Продукція > IPT

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0001G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R-A

Description: SENSOR 5PSID 0.26" 24BIT
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: ±5PSI (±34.47kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube, Dual
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: ±15PSI (±103.42kPa)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 10PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT0020D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03L

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	348.63 грн
10+	272.49 грн
100+	191.67 грн
500+	170.54 грн
1000+	146.39 грн
2000+	137.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	264.09 грн
100+	196.42 грн
500+	190.94 грн
1000+	160.60 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 3797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.29 грн
10+	228.43 грн
100+	171.30 грн
500+	154.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	338.60 грн
10+	266.65 грн
100+	199.78 грн
500+	170.57 грн
1000+	141.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	312.28 грн
51+	242.98 грн
100+	234.01 грн
200+	198.67 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	332.78 грн
10+	258.60 грн
100+	168.28 грн
500+	162.24 грн
2000+	137.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	160.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	140.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	183.12 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

на замовлення 9947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	199.78 грн
500+	170.57 грн
1000+	141.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	171.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSIA ABS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N
Код товару: 193411

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.26 грн
10+	400.05 грн
25+	310.14 грн
100+	271.66 грн
250+	248.26 грн
500+	244.49 грн
2000+	218.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	236.70 грн
4000+	236.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 13453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.89 грн
10+	310.88 грн
100+	245.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	256.84 грн
4000+	255.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	480.82 грн
50+	340.30 грн
100+	285.27 грн
500+	253.89 грн
1000+	225.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	502.67 грн
36+	344.00 грн
100+	260.32 грн
250+	238.49 грн
500+	222.80 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	208.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	486.85 грн
10+	355.80 грн
25+	298.82 грн
100+	242.98 грн
250+	236.95 грн
500+	218.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	538.57 грн
10+	373.99 грн
25+	368.57 грн
100+	278.92 грн
250+	255.53 грн
500+	238.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	435.40 грн
40+	312.28 грн
50+	295.98 грн
100+	270.47 грн
500+	248.98 грн
1000+	217.35 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm

на замовлення 12683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	382.62 грн
100+	330.99 грн
500+	287.69 грн
1000+	239.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	399.55 грн
100+	292.05 грн
500+	237.39 грн
1000+	214.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	624.18 грн
10+	426.09 грн
25+	353.91 грн
100+	283.73 грн
250+	275.43 грн
500+	258.07 грн
2000+	235.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

на замовлення 1327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	567.31 грн
10+	371.01 грн
100+	271.17 грн
500+	222.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	581.55 грн
10+	399.55 грн
100+	292.05 грн
500+	237.39 грн
1000+	214.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	537.11 грн
10+	358.44 грн
100+	266.34 грн
500+	223.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	563.44 грн
10+	385.30 грн
100+	249.02 грн
500+	236.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 56000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	394.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	595.07 грн
10+	405.29 грн
100+	298.04 грн
500+	263.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

SP005560711

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	566.32 грн
5+	485.05 грн
10+	402.94 грн
50+	329.35 грн
100+	262.66 грн
250+	257.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	735.86 грн
20+	630.88 грн
50+	559.54 грн
100+	507.12 грн
200+	442.26 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	647.95 грн
10+	452.12 грн
25+	387.11 грн
100+	289.01 грн
2000+	267.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	542.61 грн
10+	445.27 грн
25+	407.17 грн
100+	342.72 грн
500+	240.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	515.89 грн
10+	334.86 грн
100+	243.19 грн
500+	195.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	461.31 грн
10+	321.08 грн
25+	278.45 грн
100+	209.03 грн
250+	208.27 грн
500+	198.46 грн
1000+	132.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	445.27 грн
25+	407.17 грн
100+	342.72 грн
500+	240.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

на замовлення 40050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	235.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	347.92 грн
500+	303.41 грн
1000+	251.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	818.16 грн
21+	596.72 грн
50+	529.14 грн
100+	479.17 грн
200+	418.62 грн
500+	374.25 грн
1000+	351.08 грн
2000+	350.19 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	241.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	541.77 грн
50+	383.47 грн
100+	315.75 грн
500+	273.54 грн
1000+	247.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.40 грн
10+	329.90 грн
100+	277.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	509.74 грн
10+	361.00 грн
100+	261.09 грн
500+	260.34 грн
1000+	232.42 грн
2000+	221.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	161.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.78 грн
10+	311.54 грн
100+	196.20 грн
500+	164.50 грн
1800+	159.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	184.02 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	443.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.00 грн
10+	270.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	478.34 грн
10+	355.29 грн
100+	273.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	420.72 грн
100+	325.06 грн
500+	280.62 грн
1000+	253.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.31 грн
10+	420.72 грн
100+	325.06 грн
500+	280.62 грн
1000+	253.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	525.58 грн
10+	400.92 грн
100+	268.64 грн
500+	250.53 грн
2000+	228.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	539.23 грн
10+	399.55 грн
100+	323.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	526.50 грн
10+	342.09 грн
100+	248.78 грн
500+	200.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.13 грн
10+	360.14 грн
25+	303.35 грн
100+	232.42 грн
250+	231.66 грн
500+	205.25 грн
1000+	204.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	574.00 грн
10+	392.24 грн
100+	253.55 грн
500+	242.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	384.32 грн
100+	286.12 грн
500+	243.67 грн
1000+	220.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 1121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	550.17 грн
10+	359.22 грн
100+	262.75 грн
500+	215.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	554.47 грн
10+	384.32 грн
100+	286.12 грн
500+	243.67 грн
1000+	220.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	598.23 грн
25+	572.53 грн
50+	550.72 грн
100+	513.03 грн
250+	460.62 грн
500+	430.16 грн
1000+	419.64 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	386.48 грн
43+	286.19 грн
50+	269.07 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	145.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8

на замовлення 3348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	343.35 грн
10+	253.40 грн
25+	201.48 грн
100+	172.05 грн
250+	169.03 грн
500+	153.94 грн
1000+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	242.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	278.50 грн
100+	219.25 грн
500+	172.93 грн
1000+	154.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	265.57 грн
10+	242.86 грн
25+	194.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	269.23 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 12202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	332.23 грн
10+	237.70 грн
100+	180.05 грн
500+	160.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

на замовлення 9721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.01 грн
10+	278.50 грн
100+	219.25 грн
500+	172.93 грн
1000+	154.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 9273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	210.97 грн
500+	199.76 грн
1000+	188.55 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	143.50 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	171.00 грн
500+	153.28 грн
1000+	116.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	169.19 грн
500+	162.05 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	197.11 грн

Мінімальне замовлення: 63

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

на замовлення 1608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	335.22 грн
50+	232.79 грн
100+	171.00 грн
500+	153.28 грн
1000+	116.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	139.55 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	316.72 грн
10+	201.39 грн
100+	142.56 грн
500+	123.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	286.51 грн
10+	181.58 грн
100+	127.91 грн
500+	108.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	359.77 грн
100+	291.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.36 грн
10+	196.99 грн
25+	170.54 грн
100+	125.26 грн
500+	113.95 грн
1000+	107.15 грн
1800+	95.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	124.13 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.29 грн
10+	359.77 грн
100+	291.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	511.50 грн
10+	392.24 грн
25+	308.63 грн
100+	272.41 грн
250+	256.57 грн
2000+	217.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	623.64 грн
10+	407.96 грн
100+	299.37 грн
500+	241.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	269.20 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	461.20 грн
10+	297.36 грн
100+	244.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	494.77 грн
10+	342.78 грн
100+	223.36 грн
500+	212.80 грн
2000+	177.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	243.67 грн
500+	192.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	155.40 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.24 грн
10+	259.47 грн
25+	209.78 грн
100+	160.73 грн
250+	159.22 грн
500+	132.81 грн
1000+	127.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	397.86 грн
10+	319.98 грн
25+	291.20 грн
100+	243.67 грн
500+	192.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 3850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.67 грн
10+	266.16 грн
100+	190.42 грн
500+	148.38 грн
1000+	140.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-23SSR

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-8PPHM11F2

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01G10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01J14-12/3S

Circular MIL Spec Connector

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT01QC12-A6PGB39

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	633.87 грн
10+	490.30 грн
25+	384.85 грн
100+	340.33 грн
250+	322.22 грн
2000+	273.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	165.89 грн
77+	159.57 грн
100+	154.16 грн
250+	144.15 грн
500+	129.84 грн
1000+	121.60 грн
2500+	118.91 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	195.54 грн
500+	172.14 грн
1000+	156.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	138.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.36 грн
10+	288.98 грн
25+	246.00 грн
100+	210.53 грн
500+	197.71 грн
1000+	187.90 грн
2000+	144.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	276.44 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	154.37 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	301.69 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

на замовлення 3122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	388.55 грн
10+	273.42 грн
100+	195.54 грн
500+	172.14 грн
1000+	156.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.58 грн
10+	162.85 грн
25+	161.11 грн
100+	153.69 грн
250+	140.75 грн
500+	133.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.41 грн
10+	231.65 грн
100+	194.61 грн
500+	167.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	153.61 грн
81+	151.99 грн
82+	150.37 грн
100+	143.44 грн
250+	131.37 грн
500+	124.73 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	173.53 грн
500+	141.49 грн
1000+	126.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A T/R

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	364.85 грн
50+	244.64 грн
100+	173.53 грн
500+	141.49 грн
1000+	126.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 16982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	377.68 грн
10+	249.93 грн
100+	153.94 грн
500+	135.83 грн
1000+	131.30 грн
2000+	120.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.03 грн
10+	322.36 грн
100+	272.94 грн
500+	231.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	41673.29 грн
2+	36938.58 грн
5+	27505.34 грн
10+	15690.49 грн
25+	14142.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F7

GLENAIR

Description: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
usEccn: EAR99
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
euEccn: NLR
Magnetik: Ohne Magnetik
Produktpalette: IPT
LAN-Kategorie: Cat6
productTraceability: No
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20307.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.11 грн
10+	170.09 грн
100+	104.14 грн
500+	90.55 грн
1800+	75.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	110.05 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.66 грн
10+	317.61 грн
25+	246.76 грн
100+	215.82 грн
250+	196.95 грн
500+	192.42 грн
2000+	162.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	373.04 грн
10+	237.94 грн
100+	169.45 грн
500+	131.60 грн
1000+	122.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	626.42 грн
100+	501.98 грн
500+	444.12 грн
1000+	401.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	765.25 грн
10+	626.42 грн
100+	501.98 грн
500+	444.12 грн
1000+	401.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	721.02 грн
10+	581.42 грн
25+	456.54 грн
100+	405.22 грн
250+	386.36 грн
2000+	329.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 5612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.41 грн
10+	210.42 грн
100+	148.52 грн
500+	114.56 грн
1000+	106.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	160.84 грн
500+	129.70 грн
1000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	114.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 29557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.77 грн
10+	196.12 грн
100+	129.04 грн
500+	116.21 грн
1000+	108.66 грн
2000+	100.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.20 грн
10+	215.01 грн
100+	160.84 грн
500+	129.70 грн
1000+	117.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	152.30 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.16 грн
10+	291.58 грн
100+	206.01 грн
500+	182.61 грн
1000+	178.09 грн
2000+	150.92 грн
4000+	147.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

IPT029N08N5 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	216.95 грн
500+	144.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	397.93 грн
10+	261.21 грн
25+	226.38 грн
100+	162.24 грн
500+	134.32 грн
1000+	132.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	355.53 грн
10+	286.12 грн
25+	259.88 грн
100+	216.95 грн
500+	144.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT02A10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10SF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A14-19SCMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A8-4PF7

Circular MIL Spec Connector REAR BOX MNT FLNG REC PIN BLACK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PCGA76

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PGU01

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41PX

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL10-6S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL12-10SW

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YS14-19SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.03 грн
10+	335.84 грн
25+	281.47 грн
100+	212.04 грн
1000+	206.76 грн
2000+	179.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	270.40 грн
500+	178.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 4968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.51 грн
10+	285.65 грн
100+	207.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	438.49 грн
10+	354.69 грн
25+	323.37 грн
100+	270.40 грн
500+	178.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	175.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.35 грн
10+	191.14 грн
25+	177.08 грн
100+	159.47 грн
250+	145.86 грн
500+	138.38 грн
1000+	136.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 0.0032 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	220.94 грн
500+	188.65 грн
1000+	162.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	211.34 грн
69+	178.32 грн
75+	165.27 грн
100+	148.91 грн
250+	136.21 грн
500+	129.15 грн
1000+	127.55 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 2517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.22 грн
10+	248.19 грн
100+	174.31 грн
500+	155.45 грн
1000+	132.81 грн
2000+	128.28 грн
4000+	125.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 0.0032 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.43 грн
10+	246.33 грн
100+	220.94 грн
500+	188.65 грн
1000+	162.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	578.40 грн
10+	444.31 грн
25+	348.63 грн
100+	307.88 грн
250+	289.77 грн
2000+	246.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	362.43 грн
10+	276.61 грн
100+	223.98 грн
500+	182.45 грн
1000+	180.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	166.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

SP005537494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT03YQC12-A6PF7N405

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

SP001326444

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	240.53 грн
1000+	220.58 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.83 грн
10+	256.02 грн
100+	203.86 грн
500+	158.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	361.46 грн
50+	317.44 грн
100+	272.58 грн
500+	240.53 грн
1000+	220.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

SP005537524

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	155.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	465.72 грн
10+	328.03 грн
100+	224.12 грн
500+	191.67 грн
1000+	171.30 грн
2000+	154.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT047N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.71 грн
10+	192.65 грн
25+	153.18 грн
100+	138.09 грн
250+	131.30 грн
500+	126.77 грн
1000+	123.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.39 грн
10+	310.67 грн
100+	195.44 грн
500+	178.84 грн
1000+	162.99 грн
2000+	159.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	224.33 грн
500+	173.72 грн
1000+	150.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.20 грн
10+	255.39 грн
100+	184.89 грн
500+	154.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	446.96 грн
10+	310.67 грн
100+	224.33 грн
500+	173.72 грн
1000+	150.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	690.13 грн
25+	658.26 грн
50+	631.78 грн
100+	587.74 грн
250+	527.32 грн
500+	492.35 грн
1000+	480.40 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 8213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.03 грн
10+	377.49 грн
25+	309.39 грн
100+	292.03 грн
2000+	279.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	279.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	691.97 грн
10+	477.29 грн
25+	391.64 грн
100+	307.88 грн
500+	303.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	271.11 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	408.50 грн
38+	325.33 грн
50+	317.18 грн
500+	304.27 грн
1000+	252.62 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.06 грн
10+	284.63 грн
100+	243.82 грн
500+	205.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	271.11 грн
500+	259.90 грн
1000+	245.63 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	392.78 грн
10+	320.83 грн
100+	259.88 грн
500+	203.59 грн
1000+	177.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 41330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	271.11 грн
500+	259.90 грн
1000+	245.63 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0618RJ45-3PHMF7

GLENAIR

IPT0618RJ453PH-0 RJ connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	197.24 грн
500+	163.50 грн
1000+	148.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	274.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

на замовлення 3897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	413.94 грн
10+	275.96 грн
100+	197.24 грн
500+	163.50 грн
1000+	148.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	182.45 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	215.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	345.29 грн
10+	221.74 грн
100+	156.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

SP005537534

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.05 грн
10+	240.38 грн
100+	159.98 грн
500+	144.13 грн
1000+	128.28 грн
2000+	120.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 9137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	524.05 грн
10+	371.33 грн
100+	296.55 грн
500+	273.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	274.27 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.10 грн
10+	392.24 грн
25+	335.04 грн
100+	290.52 грн
500+	280.71 грн
2000+	238.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14PN0

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14SPHMN4F2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSRGA13

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-12/3SCB0PG11F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0GF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PCB0PHM11F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PN0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SB0N0F7GA43

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SPG13.5F2N485

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16PPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16SPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-33PCPHM7F2

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SPHM7F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4PN0

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SCN0F7

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SPHM7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10SSR-F7

Circular MIL Spec Connector Straight Plug 10P Size 12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-A6PSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E14-5SSRF8

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E16-8PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector ST PLUG CBL CLAMP W/ BUSHING BLK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4PCB0SRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4SN0F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-10SF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-14SC

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 5015 REVERSE BAYONET CONN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G14-18PCF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-12/3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	50607.31 грн
2+	44858.08 грн
5+	33402.57 грн
10+	19055.28 грн
30+	17174.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-18PF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-23SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-26SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y12-10S

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07YF14-19SF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT08EM14-18SC