Продукція > IPT

IPT-4526-32-25 Fixing tapes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	707.34 грн
3+	540.44 грн
6+	510.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT 4526

IPT-4526-19-15 Fixing tapes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	267.64 грн
5+	229.41 грн
6+	204.14 грн
16+	193.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT 90

IPT-90-19-33 Shielding and grounding tapes

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3207.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT DOZOWNIK DO PRIMERA, SZER. 10MM

IPT-10MM-18ML Chemicals others

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	806.11 грн
2+	672.59 грн
5+	636.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT DOZOWNIK DO PRIMERA, SZER. 15MM

IPT-15MM-30ML Chemicals others

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	824.17 грн
2+	687.39 грн
5+	649.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT DOZOWNIK DO PRIMERA, SZER. 30MM

IPT-30MM-30ML Chemicals others

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	841.16 грн
2+	702.18 грн
5+	663.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT DOZOWNIK DO PRIMERA, SZER. 8MM

IPT-8MM-10ML Chemicals others

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	806.11 грн
2+	672.59 грн
5+	636.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 12mm; L: 5.5m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 12mm
Length: 5.5m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 19mm; L: 33m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 19mm
Length: 33m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 6mm; L: 6m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 6mm
Length: 6m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 19mm; L: 5.5m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 19mm
Length: 5.5m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 12mm; L: 33m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 12mm
Length: 33m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 9mm; L: 9m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 9mm
Length: 9m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	840.80 грн
3+	738.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1008.97 грн
3+	919.68 грн
5+	833.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 25mm; L: 5.5m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 25mm
Length: 5.5m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 15mm; L: 5.5m; Thk: 0.4mm; grey; max.120°C; 19N/cm
Type of tape: fixing
Width: 15mm
Length: 5.5m
Thickness: 0.4mm
Colour: grey
Operating temperature: max. 120°C
Tape material: acrylic foam
Resistance to: abrasion; solvent; UV rays; water
Adhesion to steel: 19N/cm
Manufacturer series: IPT G304EX
Agent application: aluminium plated surfaces; glass; high surface energy materials; polycarbonates; steel surfaces
Tape application: bonding; fixing
Tape features: double-sided adhesive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G304EX

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT G310TR

IPT-G310TR-6-5.5 Fixing tapes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	277.20 грн
5+	237.60 грн
6+	212.03 грн
16+	200.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT G311EX

IPT-G311EX-6-5.5 Fixing tapes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	286.76 грн
5+	245.79 грн
6+	218.94 грн
15+	207.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT G316EX

IPT-G316EX-6-5.5 Fixing tapes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	315.43 грн
5+	240.63 грн
14+	227.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT G316EX

IPT-G316EX-9-33 Fixing tapes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1272.21 грн
3+	1202.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT G320EX

IPT-G320EX-6-5.5 Fixing tapes

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	267.64 грн
5+	229.41 грн
6+	204.14 грн
16+	193.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT G411HTR

IPT-G411HTR-6-5.5 Fixing tapes

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	267.64 грн
5+	229.41 грн
6+	204.14 грн
16+	193.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT G416HTR

IPT-G416HTR-25-5.5 Fixing tapes

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1327.59 грн
2+	1015.79 грн
4+	960.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT N205

Category: Fixing tapes
Description: Tape: fixing; W: 25mm; L: 50m; Thk: 0.205mm; acrylic; transparent
Thickness: 0.205mm
Tape features: double-sided adhesive
Tape application: bonding; fixing
Width: 25mm
Kind of adhesive: acrylic
Adhesion to steel: 20N/cm
Length: 50m
Resistance to: moisture; water
Manufacturer series: N205
Type of tape: fixing
Tape material: PET
Colour: transparent
Operating temperature: -40...90°C
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT N205

