Продукція > RS7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RS73G2BTTD9101CKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS73G2BTTD9103FKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS73G2BTTD9530DKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS73G2BTTD9761DKOA SpeerThick Film Resistors - SMD High Precision Flat Chip Resistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS74AHCT74N
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS75TIMCODescription: TIMCO - RS75 - REPAIR SPIKE - BOLT RED - 75MM
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Größe (mm): 75mm
euEccn: NLR
Gehäuselänge: 450mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Timco - Repair Spikes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS75GTIMCODescription: TIMCO - RS75G - REPAIR SPIKE - BOLT HDG - 75MM
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Größe (mm): 75mm
euEccn: NLR
Gehäuselänge: 450mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Timco - Repair Spikes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7711-P
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7802-001
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7812
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
rs78L05
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7E200BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7E200BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 30V 390A
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7E200BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7G200CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS7G200CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 640 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 216W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7G200CGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 40V 410A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS7G200CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 40V 445A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS7L200CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 275A, DFN5060-8S, POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS7L200CGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 275A, DFN5060-8S, Power MOSFET : RS7L200CG is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7L200CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 275A, DFN5060-8S, POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7L200CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 270A, DFN5060-8S, POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7L200CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 270A, DFN5060-8S, Power MOSFET : RS7L200CH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7L200CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 270A, DFN5060-8S, POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 80V 160A
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N160BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
10+216.25 грн
50+168.71 грн
100+143.96 грн
500+125.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN5060 N-CH 80V 230A
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7N200BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P150BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN 100V 150A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.42 грн
10+228.85 грн
100+163.09 грн
500+135.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1ROHMDescription: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN 100V 200A N-CH
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS7R125CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN 150V 125A N-CH
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70