Продукція > TSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM120N06LCP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM120N06LCP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM120N06LCP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 54A; 69W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR TTSM120n06lcr кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 23A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 23A (Tc) Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 12.5W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS TTSM120n06lcs кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS TTSM120n06lcs кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V | на замовлення 4185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM120N10PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V 58Amp N channel Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120N10PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3902 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120NA03CR | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 39A, 11.7mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 39A, 11.7mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM120NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1212S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM1215S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM121CM | на замовлення 992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM123A1 | NINIGI | Category: Toggle Switches Description: Switch: toggle; Pos: 3; SP3T; (ON)-OFF-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C Mounting hole diameter: Ø6.2mm Related items: TSPC05-M Kind of toggle: round Type of switch: toggle Operating temperature: -25...85°C Knob height: 11mm Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm Max. contact resistance:: 20mΩ Stable positions number: 1 Number of positions: 3 AC contacts rating @R: 3A / 250V AC Soldering temperature: 260°C / 4 s Body colour: black Electrical life: 20000 cycles Contacts configuration: SP3T Leads: for soldering Actuator material: metal Switching method: (ON)-OFF-(ON) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM123A1 | Ninigi | SP3T; (ON)-OFF-(ON); 3A/250ВAC; 20мОм Перемикачі та вимикачі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM123A2 | Ninigi | Перемикачі та вимикачі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM123F1 | Ninigi | Тумблер 3A/250VAC (ON)-OFF-(ON) Перемикачі та вимикачі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM123F1 | NINIGI | Category: Toggle Switches Description: Switch: toggle; Pos: 3; SP3T; (ON)-OFF-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C Type of switch: toggle Number of positions: 3 Stable positions number: 1 Contacts configuration: SP3T Switching method: (ON)-OFF-(ON) AC contacts rating @R: 3A / 250V AC Leads: for soldering Operating temperature: -25...85°C Kind of toggle: flat Mounting hole diameter: Ø6.2mm Knob height: 12mm Max. contact resistance:: 20mΩ Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm Electrical life: 20000 cycles Actuator material: metal Body colour: black Soldering temperature: 260°C / 4 s | на замовлення 451 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM126CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM126CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 30mA N-Channel Depletion Mode | на замовлення 11708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1284B-3 | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM1284B-3LF | LB | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TSM1285BCSA+ | Silicon Labs | Description: IC ADC 12BIT SAR 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Number of Bits: 12 Configuration: S/H-ADC Data Interface: SPI Reference Type: Internal Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V Sampling Rate (Per Second): 300k Input Type: Single Ended Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 8-SOIC Architecture: SAR Ratio - S/H:ADC: 1:1 Number of A/D Converters: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1285BCSA+T | Silicon Labs | Description: IC ADC 12BIT SAR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Number of Bits: 12 Configuration: S/H-ADC Data Interface: SPI Reference Type: Internal Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V Sampling Rate (Per Second): 300k Input Type: Single Ended Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 8-SOIC Architecture: SAR Ratio - S/H:ADC: 1:1 Number of A/D Converters: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1285BESA+ | Silicon Labs | Description: IC ADC 12BIT SAR 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Number of Bits: 12 Configuration: S/H-ADC Data Interface: SPI Reference Type: Internal Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V Sampling Rate (Per Second): 300k Input Type: Single Ended Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 8-SOIC Architecture: SAR Ratio - S/H:ADC: 1:1 Number of A/D Converters: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1285BESA+ | Silicon Labs | Analog to Digital Converters - ADC 12-bit 300ksps ADC with Int 2.5V Ref | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1285BESA+T | Silicon Labs | Description: IC ADC 12BIT SAR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Number of Bits: 12 Configuration: S/H-ADC Data Interface: SPI Reference Type: Internal Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply, Analog: 2.7V ~ 3.6V Voltage - Supply, Digital: 2.7V ~ 3.6V Sampling Rate (Per Second): 300k Input Type: Single Ended Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 8-SOIC Architecture: SAR Ratio - S/H:ADC: 1:1 Number of A/D Converters: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1285DB | Silicon Laboratories | TSM1285 ADC Demonstration Board 300KSPS Graphic User Interface IDE | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1285DB | Silicon Labs | Data Conversion IC Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1285DB | Touchstone Semiconductor | Description: BOARD EVAL ADC 12-BIT TSM1285 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM1285DB | Silicon Laboratories | TSM1285 ADC Demonstration Board 300KSPS Graphic User Interface IDE | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM128C08 | CAT | TSOP | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM12N65CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM12N65CI C0 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 650V 6A N Channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM130NB06LCR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM130NB06LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 51A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM130NB06LCR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM130NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM130NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM130NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 7275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM13N50ACI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM13N50ACI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 13A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1965 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM13N50ACZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 13A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1965 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM13N50ACZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V N channel Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM13ND50CI | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 13A ITO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 50 V | на замовлення 3848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM13ND50CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V, 13A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM13ND50CI RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 500V 13A Single N-Chan Pwr MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1412CU6 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM1412CU6RF | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM141AS SWT-10/5 | KLS | микрокнопка SMD 3*6MM Кнопки та клавіатури | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM142 YTP1109S | CHUNGSONG | 4,5х4,5 L=3,8мм SMD Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM142 YTP1109S. | CHUNGSONG | 4,5х4,5 L=3,8мм. Клемники | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM1426CU6 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TSM14POE3M-IPEJ | Applied Motion | AC, DC & Servo Motors | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM14POE3M-JG04 | Applied Motion | Stepper Motors RJ45 connectr; 4.62:1 PH gear | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM14POE3M-MG32 | Applied Motion | Stepper Motors M12 connectr; 32.50:1 PH gear | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR | Taiwan Semiconductor | LDO Voltage Regulators 40V, 41A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/38A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1132pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V 41A 15mOhm N-Chan Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerLDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04LCV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TSM150NB04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150P03PQ33 | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -30, -36, SINGLE P-CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150P03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin P-DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150P03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30, -36, Single P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TSM150P03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V | на замовлення 19678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|