Продукція > BYM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-400-E396 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-400HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-400HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-400HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-400HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-400HE3_A/H | Vishay | Rectifiers 1A,400V,MELF,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-50 | VISHAY | 09+ TSSOP14 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Avalanche Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-50-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; DO213AB,MELF plastic; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 50V Quantity in set/package: 1500pcs. Case: DO213AB; MELF plastic Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 8pF Leakage current: 50µA | на замовлення 1261 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-50-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 14436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 7611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 14954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50/26 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600 | GS | LL34 1W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600 LL34 1W | GS | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BYM10-600-E3/76 | Vishay | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-600-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 6060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 4799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Avalanche Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-600-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 6060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB,MELF plastic; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Quantity in set/package: 1500pcs. Case: DO213AB; MELF plastic Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 8pF Leakage current: 50µA | на замовлення 1574 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 16398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 6580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600HE3_A/H | Vishay | Rectifiers 1A,600V,MELF,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-600LL341W | GS | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BYM10-800 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-800 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 Код товару: 67584
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 830mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Avalanche Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB,MELF plastic; Ufmax: 1.2V Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel Load current: 1A Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.8kV Quantity in set/package: 1500pcs. Case: DO213AB; MELF plastic Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 8pF Leakage current: 50µA | на замовлення 2821 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 830mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 5789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 8526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Avalanche Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM10-800HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-800HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-800HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM10-800HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt | на замовлення 8465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.1kV Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: DO213AB; GL41 Mounting: SMD Leakage current: 50µA Kind of package: 7 inch reel Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 15pF Reverse recovery time: 150ns Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Quantity in set/package: 1500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt | на замовлення 6276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C | на замовлення 28798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-1000 | VISHAY | 1A | на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-1000 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |

