Продукція > GCM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 248 249 250 251 252 253
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GCMX014C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6288 pF @ 1000 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2387.50 грн
10+1593.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX015A170S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4159.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX016C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6822 pF @ 1000 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2204.09 грн
10+1557.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2B1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2B1PSemiQDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 385W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4042.13 грн
10+2968.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1PSemiQDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5815.12 грн
10+4360.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H2PSemiQDescription: 1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5982.86 грн
10+4489.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B2H2PSemiQMOSFET Modules 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020A120B3H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2808.41 грн
10+2012.78 грн
50+1718.46 грн
100+1587.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX020B120S1-E1SemiQMOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX030A170S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2565.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX034B120B2H2PSemiQDescription: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET FULL B
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3143.88 грн
40+1982.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX034B120B2T1PSemiQDescription: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET SIX-PA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX034C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 1000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2106.11 грн
10+1478.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2B1PSemiQMOSFET Modules 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2B1PSemiQDescription: 1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3698.82 грн
10+2699.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1PSemiQDescription: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2H2PSemiQMOSFET Modules 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2T1PSemiQMOSFET Modules 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B2T1PSemiQDescription: 1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 160W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3675.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040A120B3H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1SemiQMOSFET Modules 1200V SiC MOSFET Power Module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.66 грн
10+1579.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 1000 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1939.16 грн
10+1359.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX040C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H1PSemiQDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 119W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2936.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2PSemiQMOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2H2PSemiQDescription: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3080.39 грн
10+2230.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1PSemiQMOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080A120B2T1PSemiQDescription: 1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 103W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2504.29 грн
10+1792.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1SemiQMOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1901.53 грн
10+1331.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX080C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 1000 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1830.99 грн
10+1279.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GCMX2P3B120S3B1-NSemiQDescription: GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1705W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 608A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1566nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11194.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 100 125 150 175 200 225 248 249 250 251 252 253