Продукція > FFS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FFSD0865B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 11.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD10120A | onsemi | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Supplier Device Package: TO-252AA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD10120A | onsemi / Fairchild | Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD10120A | ON Semiconductor | на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSD10120A | onsemi | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Supplier Device Package: TO-252AA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065A | onsemi | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065A | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD | на замовлення 1233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065A | ONN | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSD1065A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065A | onsemi | Description: 650V 10A SIC SBD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065A | onsemi | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 88751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065A | On Semiconductor | Schottky 650 V 18A (DC) D-PAK (TO-252) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065A | onsemi | Description: 650V 10A SIC SBD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85419000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B | ON Semiconductor | Description: 650V 10A SIC SBD GEN1.5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B | ON Semiconductor | на замовлення 4380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSD1065B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSD1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 13.5 A, 25 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85419000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065B | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 10A | на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B | ON Semiconductor | Description: 650V 10A SIC SBD GEN1.5 | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Description: 650V 10A SIC SBD GEN1.5 | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 2290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5 | на замовлення 2356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Description: 650V 10A SIC SBD GEN1.5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 13.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD10D470001N | Samtec | Ribbon Cables / IDC Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD2065B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD2065B | ON Semiconductor | Description: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE 6 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD2065B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD2065B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSD2065B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD2065B | onsemi | SiC Schottky Diodes SIC DIODE DPAK 650V | на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD2065B | ON Semiconductor | Description: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE 6 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD2065B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 23.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSD2065B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSD2065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 20 A, 51 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH06LD | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A | ON Semiconductor | на замовлення 806 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSH10120A | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A | onsemi | SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 17A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120A-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSH10120A-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes 1200V 10A AUTO SIC SBD | на замовлення 3447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A-F085 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 17A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120A-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSH10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 62nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120A-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120A-F155 | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120A-F155 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 17A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120A-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSH10120A-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 62nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120A-F155 | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 17A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120ADN-F155 | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 16.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120ADN-F155 | onsemi / Fairchild | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC SBD 10A | на замовлення 606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH10120ADN-F155 | onsemi | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120ADN-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSH10120ADN-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 5 A, 37 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 37nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH10120ADN-F155 | ON Semiconductor | на замовлення 22991 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSH10120ADN_F155 | ON Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1065B-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN1.5 | на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1065B-F085 | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 11.5A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Max. forward voltage: 1.7V Load current: 11.5A Max. off-state voltage: 650V Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 11.5A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1065B-F085 | onsemi | Description: 650V 10A SIC SBD GEN1.5 | на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1065B-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 11.5A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1065B-F155 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 11.5A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH1065B-F155 | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD GEN 1.5 | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 7.2A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD GEN1.5 | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | ONN | на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSH1265BDN-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH12LA | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH12LD | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH12MP | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH12SB | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables FX UHD FRAME OS2 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120A | ON Semiconductor | на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSH15120A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120A | onsemi | SiC Schottky Diodes 1200V 15A SIC SBD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1200V 26A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH15120A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120ADN | onsemi | SIC TO247 SBD 15A 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 8A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 18259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | On Semiconductor | DIODE ARRAY SIC 1200V 8A TO247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | onsemi | SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 15A | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | ON Semiconductor | на замовлення 26300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | ON Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | onsemi | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSH15120ADN-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FFSH15120ADN-F155. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSH15120ADN-F155. - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 15A, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 55nC Diodenmontage: Through Hole hazardous: false Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pin Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