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT N205

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2005S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 0.5mm; 2W/mK; grey; 5kV
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 0.5mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 2W/mK
Shore hardness: 40
Dielectric strength: 5kV
Colour: grey
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	159.31 грн
3+	107.53 грн
5+	94.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2005S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2005S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	159.31 грн
3+	107.53 грн
5+	94.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2010S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 1mm; 2W/mK; grey; 10kV; 1s.
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 1mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 2W/mK
Shore hardness: 40
Dielectric strength: 10kV
Colour: grey

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2010S

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	113.68 грн
5+	98.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2020S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 2mm; 2W/mK; grey; 20kV; 1s.
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 2mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 2W/mK
Shore hardness: 40
Dielectric strength: 20kV
Colour: grey
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	318.62 грн
3+	132.11 грн
5+	115.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2020S

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2030S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 3mm; 2W/mK; grey; 30kV; 1s.
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 3mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 2W/mK
Shore hardness: 40
Dielectric strength: 30kV
Colour: grey

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2030S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.06 грн
3+	154.64 грн
5+	139.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 2030S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.06 грн
3+	154.64 грн
5+	139.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 3610S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 3mm; 3.6W/mK; blue; 10kV
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 3mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 3.6W/mK
Shore hardness: 50
Dielectric strength: 10kV
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	103.44 грн
5+	95.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 3610S

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 3630S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 3mm; 3.6W/mK; blue; 30kV
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 3mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 3.6W/mK
Shore hardness: 50
Dielectric strength: 30kV
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.06 грн
3+	158.74 грн
5+	145.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 3630S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 3630S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.06 грн
3+	158.74 грн
5+	145.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 6010S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 20mm; L: 120mm; Thk: 1mm; 6W/mK; pink; 8kV; 1s.
Type of tape: heat transfer
Width: 20mm
Length: 0.12m
Thickness: 1mm
Thermal conductivity: 6W/mK
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Operating temperature: -40...200°C
Quantity in set/package: 1s.
Shore hardness: 60
Dielectric strength: 8kV
Colour: pink

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.32 грн
3+	221.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 6010S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 1mm; 6W/mK; pink; 8kV; 1s.
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 1mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 6W/mK
Shore hardness: 60
Dielectric strength: 8kV
Colour: pink

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 6010S

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	311.19 грн
3+	275.49 грн
5+	242.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 6030S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 3mm; 3W/mK; pink; 24kV; 1s.
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 3mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 3W/mK
Shore hardness: 60
Dielectric strength: 24kV
Colour: pink
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	338.80 грн
3+	299.05 грн
5+	264.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 6030S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 6030S

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	338.80 грн
3+	299.05 грн
5+	264.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 9910S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 20mm; L: 120mm; Thk: 1mm; 10W/mK; black; 24kV
Type of tape: heat transfer
Width: 20mm
Length: 0.12m
Thickness: 1mm
Thermal conductivity: 10W/mK
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Operating temperature: -40...200°C
Quantity in set/package: 1s.
Shore hardness: 60
Dielectric strength: 24kV
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1561.24 грн
3+	1415.36 грн
5+	1304.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 9910S

Category: Thermoconductive tapes
Description: Tape: heat transfer; W: 30mm; L: 30mm; Thk: 1mm; 10W/mK; black; 24kV
Quantity in set/package: 1s.
Tape application: facilitates heat transfer; fixing
Type of tape: heat transfer
Operating temperature: -40...200°C
Thickness: 1mm
Length: 30mm
Width: 30mm
Thermal conductivity: 10W/mK
Shore hardness: 60
Dielectric strength: 24kV
Colour: black

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 9910S

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1561.24 грн
3+	1415.36 грн
5+	1304.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT TP 9910S

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1301.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT-C2H-NIOS

Altera

Development Software Nios II C-HW ACCEL C2H Compiler

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT-DSPBUILDER

Intel

Description: DSP BUILDER SOFTWARE
Packaging: Electronic Delivery
For Use With/Related Products: Altera
Type: License
Media Delivery Type: Electronically Delivered
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT-DSPBUILDER

Altera

Development Software DSP Builder MATLAB SIMULINK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	147871.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT-DSPBUILDER

