Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM038N03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V | на замовлення 10891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM038N03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM038N04LCP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5509 pF @ 20 V | на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM038N04LCP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 135A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM038N04LCP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5509 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 90A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 90A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM042N03CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 30A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM042N03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 14177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM042N03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM042N03CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 30A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 9708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM042N03CS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 7W; SOP8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOP8 Kind of package: tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 7W Drain current: 30A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM043NB04CZ | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/124A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4928 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM043NB04CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM043NB04CZ C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 124A; 125W; TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 74nC On-state resistance: 43.5mΩ Power dissipation: 125W Drain current: 124A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM043NB04LCZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4387 pF @ 20 V | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM043NB04LCZ C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 124A; 125W; TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC On-state resistance: 43.5mΩ Power dissipation: 125W Drain current: 124A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM043NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2531 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM043NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM043NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2531 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM043NH04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN-U EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM043NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM043NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM043NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM045NA03CR | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 108A, 4.5mOhm | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM045NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM045NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V 108A Single N-Ch annel Power MOSFET | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM045NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM045NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6870 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM045NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 104A 5mOhm N-Chan Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM045NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Kind of package: tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 104nC On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 45W Drain current: 16A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM045NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6870 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM048NB06LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 107A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM048NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V | на замовлення 4003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM048NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM048NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM048NB06LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Kind of package: tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC On-state resistance: 4.8mΩ Power dissipation: 45W Drain current: 16A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM048NM15TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 150V, 224A, SINGLE, N-CHANNEL LO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9924 pF @ 75 V | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM048NM15TL RAG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 150V, 224A, SINGLE, N-CHANNEL LO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TOLLA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9924 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM0505S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM0512D | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM0512S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM0512S | Traco Power | DC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 1, Uвих1, В = 12, Pвих, Вт = 1, Uвх (max), В = 5,5, Uвх (min), В = 4,5, Iвих1, А = 0,08, Uізол., В = 1 000, ККД, % = 80, Uвих, % = 3, Габ. розм, мм = 12,7 x 8,0 x 11,1, Рів. пульс., мВ = 120, Тексп, °С = -40...+85,... кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM0515S | Traco Power | DC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 1, Uвих1, В = 15, Pвих, Вт = 0,975, Uвх (max), В = 5,5, Uвх (min), В = 4,5, Iвих1, А = 0,065, ККД, % = 81, Габ. розм, мм = 12.7 x 8.0 x 8.1, Тексп, °С = -40...+85,... Джерела живлення Корпус: 14-SMD Од. вим: шт кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM051N04LCP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 96A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2456 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM051N04LCP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 96A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM051N04LCP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 96A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2456 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM051N04LCP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM052N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM052N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM052N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V N 100Amp channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM052NB03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2294 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM052NB03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM052NB03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2294 pF @ 15 V | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 80A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 80A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5x5.8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 80A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 9392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM055N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM055N03PQ56 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 80A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5x5.8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM055N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 80A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM055N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM055N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM055N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM056NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM056NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM056NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM056NH04CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1828 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM056NH04CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 9923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM056NH04CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1828 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCR | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN-U EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 9799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2076 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) | на замовлення 9955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM056NH04LCV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2076 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM05N03CW | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans N-CHANNEL 30V 5A 3W 0.06R TSM05N03CW RPG TTSM05n03cw кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V | на замовлення 22115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM060N03CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 70A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM060N03CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 70A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM060N03CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM060N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V | на замовлення 5903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM060N03CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 51A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.1nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM060N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM060N03CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM060N03ECP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 30V, 70A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |