Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC847CDLP-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDLP-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847CDW1T1 - TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDW1T1 | onsemi | Description: TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 7747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA45V Dual NPN | на замовлення 13893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | On Semiconductor | NPN Duals, Uce=45V, Ic=0.1A, -55...+150, SOT-363 Транзистори | на замовлення 200 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 7747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, universell, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 2568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 7747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G Код товару: 115675
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 7747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847CDW1T1G TBC847cdw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1225 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 6303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 298 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, universell, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 2568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDW1T1H | onsemi | Description: SS SC88 GP XSTR NPN 45V Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDW1T1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 7620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 316 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 4525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 7620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT563 GP XSTR NP | на замовлення 2000 шт: термін постачання 208-217 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1H | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1H | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T1H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SS SOT563 GP XSTR NP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 7755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T5 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 7755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847CDXV6T5 - BC847CDXV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7755 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CE6327 | Infineon | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327 INF TBC847c inf кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 92493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BC847CE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 72440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 71436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 Код товару: 190245
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 595059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 80262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BC847CE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 72440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC847CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