Intel / Altera

Development Software DSP Builder MATLAB SIMULINK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	147788.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0001D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0001G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R-A

Description: SENSOR 5PSID 0.26" 24BIT
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: ±5PSI (±34.47kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube, Dual
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: ±15PSI (±103.42kPa)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 10PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT0020D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03L

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	360.04 грн
10+	236.34 грн
100+	165.91 грн
500+	148.16 грн
1000+	143.38 грн
2000+	121.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	169.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	207.67 грн

Мінімальне замовлення: 63

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 2581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.66 грн
10+	214.50 грн
100+	158.46 грн
500+	142.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 6278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.45 грн
10+	226.91 грн
25+	188.44 грн
100+	144.74 грн
250+	142.70 грн
500+	136.55 грн
1000+	135.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.46 грн
500+	141.27 грн
1000+	121.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	181.93 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	358.76 грн
50+	278.56 грн
100+	263.03 грн
200+	196.26 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	128.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

на замовлення 9898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.28 грн
10+	232.59 грн
100+	170.46 грн
500+	141.27 грн
1000+	121.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050A33R

Description: SENSOR 50PSIA 0.26" 24BIT
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: 50PSI (344.74kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.04%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 4V ~ 12V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: 150PSI (1034.21kPa)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.39 грн
10+	361.96 грн
25+	280.61 грн
100+	245.79 грн
250+	224.63 грн
500+	221.21 грн
2000+	197.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N
Код товару: 193411

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

очікується 12 шт:

12 шт - очікується

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	452.44 грн
50+	320.21 грн
100+	268.44 грн
500+	238.91 грн
1000+	212.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	460.52 грн
40+	330.30 грн
50+	313.05 грн
100+	286.07 грн
500+	263.34 грн
1000+	229.89 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	250.35 грн
4000+	249.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 41560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.78 грн
10+	304.37 грн
100+	226.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	271.66 грн
4000+	270.27 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.49 грн
10+	321.92 грн
25+	270.37 грн
100+	219.85 грн
250+	214.39 грн
500+	197.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm

на замовлення 12683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	360.04 грн
100+	311.45 грн
500+	270.71 грн
1000+	225.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	531.67 грн
36+	363.85 грн
100+	275.34 грн
250+	252.25 грн
500+	235.66 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	192.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	569.65 грн
10+	395.56 грн
25+	389.84 грн
100+	295.01 грн
250+	270.27 грн
500+	252.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	511.39 грн
10+	344.69 грн
100+	228.04 грн
1000+	208.92 грн
2000+	193.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	567.94 грн
10+	391.11 грн
100+	299.50 грн
500+	252.96 грн
1000+	228.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

на замовлення 3337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	488.51 грн
10+	318.64 грн
100+	241.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	391.11 грн
100+	299.50 грн
500+	252.96 грн
1000+	228.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	458.02 грн
10+	317.03 грн
100+	235.78 грн
500+	182.69 грн
1000+	165.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.99 грн
10+	282.92 грн
100+	210.67 грн
500+	183.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.44 грн
10+	309.36 грн
100+	200.05 грн
500+	181.61 грн
2000+	178.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.03 грн
10+	383.16 грн
25+	303.14 грн
100+	278.57 грн
250+	262.18 грн
500+	245.11 грн
1000+	220.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT00E22-41PCSRF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT00M12-8PCB0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00105 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	603.79 грн
10+	422.17 грн
100+	317.03 грн
500+	277.37 грн
1000+	251.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	445.61 грн
16000+	409.16 грн
24000+	382.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 8709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	546.43 грн
10+	376.88 грн
25+	308.61 грн
100+	245.79 грн
250+	242.38 грн
500+	232.14 грн
2000+	217.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	686.47 грн
50+	479.49 грн
100+	434.65 грн
200+	334.30 грн
500+	302.61 грн
1000+	242.46 грн
2000+	228.12 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

