Продукція > B1M
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 80mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 241W Gate charge: 149nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 80mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 241W Gate charge: 149nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 149nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1M1774404EB4230FP | Corning | Corning 4 PORT 4 SCAPC 230FT SST FLAT | товар відсутній | |||||||||||
| B1MF | DC COMPONENTS | Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 35A; MBFL; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Features of semiconductor devices: glass passivated Case: MBFL Max. forward impulse current: 35A Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 13295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1MF | DC COMPONENTS | Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1A; Ifsm: 35A; MBFL; SMT Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Features of semiconductor devices: glass passivated Case: MBFL Max. forward impulse current: 35A Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape | на замовлення 13295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|