Продукція > B1M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
B1M080120HCBASiC SEMICONDUCTORB1M080120HC THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1323.42 грн
3+1251.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HKBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 149nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1529.13 грн
5+1277.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M080120HKBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 149nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1834.96 грн
5+1592.48 грн
30+1354.40 грн
150+1282.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
B1M1774404EB4230FPCorningCorning 4 PORT 4 SCAPC 230FT SST FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B1MFDC COMPONENTSB1MF-DC SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.05 грн
356+3.21 грн
979+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.