Продукція > BYM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYM-001T-0.6 | J.S.T. Deutschland GmbH | Crimp contact SM PIN AWG28-22 tin, bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM-001T-P0.6 | JST Sales America Inc. | Description: SM CONTACT (SYM) Packaging: Bulk Contact Finish: Tin Contact Termination: Crimp Type: Stamped Pin or Socket: Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM-001T-P0.6 | JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS | Description: JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS - BYM-001T-P0.6 - Kontakt, Stiftkontakt, Crimpanschluss, 22 AWG, Verzinnte Kontakte, Steckverbinder der Baureihe SM tariffCode: 85369010 rohsCompliant: YES Zur Verwendung mit: Steckverbinder der Baureihe SM Kontaktüberzug: Verzinnte Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktausführung: Stiftkontakt Kontaktmaterial: Phosphorbronze usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 22AWG euEccn: NLR Leiterstärke (AWG), min.: 28AWG Produktpalette: - productTraceability: No Kontaktanschluss: Crimpanschluss SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 175523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM-001T-P0.6 | JST Commercial | Terminals SM CONTACT (SYM) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM-41T-P0.5A | JST Commercial | Terminals YL PIN CONTACT (SYM) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-100 | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM07-100-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 0.5A 50ns 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-100-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 8215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-100-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-100-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-100-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt | на замовлення 10728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-100-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 1024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-100-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-100HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-100HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-100HE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 0.5A,100V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,100V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150 | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM07-150-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-150HE3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150HE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150HE3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 0.5A 50ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-150HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE 150V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200 | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated | на замовлення 5100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 50ns 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 50ns 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM07-200-E3/98 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Superectifier, 200 V, 500 mA, Einfach, 1.25 V, 50 ns, 10 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AA Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt | на замовлення 17054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM07-200-E3/98 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Superectifier, 200 V, 500 mA, Einfach, 1.25 V, 50 ns, 10 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AA Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | VISHAY | BYM07-200-E3/98 SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200-E3/98 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200/32 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200HE3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 50ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,200V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-200HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,200V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-300 | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM07-300-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 0.5A 50ns 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-300-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-300-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 300V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-300-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5 Amp 300 Volt | на замовлення 4463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-300-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 300V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-300-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 300V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | на замовлення 7227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-300HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-300HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-300HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,300V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,300V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400 | GSI | 03+ SOD34 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400 | VISHAY | 08+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/83 | VISHAY | BYM07-400-E3/83 SMD universal diodes | на замовлення 6615 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/83 | Vishay | Diode Switching 400V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated | на замовлення 8318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/98 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM07-400-E3/98 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 500 mA, Einfach, 1.35 V, 50 ns, 10 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AA Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/98 | Vishay | Diode Switching 400V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 4752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt | на замовлення 13834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/98 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM07-400-E3/98 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 500 mA, Einfach, 1.35 V, 50 ns, 10 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AA Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM07-400HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,400V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,400V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-400HE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 0.5A,400V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50 | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM07-50-E3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,50V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM07-50HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 0.5A,50V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100 | GS | 1A | на замовлення 220000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100 (DO-213AB, Vishay) Код товару: 116235
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; DO213AB,MELF plastic; Ufmax: 1.1V Case: DO213AB; MELF plastic Mounting: SMD Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 8pF Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 100V Quantity in set/package: 1500pcs. Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-100-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 14267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-100-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 21079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; DO213AB,MELF plastic; Ufmax: 1.1V Case: DO213AB; MELF plastic Mounting: SMD Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 8pF Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 100V Quantity in set/package: 1500pcs. Kind of package: 7 inch reel | на замовлення 4442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/96 діод Код товару: 182803
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 36583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 11972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-100/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,100V,STD.SUPERECT.MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000 (DO-213AB, Vishay) Код товару: 155473
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-213AB Uзвор., V: 1000 V Iвипр., A: 1 A Монтаж: SMD Падіння напруги Vf: 1,2 V | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 38495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-1000-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SUPERECTIFIER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 73472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | VISHAY | BYM10-1000-E3/96 SMD universal diodes | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-1000-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SUPERECTIFIER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-1000-E3/97 - Diode mit Standard-Erholzeit, SUPERECTIFIER, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | VISHAY | BYM10-1000-E3/97 SMD universal diodes | на замовлення 9250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-1000-E3/97 - Diode mit Standard-Erholzeit, SUPERECTIFIER, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 10108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 6151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000/25 | VISHAY | на замовлення 6340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (MELF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3_A/H | Vishay | Diode 1KV 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-1000HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (MELF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200 | на замовлення 8558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM10-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200-81HE3/97 | Vishay | 1A,200V,STD.SUPERECT.MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | VISHAY | BYM10-200-E3/96 SMD universal diodes | на замовлення 2005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 39258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 19820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-200HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400 | GS | 1A | на замовлення 36500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/76 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | VISHAY | BYM10-400-E3/96 SMD universal diodes | на замовлення 2293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 36372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-400-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-400-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | на замовлення 10713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-400-E3/97 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | VISHAY | BYM10-400-E3/97 SMD universal diodes | на замовлення 3330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-400-E3/97 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-400-E3/97-RP100*3902200 | Vishay | BYM10-400-E3/97-RP100/091873 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400-E396 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM10-400/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400HE3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-400HE3_A/H | Vishay | Rectifiers 1A,400V,MELF,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50 | VISHAY | 09+ TSSOP14 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 4675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-50-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 7384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | VISHAY | BYM10-50-E3/96 SMD universal diodes | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-50-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 