Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTC124EU-QF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124EU-QF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC124E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124EU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124EU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC124E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124EU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124EU-QX | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124EU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC124E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 339 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124EU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 230 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124EU/T06 | NXP | 08+ SOT323 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124EU/ZLF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTC124EU/ZLF Part Status: Obsolete Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124EU/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTC124EU/ZLX Part Status: Obsolete Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TE | на замовлення 3486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTC124TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TK | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTC124TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 177737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 98137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TM,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTC124TM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TM315 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA, PDTC124T - NPN RESISTO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TMB,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883B 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Qualification: AEC-Q100 Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 230 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TMB315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Qualification: AEC-Q101 Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 230 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Bulk | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TT | NXP | NPN 100mA 50V 250mW PDTC124TT TPDTC124tt кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PDTC124TT - SMALL S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TT | NXP | NPN 100mA 50V 250mW PDTC124TT TPDTC124tt кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB; 22kΩ Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Current gain: 100 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 22kΩ Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Mounting: SMD | на замовлення 5700 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 702000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC124T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT,215 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC124T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TT-QR | Nexperia | PDTC124TT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TU | NXP | Tranzystor NPN; 100; 200mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; PDTC124TU.115; PDTC124TU,115 NEXPERIA TPDTC124tu кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124TU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC124T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 22kΩ Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Current gain: 100 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 22kΩ Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SC70; SOT323 Type of transistor: NPN Mounting: SMD | на замовлення 2871 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 28570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124TU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124TU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC124T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124TU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTC124TU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XE | PHILIPS | на замовлення 297000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PDTC124XE SOT416-32 | PHILIPS | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PDTC124XE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XE/DG/B2,115 | NXP Semiconductors | PDTC124XE/DG/B2,115 | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XE/DG/B2,115 | NXP Semiconductors | PDTC124XE/DG/B2,115 | на замовлення 266990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XE/DG/B2115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 5294990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XEF | PHILIPS | SOT416-32 | на замовлення 112000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XEF SOT416-32 | PHILIPS | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PDTC124XEF(32) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTC124XEFSOT416-32 | PHILIPS | на замовлення 236000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PDTC124XESOT416-32 | PHILIPS | на замовлення 507000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PDTC124XK | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PDTC124XK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 112840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XM,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 9884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTC124XM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 147306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XMB,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883B 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 230 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 9394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 230 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XMB315 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PDTC124XMB - SMALL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 14826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 22 MSL: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQBZ | Nexperia | PDTC124XQBZ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQBZ | Nexperia | Digital Transistors PDTC124XQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQBZ | Nexperia | PDTC124XQBZ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 22 MSL: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors SOT8009 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC124XQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124XQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC124XQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PDTC124XQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

