Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FFSD0865B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.91 грн
10+329.84 грн
100+239.98 грн
500+213.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10120Aonsemi / FairchildSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10120AON Semiconductor
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+192.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.63 грн
5000+101.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AONN
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 88751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
10+205.38 грн
100+145.41 грн
500+116.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AOn SemiconductorSchottky 650 V 18A (DC) D-PAK (TO-252) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065AonsemiDescription: 650V 10A SIC SBD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BON Semiconductor
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
10+137.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065BON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON Semiconductor
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.70 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD10D470001NSamtecRibbon Cables / IDC Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.48 грн
10+304.56 грн
100+270.42 грн
250+250.31 грн
500+224.95 грн
1000+198.01 грн
2500+193.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorDescription: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE 6
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.48 грн
47+304.56 грн
100+270.42 грн
250+250.31 грн
500+224.95 грн
1000+198.01 грн
2500+193.56 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.26 грн
10+234.91 грн
100+203.21 грн
500+167.56 грн
1000+140.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE DPAK 650V
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorDescription: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE 6
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD2065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.21 грн
500+167.56 грн
1000+140.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH06LDBelden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 06P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120AON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120AON Semiconductor
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120AON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.78 грн
10+416.64 грн
100+347.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F085ON Semiconductor
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F085onsemiSiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.97 грн
30+359.96 грн
120+309.78 грн
510+283.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.87 грн
5+574.68 грн
10+423.49 грн
50+369.84 грн
100+319.80 грн
250+298.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+520.95 грн
100+495.02 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F155onsemiSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.83 грн
10+470.38 грн
100+391.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH10120A-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.66 грн
5+486.08 грн
10+448.69 грн
50+381.92 грн
100+319.80 грн
250+316.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120A-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 16.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120ADN-F155onsemi / FairchildSchottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC SBD 10A
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120ADN-F155onsemiDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.62 грн
10+470.83 грн
100+392.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120ADN-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH10120ADN-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 5 A, 37 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.11 грн
5+385.29 грн
10+357.65 грн
50+305.69 грн
100+259.88 грн
250+255.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120ADN-F155ON Semiconductor
на замовлення 22991 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH10120ADN_F155ON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1065B-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 11.5A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 11.5A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.5A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1065B-F085onsemiDescription: 650V 10A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1065B-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 11.5A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1065B-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11.5A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.77 грн
10+133.82 грн
450+75.68 грн
900+65.55 грн
1350+62.76 грн
2250+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1065B-F155onsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN 1.5
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.2A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.31 грн
10+274.06 грн
30+261.28 грн
120+212.90 грн
270+210.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.81 грн
10+281.24 грн
100+275.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085ONN
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH12LABelden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH12LDBelden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH12MPBelden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH12SBBelden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120AON Semiconductor
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 15A SIC SBD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.16 грн
30+437.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADNonsemi SIC TO247 SBD 15A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155Fairchild SemiconductorDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 18259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+512.09 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155On SemiconductorDIODE ARRAY SIC 1200V 8A TO247-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155onsemiSiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 15A
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+604.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155ON Semiconductor
на замовлення 26300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155ON SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155onsemiDescription: DIODE ARRAY SIC 1200V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.54 грн
10+419.21 грн
450+373.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH15120ADN-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+559.24 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155.ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSH15120ADN-F155. - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 15A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76  Наступна Сторінка >> ]