на замовлення 10623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	534.60 грн
10+	350.45 грн
100+	272.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	312.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	336.30 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	231.23 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	418.99 грн
25+	383.14 грн
100+	322.49 грн
500+	225.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.59 грн
10+	418.99 грн
25+	383.14 грн
100+	322.49 грн
500+	225.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	485.44 грн
10+	315.09 грн
100+	228.84 грн
500+	183.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	333.76 грн
10+	235.55 грн
25+	204.14 грн
100+	161.81 грн
250+	161.13 грн
500+	152.94 грн
1000+	108.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

на замовлення 40050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	865.36 грн
21+	631.15 грн
50+	559.67 грн
100+	506.82 грн
200+	442.77 грн
500+	395.84 грн
1000+	371.34 грн
2000+	370.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	143.57 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	490.68 грн
50+	327.38 грн
100+	235.78 грн
500+	213.76 грн
1000+	193.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 3061 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	412.47 грн
10+	265.31 грн
100+	190.58 грн
500+	158.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.80 грн
10+	310.93 грн
100+	231.46 грн
500+	225.99 грн
2000+	191.86 грн
4000+	176.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.78 грн
10+	232.03 грн
100+	166.18 грн
500+	150.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	194.64 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	417.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	136.29 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.29 грн
10+	281.88 грн
100+	177.52 грн
500+	148.84 грн
1800+	144.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.02 грн
10+	348.62 грн
100+	232.82 грн
500+	223.94 грн
2000+	197.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	402.26 грн
100+	309.06 грн
500+	275.89 грн
1000+	249.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

на замовлення 1408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	498.50 грн
10+	325.60 грн
100+	248.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	521.74 грн
10+	402.26 грн
100+	309.06 грн
500+	275.89 грн
1000+	249.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.43 грн
10+	270.88 грн
100+	182.30 грн
500+	167.96 грн
1000+	151.57 грн
2000+	142.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	507.40 грн
10+	375.97 грн
100+	304.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	361.63 грн
100+	269.23 грн
500+	229.29 грн
1000+	207.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	519.35 грн
10+	354.90 грн
100+	229.41 грн
500+	219.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	521.74 грн
10+	361.63 грн
100+	269.23 грн
500+	229.29 грн
1000+	207.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 1121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	517.70 грн
10+	338.02 грн
100+	247.24 грн
500+	202.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	695.97 грн
25+	663.84 грн
50+	637.13 грн
100+	592.71 грн
250+	531.79 грн
500+	496.53 грн
1000+	484.47 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 23412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.11 грн
10+	220.34 грн
100+	157.52 грн
500+	141.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	210.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	532.89 грн
50+	389.51 грн
100+	288.35 грн
500+	250.00 грн
1000+	219.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	203.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	189.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 22580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	128.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8

на замовлення 3546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	326.59 грн
10+	234.77 грн
100+	151.57 грн
500+	141.33 грн
1000+	134.50 грн
2000+	120.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	382.98 грн
36+	366.53 грн
50+	352.57 грн
100+	328.44 грн
250+	294.89 грн
500+	275.39 грн
1000+	268.65 грн
2500+	262.73 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

на замовлення 6698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	532.89 грн
50+	389.51 грн
100+	288.35 грн
500+	250.00 грн
1000+	219.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	302.57 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	196.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	213.44 грн
500+	201.59 грн
1000+	190.81 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	240.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	178.95 грн
500+	171.40 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.06 грн
10+	201.79 грн
100+	124.26 грн
500+	115.39 грн
1000+	111.29 грн
1800+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 315A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 315A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.44 грн
10+	207.70 грн
100+	147.05 грн
500+	116.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	208.49 грн

Мінімальне замовлення: 63

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	343.31 грн
50+	227.81 грн
100+	161.70 грн
500+	138.32 грн
1000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	104.87 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	147.60 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.70 грн
500+	138.32 грн
1000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	338.53 грн
100+	274.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

на замовлення 7917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.56 грн
10+	190.17 грн
100+	133.96 грн
500+	103.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	470.76 грн
10+	338.53 грн
100+	274.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 2180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.37 грн
10+	184.52 грн
100+	113.34 грн
500+	103.10 грн
1000+	98.32 грн
1800+	96.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	93.60 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	161.87 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.80 грн
10+	354.90 грн
25+	279.25 грн
100+	246.48 грн
250+	232.14 грн
2000+	196.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.17 грн
10+	265.02 грн
100+	191.44 грн
500+	179.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	154.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

на замовлення 5181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	394.04 грн
10+	254.37 грн
100+	183.45 грн
500+	170.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.66 грн
10+	310.14 грн
100+	202.10 грн
500+	192.54 грн
2000+	160.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 3405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	310.31 грн
10+	197.64 грн
100+	140.43 грн
500+	123.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	374.38 грн
10+	301.10 грн
25+	274.01 грн
100+	229.29 грн
500+	180.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	111.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.28 грн
10+	234.77 грн
25+	189.81 грн
100+	145.43 грн
250+	144.06 грн
500+	120.17 грн
1000+	115.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	229.29 грн
500+	180.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-23SSR

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-8PPHM11F2

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01A18-11PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01E18-11PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01E20-41PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01G10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01J14-12/3S

Circular MIL Spec Connector

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT01QC12-A6PGB39

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	349.69 грн
10+	229.27 грн
100+	161.81 грн
500+	143.38 грн
1000+	139.28 грн
2000+	126.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	920.20 грн
25+	877.72 грн
50+	842.39 грн
100+	783.67 грн
250+	703.11 грн
500+	656.50 грн
1000+	640.56 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	290.30 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	184.00 грн
500+	161.98 грн
1000+	146.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 8646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.05 грн
10+	212.13 грн
100+	151.36 грн
500+	135.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	176.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	194.04 грн
10+	190.99 грн
25+	187.94 грн
100+	178.29 грн
250+	162.36 грн
500+	153.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	349.69 грн
10+	229.27 грн
100+	142.70 грн
500+	135.87 грн
2000+	126.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	117.37 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	181.10 грн
73+	178.26 грн
74+	175.41 грн
100+	166.40 грн
250+	151.54 грн
500+	143.11 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	365.62 грн
10+	257.29 грн
100+	184.00 грн
500+	161.98 грн
1000+	146.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	122.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	165.89 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	125.76 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	421.42 грн
10+	260.26 грн
100+	196.40 грн
500+	175.38 грн
1000+	152.76 грн
2000+	131.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	164.09 грн
500+	133.88 грн
1000+	120.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 273W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 3262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.26 грн
10+	188.83 грн
100+	133.79 грн
500+	116.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	390.74 грн
54+	241.33 грн
100+	182.10 грн
500+	162.61 грн
1000+	141.64 грн
2000+	121.72 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 12430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.84 грн
10+	204.93 грн
100+	126.31 грн
500+	116.75 грн
1000+	111.29 грн
2000+	109.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	345.70 грн
50+	210.29 грн
100+	164.09 грн
500+	133.88 грн
1000+	120.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	105.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	350.13 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.50 грн
10+	253.18 грн
100+	182.31 грн
500+	168.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	152.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	37705.57 грн
2+	33421.65 грн
5+	24886.55 грн
10+	14196.60 грн
25+	12796.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F7

GLENAIR

Description: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
isCanonical: Y
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
usEccn: EAR99
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
euEccn: NLR
Magnetik: Ohne Magnetik
Produktpalette: IPT
LAN-Kategorie: Cat6
productTraceability: No
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18782.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	72.40 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.37 грн
10+	152.32 грн
100+	92.86 грн
500+	80.57 грн
1000+	75.10 грн
1800+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.05 грн
10+	141.50 грн
100+	98.60 грн
500+	80.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.18 грн
10+	287.37 грн
25+	223.26 грн
100+	195.27 грн
250+	178.20 грн
500+	174.10 грн
2000+	147.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	251.71 грн
500+	208.58 грн
1000+	188.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

