Продукція > MUR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 56 57 58 59 60 61 62  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MURSD8120A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers SUPER FAST RECTIFIERS 1200V 8A, DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD8120A-TPMicro Computer ControlMURSD8120A-TP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD8120A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+59.75 грн
100+39.75 грн
500+29.24 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD8120A-TPMicro Commercial ComponentsSuper Fast Recovery Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD820A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8.0A 200Vr 140Vrms 200V 100A 1.0Vf
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.87 грн
100+27.34 грн
500+21.12 грн
1000+19.19 грн
2500+17.40 грн
5000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD820A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 200V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD820A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 200V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD840A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD840A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8A/600V FRED Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860A-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860A-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8.0A 600Vr 420Vrms 600V 100A 1.6Vf
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.14 грн
10+43.43 грн
100+29.75 грн
500+23.13 грн
1000+20.99 грн
2500+17.81 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860A-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+43.45 грн
100+30.03 грн
500+22.47 грн
1000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860B-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
10+37.54 грн
100+25.99 грн
500+20.38 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860H-TPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 8A/600V FRED Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURSD860H-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10005GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 50V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10010GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10010RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 200V 50A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT1060FAT_T0_00001PanjitRectifiers PEC/MURT1060FAT/TP//HF/0.05K/ITO-220AB/ER/TO/ER-100FATWH/ER100FATW-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT1060FCT_T0_00001PanjitRectifiers PEC/MURT1060FCT/TP//HF/0.05K/ITO-220AB/ER/TO/ER-100FCTWH/ER100FCTW-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005RGeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40010GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40010GeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40010RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40010RGeneSiC SemiconductorDiode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40020GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40020GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40020RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40020RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40040GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40040GeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40040RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10005.37 грн
10+8562.65 грн
25+8169.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40040RGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40060GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40060GeneSiC SemiconductorRectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40060RGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 56 57 58 59 60 61 62  [ Наступна Сторінка >> ]