Продукція > CY7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1021CV3315ZI | CYPRESS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021CV3315ZXC | CYPRESS | на замовлення 21500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021CV3315ZXI | CYPRESS | на замовлення 32100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021CV338VXC | CYPRESS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021CV338VXI | CYPRESS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021CV338ZC | CYPRESS | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021CV338ZXC | CYPRESS | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021CV33>>> | CYP | 07+; | на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VIT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-SOJ Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1021D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-44 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Cypress Semiconductor | SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ44; 400mils Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: SOJ44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V IC width: 400mils | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: SOJ44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...5.5V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT Код товару: 174349
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1021D-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXA | Cypress Semiconductor | SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXA | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXA | Cypress Semiconductor | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXA | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXAT | Cypress Semiconductor | SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXAT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Bulk | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXAT | Cypress Semiconductor | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXAT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Cypress Semiconductor | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Cypress Semiconductor | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1021D-10ZSXI - IC, SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, TSOP-II-44 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Cypress Semiconductor | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Cypress Semiconductor | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | Description: STANDARD SRAM, 64KX16, 10NS, CMO | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXI | Cypress Semiconductor | TSOP 32/I°/5V 1MB 64KX16 FAST SRAM Мікросхеми пам'яті | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIKA | Cypress Semiconductor Corp | Description: CY7C1021 - STANDARD SRAM, 64KX16 DigiKey Programmable: Not Verified Packaging: Bulk | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY7C1021D-10ZSXIT - SRAM, 1 Mbit, 64K x 16bit, 4.5V bis 5.5V, TSOP-II, 44 Pin(s), 10 ns Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 10 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 44 Speichergröße: 1 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...5.5V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021D-10ZXI | CYPRESS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-102XC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA Memory Organization: 64K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-VFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Cypress Semiconductor | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 4098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY7C1021DV33-10BVXI - SRAM, 1 Mbit, 64K x 16bit, 3V bis 3.6V, VFBGA, 48 Pin(s), 10 ns Bauform - Speicherbaustein: VFBGA Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 10 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 48 Speichergröße: 1 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA Memory Organization: 64K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-VFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | CYPRESS | 09+ DO214AB | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 3...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray | на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIKA | Cypress Semiconductor Corp | Description: CY7C1021 - STANDARD SRAM, 64KX16 | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIKB | Cypress Semiconductor Corp | Description: CY7C1021 - STANDARD SRAM, 64KX16 | на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | на замовлення 5939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA T/R | на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXI | Infineon Technologies | SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM | на замовлення 417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: SOJ44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: tube Supply voltage: 3...3.6V DC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