на замовлення 1836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.75 грн
10+	209.69 грн
100+	149.31 грн
500+	132.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	720.08 грн
10+	589.45 грн
100+	472.36 грн
500+	417.91 грн
1000+	378.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	493.89 грн
10+	322.27 грн
100+	243.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 7664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	652.38 грн
10+	526.07 грн
25+	413.07 грн
100+	366.64 грн
250+	349.57 грн
2000+	297.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	589.45 грн
100+	472.36 грн
500+	417.91 грн
1000+	378.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 29546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.01 грн
10+	167.24 грн
100+	114.02 грн
500+	102.41 грн
1000+	101.73 грн
2000+	90.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.88 грн
10+	190.38 грн
100+	148.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 3021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.66 грн
10+	179.37 грн
100+	126.60 грн
500+	108.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	97.96 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT026N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.33 грн
10+	268.44 грн
100+	218.26 грн
500+	179.74 грн
1000+	161.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT026N12NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	218.26 грн
500+	179.74 грн
1000+	161.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT026N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.88 грн
10+	238.69 грн
100+	168.64 грн
500+	149.52 грн
1000+	145.43 грн
2000+	123.58 грн
4000+	120.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.12 грн
500+	110.21 грн
1000+	101.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	325.79 грн
10+	214.35 грн
25+	185.71 грн
100+	132.46 грн
500+	109.92 грн
1000+	109.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

на замовлення 1603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.98 грн
10+	219.05 грн
100+	156.12 грн
500+	110.21 грн
1000+	101.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A10-6SF28

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10S-80

POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10S/80

POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10SF28

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10SF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-8SF28

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A14-12/3PCB0F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A14-19SCMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A8-4PF7

Circular MIL Spec Connector REAR BOX MNT FLNG REC PIN BLACK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02PP14-15P/S

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	44501.75 грн
2+	39397.60 грн
5+	29724.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PCGA76

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PGU01

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41PX

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y210-7S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL10-6S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL12-10SW

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YS14-19SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	166.48 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	337.74 грн
10+	251.71 грн
100+	183.21 грн
500+	167.90 грн
1000+	152.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.11 грн
10+	290.51 грн
25+	232.82 грн
100+	182.98 грн
250+	182.30 грн
1000+	178.20 грн
2000+	155.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 4968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.98 грн
10+	270.71 грн
100+	196.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.21 грн
500+	167.90 грн
1000+	152.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	204.71 грн
500+	169.38 грн
1000+	133.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.54 грн
10+	224.56 грн
100+	157.72 грн
500+	140.65 грн
1000+	120.17 грн
2000+	116.07 грн
4000+	113.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	222.15 грн
69+	188.61 грн
100+	154.10 грн
250+	141.91 грн
500+	131.87 грн
1000+	117.31 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.20 грн
10+	254.10 грн
100+	204.71 грн
500+	169.38 грн
1000+	133.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.02 грн
10+	203.00 грн
25+	202.08 грн
100+	165.10 грн
250+	152.05 грн
500+	141.29 грн
1000+	125.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V

на замовлення 1508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.89 грн
10+	214.35 грн
100+	152.81 грн
500+	136.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	202.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 4503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.07 грн
10+	275.08 грн
100+	198.02 грн
500+	166.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	378.36 грн
10+	312.25 грн
100+	253.30 грн
500+	208.58 грн
1000+	182.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	150.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	523.33 грн
10+	402.01 грн
25+	315.43 грн
100+	278.57 грн
250+	262.18 грн
2000+	222.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	253.30 грн
500+	208.58 грн
1000+	182.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT03YQC12-A6PF7N405

