Продукція > MT4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT47H32M16NF-25E AAT:H | MICRON | Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H | Micron | DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 AT | на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H | MICRON | на замовлення 4006 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H TR | Micron | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H TR | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H-BTR | Micron | DRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AIT:H | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AIT:H | Micron | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AIT:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AIT:H TR | Micron | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AIT:H-BTR | Micron | DRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AUT:H | Micron | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AUT:H | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Tray Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AUT:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AUT:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AUT:H TR | Micron | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AUT:H-BTR | Micron | DRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 32Mx16bit; 400MHz; FBGA84; -40÷95°C Operating temperature: -40...95°C Mounting: SMD Kind of memory: DDR2; DRAM; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory Case: FBGA84 Supply voltage: 1.7...1.9V Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 32Mx16bit | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | MICRON | Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E IT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Tray Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 12547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron | DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 IT | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 12547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | Micron | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | Micron | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 32Mx16bit; 400MHz; FBGA84; -40÷95°C Operating temperature: -40...95°C Mounting: SMD Kind of memory: DDR2; DRAM; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory Case: FBGA84 Supply voltage: 1.7...1.9V Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 32Mx16bit | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H TR | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E IT:H-BTR | Micron | DRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | Micron | Синхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 32Mx16bit; 400MHz; FBGA84; 0÷85°C Operating temperature: 0...85°C Mounting: SMD Kind of memory: DDR2; DRAM; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory Case: FBGA84 Supply voltage: 1.7...1.9V Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 32Mx16bit | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | MICRON | Active Volatile 3Compliant Parallel ic memory 0C~85C TC 1.7V~1.9V 512M 32M x 16 400ps MT47H32M16NF-25E:H TR; MT47H32M16NF-25E:H; MT47H32M16NF-25E:H PSDMT47H32M16NF-25EH кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 7190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray | на замовлення 7190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | Micron | DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT | на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | MICRON | Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E:H - DRAM, 32M X 16BIT, 0 TO 85DEG C tariffCode: 85423261 MSL: MSL 3 - 168 hours productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 84Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H | Micron | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H TR | Micron Technology | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H TR | Micron | DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA | на замовлення 3188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E:H TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25EIT:H | Micron | на замовлення 7334 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H32M16U67A3WC1 | Micron | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H32M16U67A3WC1 | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-3 IT | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-3 IT:B | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37E | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37E IT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37E:B | MICRON | 04+ | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37E:B 37E IT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37E:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37E:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37E:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37EIT:B | MICRON | 06+ | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-37V:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-3:B | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-3:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 256MBIT 3NS 60FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-3:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 256MBIT 3NS 60FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E | MICRON | 05+ | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E IT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E IT:B | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-FBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-FBGA (8x12) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 600 ps Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E:B | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E:B 5E IT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32M x 8 Access Time: 600 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-FBGA (8x12) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 200 MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5E:BTR | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5EIT: | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8BP-5EIT:B | MICRON | 05+ | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H32M8FP-37E | на замовлення 1680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8FP-37E IT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8FP-37E:B | MICRON | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H32M8FP-5E | на замовлення 1280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H32M8FP-5E:B | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4EB-187E:C | Micron | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4EB-25E:C | Micron | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4EB-3:C | Micron | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 60FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-25E:H | Micron | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3.75NS 63BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | Description: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-3:H | Micron | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

