Продукція > SMM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SMMBFJ175LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
24+12.83 грн
27+11.35 грн
100+9.15 грн
250+8.43 грн
500+8.00 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ175LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ175LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET PCH 30
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
10+33.01 грн
100+18.88 грн
500+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ175LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1onsemiDescription: JFET P-CH SOT23
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.89 грн
49+15.40 грн
50+15.24 грн
100+12.28 грн
250+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
On-state resistance: 300Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
24+12.83 грн
27+11.35 грн
100+9.15 грн
250+8.43 грн
500+8.00 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.62 грн
500+9.21 грн
1500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET XSTR SPCL
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
13+26.04 грн
100+15.82 грн
500+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.94 грн
646+21.90 грн
684+20.70 грн
831+16.42 грн
1150+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GON Semiconductor
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.56 грн
63+12.92 грн
100+11.62 грн
500+9.21 грн
1500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.18 грн
6000+12.13 грн
9000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ309LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
24+12.83 грн
27+11.41 грн
100+9.19 грн
250+8.47 грн
500+8.03 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ309LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ309LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
6000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ309LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET NCH 25V TR
на замовлення 32475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.24 грн
27+12.10 грн
100+8.36 грн
500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1onsemiDescription: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+11.17 грн
31+9.87 грн
100+7.94 грн
250+7.31 грн
500+6.92 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.19 грн
500+8.08 грн
1000+7.11 грн
5000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1GonsemiJFETs SS JFET XSTR SPCL
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.48 грн
31+10.58 грн
100+7.25 грн
500+6.90 грн
1000+6.55 грн
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1G
Код товару: 149315
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1GON Semiconductor
на замовлення 17930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.43 грн
70+11.62 грн
100+9.19 грн
500+8.08 грн
1000+7.11 грн
5000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT3onsemiDescription: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT3GonsemiJFETs SS JFET XSTR SPCL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
6+62.91 грн
10+42.63 грн
100+15.19 грн
500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT3GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT3GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT3GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBJ36AGS/Gener
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1
на замовлення 51772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.26 грн
72+11.30 грн
118+6.91 грн
500+4.55 грн
1500+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+3.08 грн
9000+2.91 грн
27000+2.79 грн
51000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4673+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 4673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.47 грн
6000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2096800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11858+2.98 грн
100000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.07 грн
6000+3.05 грн
9000+2.86 грн
24000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.30 грн
118+6.91 грн
500+4.55 грн
1500+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.71 грн
39+8.25 грн
100+4.53 грн
500+3.34 грн
1000+3.27 грн
3000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4602+3.07 грн
6000+3.05 грн
9000+2.86 грн
24000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 4602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT3GOn SemiconductorTRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 14510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.98 грн
39+8.25 грн
100+4.46 грн
500+3.20 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
2000+2.53 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222AWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.45 грн
100+7.81 грн
500+5.41 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222AWT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 40V
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.20 грн
20+16.18 грн
100+8.85 грн
500+5.92 грн
1000+5.64 грн
3000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222AWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222AWT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.18 грн
9000+4.90 грн
15000+4.31 грн
21000+4.13 грн
30000+3.96 грн
75000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.94 грн
47+17.64 грн
100+11.14 грн
500+7.08 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 15V
на замовлення 10725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.08 грн
18+18.27 грн
100+10.03 грн
500+7.52 грн
1000+6.62 грн
3000+5.23 грн
6000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GON Semiconductor
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
на замовлення 115554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.30 грн
100+10.26 грн
500+7.17 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.51 грн
1500+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL COMMON CATHODE
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369LT1GONN
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 61327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+3.08 грн
4644+3.05 грн
6494+2.18 грн
7693+1.77 грн
9000+1.62 грн
24000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2773+5.10 грн
2858+4.95 грн
5000+4.82 грн
10000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 2773 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 41996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11858+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 61327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+8.25 грн
123+6.14 грн
180+4.20 грн
500+2.97 грн
1000+2.72 грн
3000+1.87 грн
6000+1.58 грн
9000+1.56 грн
24000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6356+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 6356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2101+6.73 грн
2125+6.66 грн
2149+6.58 грн
3100+4.40 грн
3938+3.21 грн
6000+2.71 грн
15000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 2101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 33980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.87 грн
46+7.05 грн
100+3.76 грн
500+3.00 грн
1000+2.65 грн
3000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4644+3.05 грн
9000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 4644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
6000+2.70 грн
9000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GOn SemiconductorTRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
на замовлення 10484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
81+5.20 грн
112+3.76 грн
126+3.33 грн
500+2.61 грн
1000+2.25 грн
1500+2.07 грн
3000+1.82 грн
6000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.95 грн
111+7.38 грн
158+5.15 грн
500+4.20 грн
1500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91  [ Наступна Сторінка >> ]