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	146.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	426.16 грн
50+	304.28 грн
100+	239.76 грн
500+	189.35 грн
1000+	157.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.38 грн
10+	296.80 грн
100+	202.78 грн
500+	173.42 грн
1000+	154.99 грн
2000+	139.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.24 грн
10+	240.91 грн
100+	191.83 грн
500+	149.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	239.76 грн
500+	189.35 грн
1000+	157.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT047N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	261.27 грн
10+	196.75 грн
100+	162.50 грн
500+	138.32 грн
1000+	124.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPT047N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	162.50 грн
500+	138.32 грн
1000+	124.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT047N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.98 грн
10+	174.31 грн
25+	138.60 грн
100+	124.94 грн
250+	118.80 грн
500+	114.70 грн
1000+	111.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.70 грн
10+	240.31 грн
100+	173.98 грн
500+	145.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	211.09 грн
500+	163.46 грн
1000+	141.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.22 грн
10+	281.09 грн
100+	176.83 грн
500+	161.81 грн
1000+	147.48 грн
2000+	144.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	420.58 грн
10+	292.33 грн
100+	211.09 грн
500+	163.46 грн
1000+	141.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	333.76 грн
10+	268.53 грн
100+	189.12 грн
500+	167.96 грн
1000+	159.08 грн
2000+	135.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	828.30 грн
25+	790.05 грн
50+	758.27 грн
100+	705.40 грн
250+	632.89 грн
500+	590.93 грн
1000+	576.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.32 грн
10+	358.46 грн
100+	281.15 грн
500+	251.66 грн
1000+	206.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	238.24 грн
500+	226.38 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.50 грн
10+	252.89 грн
100+	182.10 грн
500+	168.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 41049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	238.24 грн
500+	226.38 грн
1000+	213.44 грн
10000+	193.35 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	181.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	218.26 грн
500+	168.64 грн
1000+	133.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	152.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	238.24 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.99 грн
10+	259.89 грн
100+	178.88 грн
500+	168.64 грн
1000+	144.74 грн
2000+	138.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	389.20 грн
38+	344.54 грн
100+	265.05 грн
500+	241.36 грн
1000+	191.94 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	419.13 грн
38+	346.92 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.18 грн
10+	266.05 грн
100+	211.09 грн
500+	174.56 грн
1000+	138.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.61 грн
10+	212.68 грн
100+	154.53 грн
500+	124.26 грн
1000+	103.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	289.91 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	273.22 грн
10+	208.07 грн
100+	131.77 грн
500+	123.58 грн
1000+	111.29 грн
2000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.07 грн
10+	199.34 грн
100+	142.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	192.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

на замовлення 3832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	154.53 грн
500+	124.26 грн
1000+	103.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	228.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	234.90 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 34000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	365.30 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	469.31 грн
10+	340.17 грн
100+	278.40 грн
500+	257.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	407.92 грн
35+	376.01 грн
50+	307.01 грн
200+	295.22 грн
500+	272.58 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.73 грн
10+	354.90 грн
25+	303.14 грн
100+	262.86 грн
500+	253.99 грн
2000+	215.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-10PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-10PCSRF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14PN0

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14SPHMN4F2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSRGA13

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-12/3SCB0PG11F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0GF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PCB0PHM11F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PN0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SB0N0F7GA43

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SF28

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SPG13.5F2N485

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SSRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SSRF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SWSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-5PPG13.5

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-5SPG13.5

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A16-8SPG13.5

Standard Circular Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16PPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16SPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-41PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A22-21SCB0PG21F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A24-61PCSRF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-33PCPHM7F2

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SPHM7F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4PN0

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SCN0F7

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SPHM7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10PCSRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10PCSRF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10SSR-F7

Circular MIL Spec Connector Straight Plug 10P Size 12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-A6PSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E14-5SSRF8

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E16-8PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E18-11PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E18-11PCSRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E20-41PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E20-41PCSRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector ST PLUG CBL CLAMP W/ BUSHING BLK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4PCB0SRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4SN0F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-10SF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-14SC

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 5015 REVERSE BAYONET CONN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G14-18PCF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-12/3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	45788.98 грн
2+	40587.13 грн
5+	30222.31 грн
10+	17241.02 грн
30+	15539.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-18PF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE12-10-6SPHM11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-23SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-26SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07E12-10PCSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y12-10S

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y210-7S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07YF14-19SF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT08EM12-10-6SCN5

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT08EM14-18SC