Продукція > TSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM109TR1
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N06CPTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 5Amp N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 5Amp N channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CITaiwan SemiconductorMOSFETs 600V 4,75Amp N channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CI C0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ITO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CZTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V 10Amp N channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CZ C0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CZ C0Taiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N60CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 10Amp N channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CI C0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2336 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V 9.5A Single N-C hannel Power MOSFET
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CZ C0Taiwan SemiconductorMOSFET 800V 10A N Channel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2336 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CZ C0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 290W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NB60CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NB60CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC60CFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC60CF C0GTaiwan SemiconductorTSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube - Arrow.com
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.21 грн
10+125.62 грн
100+89.45 грн
500+73.12 грн
1000+59.12 грн
2500+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC60CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC60CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC65CFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC65CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 50 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC65CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 650V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10ND60CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10ND65CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 650V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10S1CD
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11001FSV
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110CNSTM2003
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
на замовлення 7240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+49.21 грн
100+32.40 грн
500+23.64 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V 54A 11mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.13 грн
5000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+50.19 грн
100+39.13 грн
500+32.53 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.10 грн
500+35.25 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
5000+18.88 грн
7500+18.08 грн
12500+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.37 грн
21+40.24 грн
100+39.10 грн
500+35.25 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 8207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 16174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.44 грн
100+32.54 грн
500+23.74 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 20 V
на замовлення 9580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+44.00 грн
100+28.83 грн
500+20.92 грн
1000+18.94 грн
2000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+67.86 грн
100+52.77 грн
500+41.98 грн
1000+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NM10LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 47A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252A
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.57 грн
100+47.14 грн
500+34.81 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NM10LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 47A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252A
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NM10LCP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 47A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CST01+ SOP
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CDSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR TRPL V/C 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CDT
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CDTSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Multi-Voltage Supervisor
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 3
Reset Timeout: 100ms Minimum
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Supplier Device Package: 20-SO
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CM
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CNSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 20DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: 20-DIP
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Reset Timeout: 100ms Minimum
Number of Voltages Monitored: 3
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Type: Multi-Voltage Supervisor
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111CNST06+ DIP-20;
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM111ID
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1121IDSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING MULT OTPT 14SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1121INSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1121IN
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1NinigiТумблер; 1; SPDT; ON-(ON); 3A/250ВAC; Выв: под пайку Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Mounting hole diameter: Ø6.2mm
Related items: TSPC05-M
Contacts configuration: SPDT
Type of switch: toggle
Operating temperature: -25...85°C
Knob height: 11mm
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Max. contact resistance:: 20mΩ
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Body colour: black
Electrical life: 20000 cycles
Leads: for soldering
Actuator material: metal
Switching method: ON-(ON)
Kind of toggle: round
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.38 грн
6+80.85 грн
20+67.09 грн
100+51.49 грн
500+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1---Тумблер 250 V 3A Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112A1/TCNINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Mounting hole diameter: Ø6mm
Related items: TSPC05-M
Contacts configuration: SPDT
Type of switch: toggle
Operating temperature: -25...85°C
Knob height: 11mm
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Max. contact resistance:: 20mΩ
Stable positions number: 1
Number of positions: 2
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Body colour: black
Electrical life: 20000 cycles
Leads: for soldering
Actuator material: metal
Switching method: ON-(ON)
Kind of toggle: round
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.54 грн
5+93.93 грн
20+79.67 грн
100+61.22 грн
500+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDSTSOP-14
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDTST0311+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CDTSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CNSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Multi-Voltage Supervisor
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 3
Reset Timeout: 100ms Minimum
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Supplier Device Package: 14-DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112CN
Код товару: 150021
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM112F1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Operating temperature: -25...85°C
Kind of toggle: flat
Leads: for soldering
Actuator material: metal
Switching method: ON-(ON)
Contacts configuration: SPDT
Type of switch: toggle
Mounting hole diameter: Ø6.2mm
Knob height: 12mm
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Max. contact resistance:: 20mΩ
Stable positions number: 1
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Number of positions: 2
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Electrical life: 20000 cycles
Body colour: black
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.70 грн
6+83.03 грн
20+65.41 грн
100+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11301HDVPTR
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM113F1NinigiТумблер; важільний; Поз: 3; SP3T; ON-OFF-(ON); 3A/250ВAC Перемикачі та вимикачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM113F1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 3; SP3T; ON-OFF-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Body colour: black
Kind of toggle: flat
Leads: for soldering
Actuator material: metal
Type of switch: toggle
Switching method: ON-OFF-(ON)
Contacts configuration: SP3T
Operating temperature: -25...85°C
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Mounting hole diameter: Ø6.2mm
Knob height: 12mm
Max. contact resistance:: 20mΩ
Stable positions number: 2
Number of positions: 3
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Electrical life: 20000 cycles
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM113F1
Код товару: 201329
Додати до обраних Обраний товар
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1142-1LF
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM114CNSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11Q-1RM-H01Applied MotionStepper Motors NEMA 11, Prog. RS485 w/ side conn.
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM11Q-2RM-002Applied MotionStepper Motors TBSM11 Linear Actuator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM12
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1200
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1205D
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1205STRACO POWERDC-DC Converter; Isolated; Single Output; 1W; 200mA; 5V; 1kV; 10,8V~13,2V; -40°C~85°C; EFF 81%; TPET1205; TSM 1205S UITSM1205s
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+483.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCPTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 70A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 70A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 54A, Single N- Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.64 грн
5000+35.35 грн
10000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.51 грн
100+40.99 грн
500+30.19 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+141.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]