Продукція > IPT

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0001G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R-A

Description: SENSOR 5PSID 0.26" 24BIT
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: ±5PSI (±34.47kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube, Dual
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: ±15PSI (±103.42kPa)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 10PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT0020D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03L

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 1597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.98 грн
10+	313.21 грн
25+	242.59 грн
100+	211.34 грн
250+	193.48 грн
500+	183.06 грн
1000+	170.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	316.33 грн
47+	260.53 грн
48+	257.93 грн
100+	240.01 грн
250+	214.17 грн
500+	197.94 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	395.68 грн
10+	307.20 грн
100+	222.05 грн
500+	163.56 грн
1000+	150.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	181.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 3797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.05 грн
10+	225.26 грн
100+	168.92 грн
500+	152.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	293.84 грн
46+	269.44 грн
50+	266.39 грн
100+	236.29 грн
200+	217.88 грн
1000+	195.22 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	167.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	138.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

на замовлення 6124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	193.67 грн
500+	162.01 грн
1000+	146.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	241.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	293.74 грн
10+	241.92 грн
25+	239.51 грн
100+	222.87 грн
250+	198.87 грн
500+	183.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.71 грн
10+	257.58 грн
25+	223.24 грн
100+	171.90 грн
500+	162.97 грн
1000+	159.99 грн
2000+	159.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT0050A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSIA ABS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.14 грн
10+	394.50 грн
25+	305.84 грн
100+	267.89 грн
250+	244.82 грн
500+	241.10 грн
2000+	215.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N
Код товару: 193411

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm

на замовлення 12683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	377.32 грн
100+	326.40 грн
500+	283.70 грн
1000+	236.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	222.06 грн
4000+	220.93 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.09 грн
10+	350.86 грн
25+	294.68 грн
100+	239.61 грн
250+	233.66 грн
500+	215.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	501.46 грн
36+	343.17 грн
100+	259.70 грн
250+	237.92 грн
500+	222.27 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 13453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	429.85 грн
10+	306.57 грн
100+	241.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	482.50 грн
50+	348.93 грн
100+	277.14 грн
500+	221.69 грн
1000+	200.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	465.64 грн
10+	323.34 грн
25+	318.66 грн
100+	241.15 грн
250+	220.93 грн
500+	206.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	434.36 грн
40+	311.53 грн
50+	295.26 грн
100+	269.82 грн
500+	248.38 грн
1000+	216.83 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	205.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	236.13 грн
4000+	235.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	394.85 грн
100+	288.83 грн
500+	227.89 грн
1000+	206.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

на замовлення 1327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	559.45 грн
10+	365.87 грн
100+	267.41 грн
500+	219.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	570.15 грн
10+	394.85 грн
100+	288.83 грн
500+	227.89 грн
1000+	206.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.53 грн
10+	420.18 грн
25+	349.00 грн
100+	279.80 грн
250+	271.61 грн
500+	254.50 грн
2000+	232.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	555.62 грн
10+	379.96 грн
100+	245.57 грн
500+	232.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.66 грн
10+	353.47 грн
100+	262.64 грн
500+	220.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 56000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	393.89 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.81 грн
10+	399.66 грн
100+	293.90 грн
500+	259.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	638.97 грн
10+	445.85 грн
25+	381.74 грн
100+	285.00 грн
2000+	264.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

SP005560711

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	734.09 грн
20+	629.37 грн
50+	558.20 грн
100+	505.91 грн
200+	441.20 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	558.46 грн
5+	478.32 грн
10+	397.35 грн
50+	324.79 грн
100+	259.02 грн
250+	254.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	439.09 грн
25+	401.52 грн
100+	337.96 грн
500+	236.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.92 грн
10+	316.63 грн
25+	274.59 грн
100+	206.13 грн
250+	205.38 грн
500+	195.71 грн
1000+	130.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	535.09 грн
10+	439.09 грн
25+	401.52 грн
100+	337.96 грн
500+	236.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	508.73 грн
10+	330.21 грн
100+	239.82 грн
500+	192.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

