Продукція > B1M
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR | B1M080120HC THT N channel transistors | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||
B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 241W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||
B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 241W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
B1M1774404EB4230FP | Corning | Corning 4 PORT 4 SCAPC 230FT SST FLAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
B1MF | DC COMPONENTS | B1MF-DC SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. | на замовлення 10364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|