Продукція > RS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS1MWF-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 81997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1MWF-HF | Comchip Technology | Rectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 1000V 1A SOD-123FL | на замовлення 11974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1MWF-HF | Comchip Technology | SMD Fast Recovery Rectifiers | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1MWF-HF | Comchip Technology | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1MWG_R1_00001 | Panjit | Rectifiers PJ/RS1M/TR/7"/HF/1.8K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ/// | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1MWG_R2_00001 | Panjit | Rectifiers PJ/RS1M/TR/13"/HF/7.5K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ/// | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1M_HF | Diodes Zetex | RS1M_HF | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1M_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1000V 1a Fast Rect SMa | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | PanJit | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | Panjit | Rectifiers 1000V,Fast Recovery Rectifiers,SMA,1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 2928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1M_R2_00001 | Panjit | Rectifiers 1000V Fast Recovery Rectifiers 1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1N | Apex Tool Group | Description: SHEAR,RUG,OFFSET HDL,SHARP PT Tool Type: Shears (Scissors) Features: Nickel Plated Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1N | Apex Tool Group | Wire Stripping & Cutting Tools SHEAR, INDUSTRIAL, OFFSET, RUG 8" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V | на замовлення 2093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1P090ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1P090ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1P090ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 100V 33A P CHAN | на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1P600BETB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1P600BETB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 100V 60A HSOP8 | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1P600BETB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 35W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 35W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 35W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V | на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1PB-E3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PB-E3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PB-M3/84A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PB-M3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PB-M3/85A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PB-M3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PBHE3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PBHE3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PBHM3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PBHM3/84A | VISHAY | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RS1PBHM3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PBHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 100V 1A DO-220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PBHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 100V 1A DO-220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PD-E3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PD-E3/84A | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RS1PD-E3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PD-M3/84A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PD-M3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-220AA (SMP) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-220AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1PD-M3/84A | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RS1PD-M3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-220AA Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: DO-220AA (SMP) Current - Average Rectified (Io): 1A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1PD-M3/84A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PD-M3/85A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PD-M3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PDHE3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PDHE3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PDHM3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PDHM3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PDHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 100V 1A DO-220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PDHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-220AA (SMP) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-220AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1PDHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-220AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-220AA (SMP) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RS1PG-E3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PG-E3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PG-M3/84A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PG-M3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PG-M3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PG-M3/84A | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PG-M3/85A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PG-M3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PGHE3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PGHE3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PGHM3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PGHM3/85A | на замовлення 175014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RS1PGHM3/85A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PGHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 100V 1A DO-220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PGHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 100V 1A DO-220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJ-E3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJ-E3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJ-M3/84A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJ-M3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJ-M3/84A | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJ-M3/84A | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RS1PJ-M3/85A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJ-M3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJHE3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJHE3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJHM3/84A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJHM3/85A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 100V 1A DO-220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1PJHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 100V 1A DO-220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1R-B-07-G-SMT-T/R | Adam Technologies | RS1R-B-07-G-SMT-T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1S-20A600Z-AD280U | IDEC | Description: 22MM 600VAC/20A 280VAC IN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1S-20A600Z-AD280U | IDEC | General Purpose Relays 22mm 600VAC/20A 280VAC IN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1S-20A600Z-AD280V | IDEC | Description: 22MM 600VAC/20A 280VAC IN CONT Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1S-20A600Z-AD280V | IDEC | General Purpose Relays 22mm 600VAC/20A 280VAC IN CONT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1S-20A600Z-D32U | IDEC | Description: 22MM 600VAC/20A 4-32VDC IN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1S-20A600Z-D32U | IDEC | General Purpose Relays 22mm 600VAC/20A 4-32VDC IN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