на замовлення 40050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	816.19 грн
21+	595.29 грн
50+	527.87 грн
100+	478.02 грн
200+	417.62 грн
500+	373.35 грн
1000+	350.24 грн
2000+	349.35 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	343.09 грн
500+	299.21 грн
1000+	247.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	231.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8

на замовлення 5545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	544.34 грн
10+	385.95 грн
25+	331.14 грн
100+	272.35 грн
250+	265.66 грн
500+	253.75 грн
2000+	241.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

на замовлення 3277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	586.01 грн
50+	406.53 грн
100+	308.03 грн
500+	251.15 грн
1000+	227.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	237.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	445.14 грн
10+	325.33 грн
100+	273.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	385.57 грн
10+	266.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	237.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	454.95 грн
10+	329.73 грн
100+	237.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.05 грн
10+	324.33 грн
100+	204.64 грн
500+	171.15 грн
1800+	165.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	471.70 грн
10+	350.36 грн
100+	269.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	546.94 грн
10+	416.75 грн
100+	279.80 грн
500+	261.19 грн
2000+	238.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	401.52 грн
100+	293.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	520.06 грн
10+	401.52 грн
100+	293.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	485.30 грн
10+	355.14 грн
25+	299.14 грн
100+	229.19 грн
250+	228.45 грн
500+	202.41 грн
1000+	201.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	531.75 грн
10+	394.01 грн
100+	318.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.20 грн
10+	337.34 грн
100+	245.33 грн
500+	197.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	378.99 грн
100+	282.15 грн
500+	240.29 грн
1000+	217.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.04 грн
10+	386.80 грн
100+	250.03 грн
500+	238.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 1121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	542.54 грн
10+	354.24 грн
100+	259.11 грн
500+	212.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.77 грн
10+	378.99 грн
100+	282.15 грн
500+	240.29 грн
1000+	217.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	596.79 грн
25+	571.15 грн
50+	549.39 грн
100+	511.80 грн
250+	459.51 грн
500+	429.13 грн
1000+	418.63 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 9273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	210.47 грн
500+	199.28 грн
1000+	188.10 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	146.76 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	160.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	313.69 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	274.64 грн
100+	216.21 грн
500+	170.53 грн
1000+	152.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	238.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	171.99 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249.40 грн
10+	210.65 грн
25+	168.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8

на замовлення 8479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	383.73 грн
10+	280.69 грн
25+	221.75 грн
100+	191.99 грн
250+	187.52 грн
500+	162.97 грн
1000+	157.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 4095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.13 грн
10+	246.81 грн
100+	203.03 грн
500+	162.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

на замовлення 10157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	380.66 грн
10+	274.64 грн
100+	216.21 грн
500+	170.53 грн
1000+	152.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	268.58 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.25 грн
10+	200.92 грн
100+	143.84 грн
500+	125.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	139.21 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	168.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	141.51 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	112.85 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	168.78 грн
500+	161.66 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	330.57 грн
50+	229.56 грн
100+	168.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1800+	140.24 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	196.64 грн

Мінімальне замовлення: 63

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.64 грн
10+	215.65 грн
100+	132.46 грн
500+	108.64 грн
1800+	104.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.20 грн
10+	185.26 грн
100+	130.53 грн
500+	110.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	354.78 грн
100+	287.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	493.35 грн
10+	354.78 грн
100+	287.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	122.41 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	614.99 грн
10+	402.30 грн
100+	295.22 грн
500+	238.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	557.36 грн
10+	427.88 грн
25+	335.61 грн
100+	296.91 грн
250+	279.05 грн
2000+	236.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	265.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	487.91 грн
10+	338.02 грн
100+	220.26 грн
500+	209.85 грн
2000+	174.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	454.80 грн
10+	293.24 грн
100+	240.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	240.29 грн
500+	189.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	153.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	392.34 грн
10+	315.54 грн
25+	287.16 грн
100+	240.29 грн
500+	189.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	382.86 грн
10+	255.87 грн
25+	206.87 грн
100+	158.50 грн
250+	157.01 грн
500+	130.97 грн
1000+	125.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 3850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	408.92 грн
10+	262.46 грн
100+	187.78 грн
500+	146.32 грн
1000+	138.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-23SSR

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-8PPHM11F2

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01G10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01J14-12/3S

Circular MIL Spec Connector

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT01QC12-A6PGB39

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	625.08 грн
10+	483.50 грн
25+	379.51 грн
100+	335.61 грн
250+	317.75 грн
2000+	269.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.99 грн
10+	284.97 грн
25+	242.59 грн
100+	207.61 грн
500+	194.96 грн
1000+	185.29 грн
2000+	142.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.67 грн
10+	251.84 грн
100+	251.46 грн
500+	230.70 грн
1000+	227.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	142.29 грн
10+	140.80 грн
25+	139.29 грн
100+	132.88 грн
250+	121.69 грн
500+	115.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	235.41 грн
500+	198.44 грн
1000+	181.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	153.24 грн
81+	151.63 грн
82+	150.01 грн
100+	143.10 грн
250+	131.05 грн
500+	124.43 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	165.49 грн
77+	159.19 грн
100+	153.79 грн
250+	143.80 грн
500+	129.53 грн
1000+	121.31 грн
2500+	118.63 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	223.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

на замовлення 3122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	385.66 грн
10+	280.48 грн
100+	235.41 грн
500+	198.44 грн
1000+	181.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	272.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	133.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	300.97 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	446.60 грн
25+	410.71 грн
100+	348.81 грн
500+	249.00 грн
2000+	238.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 16982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	372.44 грн
10+	246.46 грн
100+	151.80 грн
500+	133.94 грн
1000+	129.48 грн
2000+	119.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

на замовлення 3244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	560.97 грн
10+	446.60 грн
25+	410.71 грн
100+	348.81 грн
500+	249.00 грн
2000+	238.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A T/R

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.96 грн
10+	319.20 грн
100+	250.77 грн
500+	241.10 грн
2000+	169.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	446.75 грн
10+	317.89 грн
100+	269.15 грн
500+	228.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	41095.27 грн
2+	36426.22 грн
5+	27123.83 грн
10+	15472.86 грн
25+	13946.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F7

GLENAIR

Description: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
usEccn: EAR99
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
euEccn: NLR
Magnetik: Ohne Magnetik
Produktpalette: IPT
LAN-Kategorie: Cat6
productTraceability: No
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20026.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	108.52 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.08 грн
10+	178.00 грн
100+	107.90 грн
500+	88.55 грн
1800+	81.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.87 грн
10+	234.64 грн
100+	167.10 грн
500+	129.77 грн
1000+	121.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.05 грн
10+	376.53 грн
25+	308.82 грн
100+	264.17 грн
250+	250.03 грн
500+	235.15 грн
1000+	201.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 5671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	784.82 грн
10+	633.26 грн
25+	497.83 грн
100+	441.27 грн
250+	420.44 грн
2000+	358.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 29557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.72 грн
10+	219.93 грн
25+	177.10 грн
100+	140.64 грн
250+	139.90 грн
500+	115.34 грн
1000+	112.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 5612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.81 грн
10+	207.51 грн
100+	146.46 грн
500+	112.97 грн
1000+	105.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	158.61 грн
500+	127.90 грн
1000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	150.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	113.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.16 грн
10+	212.03 грн
100+	158.61 грн
500+	127.90 грн
1000+	115.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT026N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.97 грн
10+	287.53 грн
100+	203.15 грн
500+	180.08 грн
1000+	175.62 грн
2000+	148.83 грн
4000+	145.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	392.41 грн
10+	257.58 грн
25+	223.24 грн
100+	159.99 грн
500+	132.46 грн
1000+	130.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

IPT029N08N5 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	213.94 грн
500+	142.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	350.60 грн
10+	282.15 грн
25+	256.27 грн
100+	213.94 грн
500+	142.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10SF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A14-19SCMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A8-4PF7

Circular MIL Spec Connector REAR BOX MNT FLNG REC PIN BLACK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PCGA76

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PGU01

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41PX

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL10-6S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL12-10SW

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YS14-19SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	266.65 грн
500+	176.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 4926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	450.78 грн
10+	291.53 грн
100+	211.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.88 грн
10+	350.01 грн
25+	299.14 грн
100+	220.26 грн
1000+	215.06 грн
2000+	186.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	432.41 грн
10+	349.77 грн
25+	318.88 грн
100+	266.65 грн
500+	176.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	179.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.61 грн
10+	270.42 грн
100+	190.50 грн
500+	168.92 грн
1000+	145.11 грн
2000+	139.90 грн
4000+	136.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	606.94 грн
10+	397.65 грн
100+	292.09 грн
500+	243.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	570.38 грн
10+	438.15 грн
25+	343.79 грн
100+	303.61 грн
250+	285.75 грн
2000+	242.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

SP005537494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT03YQC12-A6PF7N405

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

SP001326444

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	356.45 грн
50+	313.04 грн
100+	268.80 грн
500+	237.19 грн
1000+	217.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.52 грн
10+	252.46 грн
100+	201.03 грн
500+	156.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.26 грн
10+	323.48 грн
100+	221.01 грн
500+	189.01 грн
1000+	168.92 грн
2000+	152.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	237.19 грн
1000+	217.52 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

SP005537524

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	153.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT047N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.02 грн
10+	209.66 грн
25+	166.69 грн
100+	150.32 грн
250+	142.87 грн
500+	137.67 грн
1000+	134.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	221.21 грн
500+	171.31 грн
1000+	148.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	440.76 грн
10+	306.36 грн
100+	221.21 грн
500+	171.31 грн
1000+	148.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	375.91 грн
10+	251.84 грн
100+	182.33 грн
500+	152.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.10 грн
10+	306.36 грн
100+	192.73 грн
500+	176.36 грн
1000+	160.73 грн
2000+	157.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 8213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.71 грн
10+	372.26 грн
25+	305.10 грн
100+	287.98 грн
2000+	276.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	688.47 грн
25+	656.68 грн
50+	630.26 грн
100+	586.33 грн
250+	526.05 грн
500+	491.17 грн
1000+	479.25 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	407.51 грн
38+	324.55 грн
50+	316.41 грн
500+	303.54 грн
1000+	252.01 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	330.57 грн
500+	300.76 грн
1000+	271.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	270.46 грн
500+	259.27 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	275.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 41330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	270.46 грн
500+	259.27 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

на замовлення 5982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	460.79 грн
50+	352.27 грн
100+	330.57 грн
500+	300.76 грн
1000+	271.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	270.46 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	398.45 грн
10+	280.68 грн
100+	240.43 грн
500+	202.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	682.37 грн
10+	470.67 грн
25+	386.21 грн
100+	303.61 грн
500+	299.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0618RJ45-3PHMF7

GLENAIR

IPT0618RJ453PH-0 RJ connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	182.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.55 грн
10+	223.71 грн
100+	160.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	186.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

SP005537534

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	194.50 грн
500+	161.23 грн
1000+	145.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.03 грн
10+	250.74 грн
100+	166.69 грн
250+	165.94 грн
500+	150.32 грн
1000+	133.94 грн
2000+	125.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	273.44 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

на замовлення 3897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	408.20 грн
10+	272.14 грн
100+	194.50 грн
500+	161.23 грн
1000+	145.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	654.59 грн
10+	439.86 грн
100+	324.44 грн
250+	323.70 грн
500+	319.24 грн
4000+	258.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	524.03 грн
10+	372.61 грн
100+	305.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14PN0

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14SPHMN4F2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSRGA13

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-12/3SCB0PG11F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0GF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PCB0PHM11F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PN0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SB0N0F7GA43

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SPG13.5F2N485

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16PPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16SPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-33PCPHM7F2

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SPHM7F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4PN0

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SCN0F7

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SPHM7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10SSR-F7

Circular MIL Spec Connector Straight Plug 10P Size 12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-A6PSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E14-5SSRF8

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E16-8PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector ST PLUG CBL CLAMP W/ BUSHING BLK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4PCB0SRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4SN0F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-10SF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-14SC

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 5015 REVERSE BAYONET CONN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-12/3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	49905.36 грн
2+	44235.87 грн
5+	32939.27 грн
10+	18790.97 грн
30+	16936.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-18PF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-23SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-26SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y12-10S

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07YF14-19SF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT08EM14-18SC