Продукція > ncv
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCV5701ADR2G | onsemi | Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5701BDR2G | ON Semiconductor | Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5701BDR2G | ON Semiconductor | на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV5701BDR2G | onsemi | Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5701CDR2G | ON Semiconductor | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV5701CDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV5701CDR2G - IGBT Driver, High Side and Low Side, 6.8 A, 20 V, -40 °C to 125 °C, SOIC-8 Sinkstrom: 15 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: IGBT Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Quellstrom: 20 Spitzenausgangsstrom: 6.8 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 56 Ausgabeverzögerung: 63 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5701CDR2G | onsemi | Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR | на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5701CDR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5702DR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5702DR2G | onsemi | Gate Drivers ORDERABLE PART NUMB ER OF | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5702DR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 9.2ns, 7.9ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT Logic Voltage - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 7.8A, 6.8A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV5702DR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5702DR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 9.2ns, 7.9ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT Logic Voltage - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 7.8A, 6.8A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV5702DR2G | ON Semiconductor | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV5703ADR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 9.2ns, 7.9ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT Logic Voltage - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 7A, 7.2A Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5703ADR2G | onsemi | Gate Drivers ORDERABLE PART NUMB ER OF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5703ADR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Driven Configuration: High-Side or Low-Side Channel Type: Single Rise / Fall Time (Typ): 9.2ns, 7.9ns Supplier Device Package: 8-SOIC Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Current - Peak Output (Source, Sink): 7A, 7.2A Logic Voltage - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V Gate Type: IGBT Number of Drivers: 1 | на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV5703BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV5703BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 1 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Quellstrom: 1 Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 59 Ausgabeverzögerung: 54 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5703BDR2G | onsemi | Gate Drivers ORDERABLE PART NUMB ER OF | на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5703CDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 7275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5703CDR2G | ON Semiconductor | на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV5703CDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 59ns Ausgabeverzögerung: 54ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 7275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5703CDR2G | onsemi | Gate Drivers ORDERABLE PART NUMB ER OF | на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5703DDR2G | onsemi | Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH ENABLE PIN | на замовлення 3912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5705BDR2G | onsemi | Gate Drivers GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESHOLDS | на замовлення 9692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV5705BDR2G | ONN | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV5705BDR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Current - Peak Output (Source, Sink): 7.8A, 6.8A Logic Voltage - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V Gate Type: IGBT Number of Drivers: 1 Driven Configuration: High-Side or Low-Side Channel Type: Single Rise / Fall Time (Typ): 9.2ns, 7.9ns Supplier Device Package: 8-SOIC Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) | на замовлення 3399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV5705BDR2G | onsemi | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Current - Peak Output (Source, Sink): 7.8A, 6.8A Logic Voltage - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V Gate Type: IGBT Number of Drivers: 1 Driven Configuration: High-Side or Low-Side Channel Type: Single Rise / Fall Time (Typ): 9.2ns, 7.9ns Supplier Device Package: 8-SOIC Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57080ADR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 8A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 8A, 8A Voltage - Isolation: 1200Vrms Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 85ns, 85ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57080ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080ADR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-PIN PACKAGE FOR LOW END COST & BOARD SPACE SENSITIVE APPLICATIONS | на замовлення 4352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080ADR2G | ON Semiconductor | на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV57080ADR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Current - Peak Output: 8A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 8A, 8A Voltage - Isolation: 1200Vrms Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 85ns, 85ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V Bauform - Treiber: NSOIC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080BDR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-PIN PACKAGE FOR LOW END COST & BOARD SPACE SENSITIVE APPLICATIONS | на замовлення 3657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080BDR2G | ONN | на замовлення 1780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV57080BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080CDR2G | ONSEMI | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080CDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 8A Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080CDR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-PIN PACKAGE FOR LOW END COST & BOARD SPACE SENSITIVE APPLICATIONS | на замовлення 7317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080CDR2G | ON Semiconductor | Description: IC IGBT GATE DRIVER 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57080CDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 8A Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081ADR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-PIN PACKAGE FOR LOW END COST & BOARD SPACE SENSITIVE APPLICATIONS | на замовлення 7204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57081ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081BDR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-PIN PACKAGE FOR LOW END COST & BOARD SPACE SENSITIVE APPLICATIONS | на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081BDR2G | onsemi | Description: ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-P | на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57081BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081BDR2G | onsemi | Description: ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-P | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57081BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57081BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081CDR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 3.75KV 1CH GT DVR 8SOIC Qualification: AEC-Q100 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Number of Channels: 1 Grade: Automotive Pulse Width Distortion (Max): 25ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: UL, VDE Voltage - Isolation: 3750Vrms Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 6.5A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 39834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57081CDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081CDR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-PIN PACKAGE FOR LOW END COST & BOARD SPACE SENSITIVE APPLICATIONS | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57081CDR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 3.75KV 1CH GT DVR 8SOIC Qualification: AEC-Q100 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Number of Channels: 1 Grade: Automotive Pulse Width Distortion (Max): 25ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: UL, VDE Voltage - Isolation: 3750Vrms Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 6.5A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57081CDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57081CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57081y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57084DR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated Compact IGBT Gate Driver with DESAT | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57084DR2G | onsemi | Description: ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE Voltage - Output Supply: 0V ~ 30V Number of Channels: 1 Part Status: Active Pulse Width Distortion (Max): 30ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: UL, VDE Voltage - Isolation: 2500Vrms Current - Output High, Low: 7.5A, 7A, 7.5A, 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 7.5A, 7A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57084DR2G | ONN | на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV57084DR2G | onsemi | Description: ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE Part Status: Active Pulse Width Distortion (Max): 30ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: UL, VDE Voltage - Isolation: 2500Vrms Current - Output High, Low: 7.5A, 7A, 7.5A, 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 7.5A, 7A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Output Supply: 0V ~ 30V Number of Channels: 1 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57085DR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 7.5A, 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 7.5A, 7A, 7.5A, 7A Voltage - Isolation: 2500Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 30ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 30V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57085DR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GT DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 7.5A, 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 7.5A, 7A, 7.5A, 7A Voltage - Isolation: 2500Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 30ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 30V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 13990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57085DR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVER WITH CURRENT SENSE | на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090ADWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V Bauform - Treiber: WSOIC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090ADWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090ADWR2G | ONN | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV57090ADWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090BDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090BDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090BDWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | на замовлення 11923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090CDWR2G | ONN | на замовлення 990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV57090CDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090CDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090CDWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090DDWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090EDWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090FDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090FDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57090y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090FDWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57090FDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57090FDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57090y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091ADWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57091ADWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091ADWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57091ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091ADWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57091ADWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091BDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 6996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57091BDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091BDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57091BDWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091BDWR2G | ONN | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCV57091BDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57091BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091CDWR2G | onsemi | Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091CDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC Qualification: AEC-Q100 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Number of Channels: 1 Grade: Automotive Pulse Width Distortion (Max): 25ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 6.5A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 25988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57091CDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57091CDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC Qualification: AEC-Q100 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Number of Channels: 1 Grade: Automotive Pulse Width Distortion (Max): 25ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Supplier Device Package: 8-SOIC Approval Agency: VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 6.5A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57091CDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57091CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57091y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57100DWR2G | onsemi | Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57100DWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCV57100DWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57100DWR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB PACKAGE | на замовлення 8172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCV57100DWR2G | onsemi | Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCV57101DWR2G | onsemi | Description: ISOLATED GATE DRIVER IN SOIC16WB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 7A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 7.8A, 7.1A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 150kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

