central Semiconductor | Complementary high current amplifier transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6602 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 1000mA 50pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6602G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6602RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6602RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS660Y | FORGEFIX | Description: FORGEFIX - MPS660Y - Schrauben, Senkkopfschrauben, M6 x 60mm, Pozidriv, ZYP, Mehrzweck, 100er-Pack tariffCode: 73181210 Gewindemaß - Imperial: - Schraubenlänge: 60mm productTraceability: No rohsCompliant: NA Befestigungsüberzug: Gelb verzinkt Gewindemaß - Metrisch: 6mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA Schraubenkopf: Senkkopf, flach, Pozidriv Befestigungsmaterial: Stahl usEccn: EAR99 Produktpalette: Forgefix - Countersunk Pozidriv ZYP Screws SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MPS6651 | на замовлення 46500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MPS6651 | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MPS6651 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 25V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |