Продукція > GCM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 240 243 244 245 246 247 248
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GCM55D7U3A103JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0.01 uF 1 kVDC 5% 2220 U2J AEC-Q200
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.03 грн
10+102.41 грн
50+72.49 грн
100+67.10 грн
500+58.26 грн
1000+57.02 грн
2000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCM55D7U3A822JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 2220 8200pF 1Kvolt U2J 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCM55Q7U2J273JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 2220 0.027uF 630volt U2J 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCM55Q7U3A562JX01LMurata ElectronicsDescription: CAP CER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCM55Q7U3A562JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 5600 pF 1 kVDC 5% 2220 U2J AEC-Q200
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCM55Q7U3A682JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6800 pF 1 kVDC 5% 2220 U2J AEC-Q200
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCM55RR72A474KA01L 0,47 мкФ 100 ВMurata2200 X7R 10% Конденсатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCM55RR72H333KD01L 3300 пкФ 500 ВMurata2200 X7R 10% Конденсатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMDP2DPMFStarTechAudio Cables / Video Cables / RCA Cables Mini DisplayPort to DisplayPort Converter M F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMOSIS008BMXTECHNITROLSMD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS004A120S7B1SemiQDescription: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS007C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13094 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2697.25 грн
10+1941.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS007C120S1-E1SemiQ Gen3 1200V 7mO SiC MOSFET Co-Pack, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008A120B1B1SemiQDescription: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS008C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14085 pF @ 1000 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3584.16 грн
10+2610.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS010B120S1-E1SemiQDescription: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4644.27 грн
10+3434.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS014C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 1000 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2198.65 грн
10+1556.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020A120S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020A120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9762.23 грн
10+8611.35 грн
20+7369.39 грн
50+7186.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020B120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS020B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3160.90 грн
10+2287.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS034C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 1000 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2120.99 грн
10+1497.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120B1H1SemiQDescription: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120B3C1SemiQDescription: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040A120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040B120S1-E1SemiQMOSFET Modules 1200V SiC COPACK Power Module
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2019.94 грн
10+1512.36 грн
100+1154.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2148.94 грн
10+1518.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS040C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 1000 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2098.46 грн
10+1480.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080A120B3C1Global Power Technologies GroupDescription: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080A120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1926.05 грн
10+1353.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080B120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1545.56 грн
10+1105.10 грн
100+933.34 грн
1000+808.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1332 pF @ 1000 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1895.76 грн
10+1329.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMS080C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S3B1-NSemiQDescription: 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 625A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 300A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1408nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16860.71 грн
15+14615.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S3B1-NSemiQMOSFET Modules 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18062.65 грн
10+15174.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX003A120S7B1SemiQDescription: 1200V 3M SIC HALF BRIDGE 62MM MO
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1.546kW (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1326nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 300A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37200pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX005A120S3B1-NSemiQDescription: 1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.531kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 424A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 901nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12864.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX005A170S3B1-NSemiQDescription: SIC MOSFET MOD
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 397A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43600pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1416nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20821.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX007C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 7M SIC MOSFET MODULE,
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12952 pF @ 1000 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2309.71 грн
10+1638.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX008C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14067 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2346.99 грн
10+1667.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B2B1PSemiQDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 214A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5797.57 грн
10+4349.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B2B1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3B1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3B1PSemiQDescription: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7107.75 грн
10+5637.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010A120B3H1PSemiQMOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX010B120S1-E1SemiQDescription: 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3716.97 грн
10+2712.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX014C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6288 pF @ 1000 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2187.00 грн
10+1547.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX015A170S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1200 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4037.72 грн
10+2961.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX016C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6822 pF @ 1000 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1923.72 грн
10+1350.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2B1PSemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4395.06 грн
10+3939.29 грн
25+3310.18 грн
50+3196.28 грн
100+3081.68 грн
250+2967.09 грн
500+2939.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2B1PSemiQDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 385W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4005.10 грн
10+2941.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1PSemiQDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5761.84 грн
10+4320.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H2PSemiQDescription: 1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5928.04 грн
10+4448.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H2PSemiQMOSFET Modules 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B3H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1SemiQMOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2675.50 грн
10+1917.46 грн
100+1642.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX030A170S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2541.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX034C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1929.16 грн
10+1354.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2B1PSemiQMOSFET Modules 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2B1PSemiQDescription: 1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3664.93 грн
10+2674.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1PSemiQDescription: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H2PSemiQMOSFET Modules 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2T1PSemiQDescription: 1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 160W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3531.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2T1PSemiQMOSFET Modules 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B3H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3995.58 грн
10+3133.49 грн
40+2724.78 грн
100+2550.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1SemiQMOSFET Modules 1200V SiC MOSFET Power Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1632.54 грн
10+1163.05 грн
100+944.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2169.14 грн
10+1533.58 грн
100+1234.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 1000 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1882.56 грн
10+1319.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2764.93 грн
10+2278.47 грн
40+1981.28 грн
100+1721.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1PSemiQDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 119W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2910.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2PSemiQMOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2PSemiQDescription: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3052.17 грн
10+2210.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1PSemiQMOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1PSemiQDescription: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 103W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2481.34 грн
10+1776.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1SemiQMOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1406.22 грн
10+995.54 грн
100+713.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1811.11 грн
10+1268.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1777.71 грн
10+1242.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX2P3B120S3B1-NSemiQDescription: GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1705W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 608A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1566nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11091.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 96 120 144 168 192 216 240 243 244 245 246 247 248