Продукція > PJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJW603614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 60.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 64.500" (1638.30mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW720
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04_R2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_007A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-R2-00001PanjitMOSFET SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+35.78 грн
100+23.11 грн
500+16.56 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00701PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+31.40 грн
100+19.53 грн
500+12.54 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJWI1P6150UA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWILD720M2
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP4440MA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP6150UNAT97 DIP
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.