Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2/0.3W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2/0.3W Case: SC75; SOT416 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 6032 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 41481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN | на замовлення 57950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | On Semiconductor | TRANS NPN LP 100MA 45V SC75 SOT-416 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 48775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 18858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 119969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BJT NPN 45V 100MA GPT | на замовлення 8611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | у наявності 1405 шт: | Мінімальне замовлення: 74 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1924 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 468 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | у наявності 2750 шт: | Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 45V 100mA, General Purpose Amplification Transistor | на замовлення 6099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV | NXP | TBC847bv кількість в упаковці: 4000 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC847BV/SOT666/SOT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 0.2A | на замовлення 8019 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 | на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC847BV/SOT666/SOT6 | на замовлення 17179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 | на замовлення 18709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 45V 150mW | на замовлення 4903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 | на замовлення 90415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC847BV-TP - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Frequency: 100MHz | на замовлення 439 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 100mA 40V | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BV115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC847BV - SMALL SIG Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 3703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC847BVC-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC847BVC-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BVCQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BVCQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT563 T&R 3K | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVCQ-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN | PHI | на замовлення 116000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC847BVN T/R | PHI | SOT-666 | на замовлення 56000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | NEXPERIA | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 0.2A Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 2435 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC847BVN/SOT666/SOT6 | на замовлення 12109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | NXP | NPN, Uкэ=45V, Iк=0.1A, h21=200...400, 0.2Вт, 100МГц, SOT-666 Транзистори | на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 150mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1794000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1206000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1647000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1701000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1377000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1863000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 15008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847BVN-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1602000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

