Продукція > CZD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
---|---|---|---|---|
CZD | F&F | CZD Building Automation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
CZDC1622782 | SOP | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
CZDM1003N BK | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
CZDM1003N TR | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
CZDM1003N TR | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 12A | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
CZDM1003N TR | Central Semiconductor Corp | Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |