Продукція > G5S
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| G5S-1-DC5 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S-1ACBV-DC12 | Omron Automation and Safety | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S-1ACF-DC12 | Omron Automation and Safety | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S-1ACFV-DC12 | Omron Automation and Safety | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S-1CF-DC12 | Omron Automation and Safety | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06504AT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06504AT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06504CT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06504CT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06504HT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06504HT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505AT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505AT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505CT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505CT | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505CT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252 Current - Average Rectified (Io): 24A Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505DT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505DT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505HT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06505HT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506AT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506AT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506CT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252 Current - Average Rectified (Io): 24A Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506CT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Supplier Device Package: TO-252 Current - Average Rectified (Io): 24A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506CT | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506DT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506DT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506HT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506HT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506QT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06506QT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06508PT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06508PT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06510AT | Global Power Technology | Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S06510CT | Global Power Technology | Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S06510DT | Global Power Technology | Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S06510HT | Global Power Technology | Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S06510PT | Global Power Technology | Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S06510QT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06510QT | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06510QT | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06520AT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 68.8A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1600pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 68.8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S06520AT | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 68.8A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1600pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 68.8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12002A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12002A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12002C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12002C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12008A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12008A | Global Power Technology Co., Ltd. | DIODE 1200V 8A TO-220AC Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12008A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12008A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12008D | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 26.1A TO263 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263 Current - Average Rectified (Io): 26.1A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12008D | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 26.1A TO263 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Box (TB) Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263 Current - Average Rectified (Io): 26.1A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12010BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12010BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12010C | Global Power Technology Co., Ltd. | DIODE SCHTKY 1200V 32.4A PGTO252-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12010C | Global Power Technology | G5S12010C | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S12010M | Global Power Technology | G5S12010M | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S12010PM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12010PM | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12010PM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12016BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12016BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12020BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12020BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12020PMT | Global Power Technology | G5S12020PMT | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5S12030BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12030BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12040B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12040B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12040BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 62A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S12040BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 62A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S6506Z | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5S6506Z | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC12 | Omron | Power Relay 12VDC 5A SPDT(20x10x15.5)mm THT | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| G5SB-1 DC12 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 12V Operating Temperature: -40°C ~ 70°C Coil Voltage: 12VDC Mounting Type: Through Hole Packaging: Tray Load - Max Switching: 1250VA, 150W Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE Contact Form: SPDT (1 Form C) Contact Material: Silver Alloy Seal Rating: Sealed - Flux Protection Coil Type: Non Latching Coil Current: 33.3 mA Relay Type: General Purpose Termination Style: PC Pin Part Status: Obsolete Release Time: 5 ms Operate Time: 10 ms Must Operate Voltage: 9 VDC Must Release Voltage: 0.6 VDC Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max Contact Rating (Current): 5 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC12 | Omron | PCB 5A SPDT (1 Form C) 12VDC Реле електромеханічні та геркони | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC12 BY OMI | Omron Electronics | Omron | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC24 | Omron Electronics | General Purpose Relays SPDT 5A 16.7mA 24VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC24 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 24V Coil Voltage: 24VDC Mounting Type: Through Hole Packaging: Tray Load - Max Switching: 1250VA, 150W Release Time: 5 ms Operate Time: 10 ms Must Operate Voltage: 18 VDC Must Release Voltage: 1.2 VDC Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max Contact Rating (Current): 5 A Contact Form: SPDT (1 Form C) Contact Material: Silver Alloy Seal Rating: Sealed - Flux Protection Coil Type: Non Latching Coil Current: 16.7 mA Relay Type: General Purpose Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE Termination Style: PC Pin Operating Temperature: -40°C ~ 70°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC48 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 48V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC5 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC5 | Omron Electronics | General Purpose Relays Power PCB Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC5 BY OMI | Omron Electronics | Omron | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC9 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 9V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1 DC9 BY OMI | Omron Electronics | Omron | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1-DC5 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: G5SB-1-DC5 | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-1-DC5 | Omron | Power Relay Over 2A | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 12DC | Omron Electronics | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 12VDC | OMRON | 12V; 5A; 400mW; SPDT; 20,3 x 10,3 x 15,8mm Through Hole G5SB-14-12 power relay P G5SB-14-12DC кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||
| G5SB-14 12VDC Код товару: 171832
Додати до обраних
Обраний товар
| Реле | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||
| G5SB-14 24DC | Omron Electronics | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 48DC | Omron Electronics | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 5DC | Omron Electronics | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 9DC | Omron Electronics | General Purpose Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 DC12 | Omron Electronics Inc-EMC Div | Description: RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 12V Load - Max Switching: 1250VA, 150W Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE Part Status: Obsolete Release Time: 5 ms Operate Time: 10 ms Must Operate Voltage: 9 VDC Must Release Voltage: 0.6 VDC Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max Contact Rating (Current): 5 A Contact Form: SPDT (1 Form C) Contact Material: Silver Alloy Seal Rating: Sealed - Fully Coil Type: Non Latching Coil Current: 33.3 mA Relay Type: General Purpose Termination Style: PC Pin Operating Temperature: -40°C ~ 70°C Coil Voltage: 12VDC Mounting Type: Through Hole Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 DC12 BY OMI | Omron Electronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 DC12 BY OMI (N) | Omron Electronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 DC12 BY OMI/U | Omron Electronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| G5SB-14 DC18 | Omron Electronics | General Purpose Relays Power PCB Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]