2512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 7611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 14954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50/26 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM10-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-50HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600 | GS | LL34 1W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600 | DIODS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM10-600 LL34 1W | GS | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-600-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 6370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB,MELF plastic; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Features of semiconductor devices: glass passivated Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Capacitance: 8pF Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Max. forward voltage: 1.1V Max. off-state voltage: 0.6kV Quantity in set/package: 1500pcs. Kind of package: 7 inch reel Case: DO213AB; MELF plastic | на замовлення 5110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB,MELF plastic; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Features of semiconductor devices: glass passivated Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Capacitance: 8pF Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Max. forward voltage: 1.1V Max. off-state voltage: 0.6kV Quantity in set/package: 1500pcs. Kind of package: 7 inch reel Case: DO213AB; MELF plastic кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 16398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 4771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-600-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | VISHAY | BYM10-600-E3/97 SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 6580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600HE3_A/H | Vishay | Rectifiers 1A,600V,MELF,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-600LL341W | GS | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM10-800 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM10-800 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 Код товару: 67584
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 830mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 30335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM10-800-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 830 mV, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 830mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/96 | VISHAY | BYM10-800-E3/96 SMD universal diodes | на замовлення 2722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 9738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 10974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM10-800-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM10-800HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | VISHAY | BYM11-100-E3/96 SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt | на замовлення 8465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 28798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/97 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000 | VISHAY | 1A | на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM11-1000-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt | на замовлення 8555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 Код товару: 118159
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 5229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM11-1000-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | VISHAY | BYM11-1000-E3/96 SMD universal diodes | на замовлення 2981 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated | на замовлення 12860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3-B/H | Vishay | Vishay 1A 1000V 500NS SUPERECT MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3_A/H | Vishay | 1A,1000V,500NS,SUPERECT MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-1000HE3_A/I | Vishay | 1A,1000V,500NS,SUPERECT MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-100HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 2784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | на замовлення 14265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 2784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/97 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | на замовлення 13458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-200-E3/97 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-200HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400 | GS | 1A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/76 | VISHAY | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.3V Case: DO213AB; GL41 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 15pF Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Quantity in set/package: 1500pcs. Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.4kV Kind of package: 7 inch reel | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM11-400-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Superectifier, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt | на замовлення 9295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.3V Case: DO213AB; GL41 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 15pF Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Quantity in set/package: 1500pcs. Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.4kV Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM11-400-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Superectifier, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | на замовлення 16246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | VISHAY | BYM11-400-E3/97 SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-400HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400HE3/96 | VISHAY | BYM11-400HE3/96 SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-400HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 50 Volt | на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | на замовлення 3719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.3V Case: DO213AB; GL41 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Quantity in set/package: 1500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 Код товару: 159925
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 7744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.3V Case: DO213AB; GL41 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Quantity in set/package: 5000pcs. кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.3V Case: DO213AB; GL41 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Quantity in set/package: 5000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated | на замовлення 10728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 2613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt | на замовлення 4579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3-B/H | Vishay | Vishay 1A 800V 500NS SUPERECT MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,800V,500NS, GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/H | Vishay | 1A,800V,500NS,SUPERECT MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,800V,500NS, GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/I | Vishay | 1A,800V,500NS,SUPERECT MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_B/H | Vishay | Surface-Mount Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 40500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 43220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3-B/I | Vishay | Vishay 1A,100V,50NS,UF SURPERECT,MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/96 | Vishay | Diode Switching 150V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150/26 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS,UF SURPERECT,MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150/26 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,150V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,150V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200 | TSC | DO-213AB | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/76 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYM12-200-E3/97 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/76 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM12-200-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYM12 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 20245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; DO213AB,GL41; Ufmax: 1V Case: DO213AB; GL41 Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Capacitance: 20pF Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 200V Quantity in set/package: 1500pcs. Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1256 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM12-200-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYM12 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200V 50ns | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; DO213AB,GL41; Ufmax: 1V Case: DO213AB; GL41 Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Capacitance: 20pF Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 200V Quantity in set/package: 1500pcs. Kind of package: 7 inch reel | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | VISHAY | BYM12-200-E3/97 SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 4968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200/46 | VISHAY | D0213AB | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,300V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,300V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400 | GSI | 00+ | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400 | VISHAY | SOD-87 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400 | GSI | 09+ | на замовлення 1518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/76 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 400V 50ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/76 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод SMD; Ur, В = 400; Io, А = 1; If, A = 1; Uf (max), В = 1,25; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 400; trr, нс = 50; С, пФ @ Ur, В; F, МГц = 14 @ 4; 1; Тексп, °С = -65...+175; Темп.опір,°C/Вт = 60; Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500; DO | на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM12-400-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Superectifier, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | VISHAY | BYM12-400-E3/96 SMD universal diodes | на замовлення 1183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 7063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 6695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM12-400-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Superectifier, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: SUPERECTIFIER Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/97 | VISHAY | BYM12-400-E3/97 SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 5004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/97 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 4541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-400/46 | VISHAY | D0213AB | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,400V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,400V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/97 | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50-E3/97 | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,50V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-50HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,50V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 20 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A GL41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V | на замовлення 4230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 20 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20HE3-A/H | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20HE3-A/I | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 20 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 20 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-20HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 16535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/96 | VISHAY | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 30V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/96 | VISHAY | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 30V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V | на замовлення 4246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30-E397 | Vishay | Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30HE3-A/H | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30HE3-A/I | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Schottky 30V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-30HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40 | VISHAY | 09+ SOP20 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | VISHAY | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel | на замовлення 4413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | VISHAY | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4413 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers RECOMMENDED ALT SS14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V | на замовлення 9916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 33861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM13-40-E3/97 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-213AB, 2 Pin(s), 500 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM13-xx productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 7300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 6301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM13-40-E3/97 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-213AB, 2 Pin(s), 500 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYM13-xx productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 7300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V | на замовлення 9327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3-A/H | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3-A/I | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V | на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers | на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3_A/H | Vishay | Surface Mount Schottky Barrier Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-40HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers RECOMMENDED ALT SS15 | на замовлення 7031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A GL41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/97 | VISHAY | BYM13-50-E3/97 SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 50V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 50 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50HE3-A/H | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50HE3-A/I | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 50 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 50 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-50HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 60V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM13-60-E3/96 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-213AB, 2 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Schottky 60V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | VISHAY | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1641 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | Vishay | Diode Schottky 60V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V | на замовлення 16319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM13-60-E3/96 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-213AB, 2 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | VISHAY | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V Type of diode: Schottky rectifying Case: DO213AB; GL41; MELF plastic Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 7 inch reel | на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 9324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (GL41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 4724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/97 | Vishay | Diode Schottky 60V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60HE3-A/H | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60HE3-A/I | Vishay | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60HE3/97 | Vishay | Rectifier Diode Schottky 60V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM13-60HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM200B170DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 187 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM200B170DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM26A | на замовлення 10110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM26A Код товару: 51605
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM26B,133 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM26C | NXP | 2010+ | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM26C Код товару: 33842
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM26C | PHILIPS | на замовлення 2392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM26C,113 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 2.3A 30ns 2-Pin GALF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM26C,133 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 2.3A 30ns 2-Pin GALF Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM26D | на замовлення 13805 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM26E | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM26E Код товару: 118694
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM300A120DN2 | EUPEC | A4-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300A120DN2 | SEIMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300A120DN2 | EUPEC | 300A/1200V/DIODE/1U | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300A120DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 300A F/DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300A120DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300A120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1000W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300A120DN2HOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BYM300A120DN2HOSA1 - BYM300A120DN2 - MEDIUM POWER 62MM tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM300A170DN2 | SEIMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300A170DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300B170DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 187 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300B170DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 300A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300B170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM300B170DN2HOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BYM300B170DN2HOSA1 - BYM300B - MEDIUM POWER 62MM tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM300B170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM300GB170DN2 | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM357DX | на замовлення 8447 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM357X | PHI | 00+ TO-220 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM357X,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARR GP 1500V 15.7A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15.7A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 6.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM358DX | PHL | D/C0205 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM358X,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARRAY GP 600V 70A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 170 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM359X-1500 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM359X-1500,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARRAY GP 800V 8A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36A | на замовлення 5319 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM36A-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36A-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36A-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36B | на замовлення 5608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM36B-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 100ns 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36B-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36B-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36B-TAP | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM36B-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36C | на замовлення 8486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM36C-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM | на замовлення 9180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36C-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36D | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM36D-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2.9A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.9A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36D-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36E | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM36E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.9A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 2.9A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36E-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2.9A 150ns 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36E-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Case: SOD64 Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 0.1mA Load current: 2.9A Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 65A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2386 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36E-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Case: SOD64 Reverse recovery time: 150ns Leakage current: 0.1mA Load current: 2.9A Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 65A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36E-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2.9A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.9A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM36E-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36E-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.78 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36E-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2.9A 150ns 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM36G | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM56A диод Код товару: 79536
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BYM56C | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM56E | на замовлення 1880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYM600A17 | SEIMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM600A170DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 600A F/DIODE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM600A170DN2HOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BYM600A170DN2HOSA1 - BYM600A - MEDIUM POWER DIODE MODULE tariffCode: 85411000 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM600A170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600A 1000ns 2-Pin 62MM-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM600A170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600A 1000ns 2-Pin 62MM-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM600A170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1400W MED PWR 62MM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: 150°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Power - Max: 1400 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |