Продукція > RS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS1MLW | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MLW | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MLW RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W | на замовлення 3497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MLWH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 9924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MLWH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 250ns; SOD123W; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD123W Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLWHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLWHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MLWHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSP1-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STD 1000V 1A POWERDI123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSP1-7 | Diodes Incorporated | Rectifiers Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWF | Diodes Incorporated | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWF-7 | Diodes Incorporated | Rectifiers 1.0A Fast Recovery Rect 1.1Vf 10uA | на замовлення 5834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWF-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWF-7 | Diodes Zetex | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin SOD-123F T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: SOD123F Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWF-7 | Diodes Zetex | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin SOD-123F T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: SOD123F Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Capacitance: 4.7pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFM-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MSWFM-7 | Diodes Zetex | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFM-7 | Diodes | RS1MSWFM-7 DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFM-7 | Diodes Incorporated | Rectifiers Rapid GPP Rectifier SOD123F T&R 3K | на замовлення 12185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFM-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MSWFMQ-7 | Diodes Zetex | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFMQ-7 | Diodes Incorporated | Rectifiers Rapid GPP Rectifier SOD123F T&R 3K | на замовлення 8648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 43025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MSWFMQ-7 | Diodes Zetex | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MSWFMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MSWFN-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F Packaging: Bulk Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFNQ-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFQ-7 | Diodes Zetex | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive 2-Pin SOD-123F T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: SOD123F Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFQ-7 | Diodes Incorporated | Rectifiers 1.0A Fast Recovery 10uA Automotive | на замовлення 27171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MSWFQ-7 | Diodes Zetex | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive 2-Pin SOD-123F T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MSWFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MTR | SMC Diode Solutions | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | на замовлення 581354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Leakage current: 5µA Capacitance: 7pF | на замовлення 3474 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MTR | SMC Diode Solutions | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | на замовлення 580000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MTR-SMC | SMC Diode Solutions | RS1MTR-SMC RS1MTR Діод: випрямний, SMD, 1кВ, 1А, 500нс, SMA, Ufmax: 1,3В, Ir: 5мкА Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MU | Xinnuo Electronics | Description: 1A/1000V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 7.6pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.001A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MW | на замовлення 131400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RS1MWF | Diodes Incorporated | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWF-7 | Diodes Incorporated | Rectifiers 1.0A Fast Recovery 30A 1000V 700Vr | на замовлення 38056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - RS1MWF-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWF-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MWF-7 | Diodes | SOD-123F, Fast Recovery, If=1A, Urrm=1000V, Uf=1.3V, -55...+150 Діоди та діодні збірки | на замовлення 193 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MWF-7 | Diodes Zetex | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - RS1MWF-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWF-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 43380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MWF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 240ns; SOD123F; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 240ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD123F Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | на замовлення 579 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MWF-HF | Comchip Technology | SMD Fast Recovery Rectifiers | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1MWF-HF | Comchip Technology | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWF-HF | Comchip Technology | Rectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 1000V 1A SOD-123FL | на замовлення 11974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWG_R1_00001 | Panjit | Rectifiers PJ/RS1M/TR/7"/HF/1.8K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ/// | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1MWG_R2_00001 | Panjit | Rectifiers PJ/RS1M/TR/13"/HF/7.5K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ/// | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1M_HF | Diodes Zetex | RS1M_HF | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1M_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1000V 1a Fast Rect SMa | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | Panjit | Rectifiers 1000V,Fast Recovery Rectifiers,SMA,1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | PanJit | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1M_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 2928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1M_R2_00001 | Panjit | Rectifiers 1000V Fast Recovery Rectifiers 1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N | Apex Tool Group | Wire Stripping & Cutting Tools SHEAR, INDUSTRIAL, OFFSET, RUG 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N | Apex Tool Group | Description: SHEAR,RUG,OFFSET HDL,SHARP PT Tool Type: Shears (Scissors) Features: Nickel Plated Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V | на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET | на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1N110ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P090ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P090ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 100V 33A P CHAN | на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P090ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BETB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 100V 60A HSOP8 | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BETB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 35W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BETB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 35W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 35W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1P600BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V | на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RS1PB-E3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1PB-E3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1PB-M3/84A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100volt 1.0amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1PB-M3/84A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1PB-M3/85A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RS1PB-M3/85A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100volt 1.0amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |

