Продукція > HS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HS1MAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A THIN SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MAL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Thin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A THIN SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MAL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MAL M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT | на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MAL M3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 6799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MALH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MALH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A THIN SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MALH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A THIN SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MALH M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MB | Yangjie Technology | Description: SMB 1000V 1.0A Diodes Rectifie Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MB | Yangjie Electronic Technology | Surface Mount High Efficient Rectifier | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SMAF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 7340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MF-T | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMAF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MF-T | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SMAF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MF-T M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SMAF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MF-T M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 49805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HS1MFS - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 35A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: HS1xFS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD128 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HS1MFS - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 35A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: HS1xFS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD128 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS M3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 16427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT | на замовлення 6728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD128 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD128 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MFSH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MFSH M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHF2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHF2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHF3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHF3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 1000V High E ff Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 10229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML MHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML MQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML MTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML R2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 1000V High E ff Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML R2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 1000V High E ff Recovery Rect | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML R3G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 1000V High E ff Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1ML RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 313 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 1000V High E ff Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1ML RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 1000V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 1000V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLHRQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 1000V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns 1A 1000V High E ff Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 23746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MLW | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 19920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1MLW | Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1MLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|