Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCTD107K6.3NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 100UF 10% 6.3V 2917
Tolerance: ±10%
Features: General Purpose
Packaging: Bag
Package / Case: 2917 (7343 Metric)
Size / Dimension: 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Molded
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Manufacturer Size Code: D
Height - Seated (Max): 0.122" (3.10mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 µF
Voltage - Rated: 6.3 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+109.73 грн
10+100.39 грн
20+95.10 грн
50+84.29 грн
100+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTD156K20NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 15UF 20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTD157K6.3NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 150UF 6.3V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTD225K50NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 2.2UF 10% 50V 2917
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTD226K25NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 22UF 10% 25V 2917
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTD336K16NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 33UF 10% 16V 2917
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTD476K16NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 47UF 16V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTD686K6.3NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 68UF 6.3V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE207C-230DMC ToolsCrimpers / Crimping Tools BATT SAFE-T-CABLE TOOL .022" 7"NOSE-230V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE323B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE323C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIES AND CHARGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE325B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE325C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIES AND CHARGER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE327B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE327C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIES AND CHARGER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE329B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE329C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIS AND CHARGER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE409BDMC ToolsCable Mounting & Accessories BATTERY POWERED .040" SAFE-T-CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE409B-230DMC ToolsCable Mounting & Accessories BATTERY POWERED .040" SAFE-T-CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTE625CDMC ToolsOther Tools .062 BAT PWR SAFETY CABLE TOOL, 5" NOSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401058.45 грн
5+389487.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTEST2Pomona ElectronicsDescription: COMBO TESTER, WRIST STRAP/FOOTWE
Packaging: Box
Type: Footwear, Wrist Strap Tester
Power Supply Type: 9V Battery or AC Adapter
Usage: Verification of Footwear and Wrist Strap Grounding
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37598.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTEST2Pomona ElectronicsAntistatic Control Products Combo Wrist Strap and Footwear Tester w/ Foot Plate
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+43130.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTEST2POMONADescription: POMONA - SCTEST2 - COMBO TESTER, W/FOOTPLATE
tariffCode: 0
Produkttyp: Wrist Strap and Footwear Tester with Foot Plate
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: Unknown
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47523.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTEST3PomonaSCTEST3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26057.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTEST3Pomona ElectronicsDescription: MULTI-MOUNT CONTINUOUS MONITOR (
Usage: Calibrating Continuous Workstation Monitors
Power Supply Type: 100 ~ 240VAC
Type: Equipment Monitor
Packaging: Box
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16166.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTEST3Pomona ElectronicsAntistatic Control Products Multi-Mount Continuous Monitor (North America Plug)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18454.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTF10-11DMC ToolsCable Mounting & Accessories FLANGED FERRULE END FITTING .040 CABLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTFF5004L2R7YA000KEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 5F Max Temp 85 C 30% Radial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTFF5004L2R7YA000KEMETDescription: SUPERCAPACITOR 5F 2.7VDC 85C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTFF5004L2R7YC000KEMETDescription: SUPERCAPACITOR 5F 2.7VDC 85C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTFF5004L2R7YC000KEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 5F Max Temp 85 C 30% Radial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N120G2-AGSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1959.54 грн
10+1381.41 грн
100+1317.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2023.98 грн
10+1459.85 грн
100+1260.37 грн
500+1258.98 грн
1000+1125.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH107K16NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 100UF 10% 16V 2917
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Voltage - Rated: 16 V
Capacitance: 100 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.169" (4.30mm)
Manufacturer Size Code: H
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Type: Molded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Package / Case: 2917 (7343 Metric)
Features: General Purpose
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.20 грн
10+301.16 грн
20+285.31 грн
50+252.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH157K10NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 150 10V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-100Signal TransformerDescription: FIXED IND 10UH 380MA 900 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-150Signal TransformerDescription: FIXED IND 15UH 300MA 1.52 OHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-1R0Signal TransformerDescription: FIXED IND 1UH 1.14A 105 MOHM SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-1R5Signal TransformerDescription: FIXED IND 1.5UH 950MA 145 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-220Signal TransformerDescription: FIXED IND 22UH 240MA 1.7 OHM SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-2R2Signal TransformerDescription: FIXED IND 2.2UH 800MA 205 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-2R7Signal TransformerDescription: FIXED IND 2.7UH 720MA 245MOHM SM
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 245mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 720mA
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Inductance: 2.7 µH
Current Rating (Amps): 720 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-3R3Signal TransformerDescription: FIXED IND 3.3UH 680MA 265 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-4R7Signal TransformerDescription: FIXED IND 4.7UH 590MA 350 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-6R8Signal TransformerDescription: FIXED IND 6.8UH 480MA 515 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH2010-R56Signal TransformerDescription: FIXED IND 560NH 1.52A 70 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH226K35NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 22UF 10% 35V 2917
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+434.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+738.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 208W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.95 грн
5+857.55 грн
10+792.52 грн
50+658.93 грн
100+577.58 грн
250+546.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.17 грн
10+626.47 грн
100+512.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+738.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+792.52 грн
50+658.93 грн
100+577.58 грн
250+546.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+916.08 грн
10+632.17 грн
100+484.22 грн
1000+408.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+779.52 грн
5+745.38 грн
10+711.24 грн
50+628.74 грн
100+551.11 грн
250+521.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+711.24 грн
50+628.74 грн
100+551.11 грн
250+521.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.28 грн
10+597.34 грн
100+452.04 грн
500+401.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.23 грн
5+890.88 грн
10+792.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1158.30 грн
10+822.87 грн
100+657.01 грн
500+654.92 грн
1000+553.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 238W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+792.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1504.11 грн
2000+1489.31 грн
3000+1474.60 грн
5000+1407.66 грн
10000+1290.26 грн
20000+1225.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1504.11 грн
2000+1489.31 грн
3000+1474.60 грн
5000+1407.66 грн
10000+1290.26 грн
20000+1225.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH476K20NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 47UF 10% 20V 2917
Tolerance: ±10%
Features: General Purpose
Packaging: Bag
Package / Case: 2917 (7343 Metric)
Size / Dimension: 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Molded
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Manufacturer Size Code: H
Height - Seated (Max): 0.169" (4.30mm)
Capacitance: 47 µF
Voltage - Rated: 20 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+237.00 грн
20+224.93 грн
50+199.04 грн
100+194.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH50N120-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH50N120-7STMicroelectronicsMOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ TJ = 150 C)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 52mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Case: H2PAK7
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 94nC
Power dissipation: 390W
Pulsed drain current: 177A
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1659.83 грн
5+1374.52 грн
10+1088.40 грн
50+979.71 грн
100+886.23 грн
250+868.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1088.40 грн
50+979.71 грн
100+886.23 грн
250+868.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH625DMC ToolsHand Tools SAFE-T-CABLE TOOL, HYD. .062", 5" NOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH686K20NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 68UF 10% 20V 2917
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2541.77 грн
5+2368.63 грн
10+2148.35 грн
50+1866.58 грн
100+1676.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 90 A, 21 mOhm (typ. TJ = 25 C)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 469W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2148.35 грн
50+1866.58 грн
100+1676.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1592.71 грн
10+1110.06 грн
100+910.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an
на замовлення 13945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2110.96 грн
10+1882.10 грн
25+1612.22 грн
50+1351.64 грн
100+1295.91 грн
250+1264.55 грн
500+1246.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2345.87 грн
5+2233.70 грн
10+2121.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]