Продукція > B1M
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||
| B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||
| B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-4 | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| B1M1774404EB4230FP | Corning | Corning 4 PORT 4 SCAPC 230FT SST FLAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| B1MF | DC COMPONENTS | B1MF-DC SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. | на замовлення 10364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|