Продукція > IPT

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0001G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R-A

Description: SENSOR 5PSID 0.26" 24BIT
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: ±5PSI (±34.47kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube, Dual
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: ±15PSI (±103.42kPa)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 10PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT0020D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03L

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 1597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.27 грн
10+	309.65 грн
25+	239.83 грн
100+	208.93 грн
250+	191.28 грн
500+	180.98 грн
1000+	168.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	293.74 грн
10+	241.92 грн
25+	239.51 грн
100+	222.87 грн
250+	198.87 грн
500+	183.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	146.75 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	316.33 грн
47+	260.53 грн
48+	257.93 грн
100+	240.01 грн
250+	214.17 грн
500+	197.94 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	191.47 грн
500+	160.16 грн
1000+	145.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	333.88 грн
10+	254.66 грн
25+	220.70 грн
100+	169.94 грн
500+	161.11 грн
1000+	158.17 грн
2000+	157.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	181.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	178.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	293.84 грн
46+	269.44 грн
50+	266.39 грн
100+	236.29 грн
200+	217.88 грн
1000+	195.22 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

на замовлення 6172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	391.18 грн
10+	303.70 грн
100+	219.53 грн
500+	161.70 грн
1000+	148.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.96 грн
10+	233.66 грн
100+	175.21 грн
500+	157.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	167.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	241.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT0050A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSIA ABS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N
Код товару: 193411

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	500.39 грн
10+	390.02 грн
25+	302.37 грн
100+	264.85 грн
250+	242.04 грн
500+	238.36 грн
2000+	212.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	212.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	222.06 грн
4000+	220.93 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	501.46 грн
36+	343.17 грн
100+	259.70 грн
250+	237.92 грн
500+	222.27 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.64 грн
10+	346.87 грн
25+	291.33 грн
100+	236.89 грн
250+	231.00 грн
500+	212.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	465.64 грн
10+	323.34 грн
25+	318.66 грн
100+	241.15 грн
250+	220.93 грн
500+	206.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm

на замовлення 12683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	373.03 грн
100+	322.69 грн
500+	280.48 грн
1000+	233.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 11624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	445.65 грн
10+	317.95 грн
100+	250.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	434.36 грн
40+	311.53 грн
50+	295.26 грн
100+	269.82 грн
500+	248.38 грн
1000+	216.83 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

на замовлення 12683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	528.18 грн
10+	373.03 грн
100+	322.69 грн
500+	280.48 грн
1000+	233.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	236.13 грн
4000+	235.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.78 грн
10+	398.48 грн
25+	341.36 грн
100+	253.07 грн
500+	229.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	554.59 грн
10+	401.91 грн
100+	295.45 грн
500+	234.50 грн
1000+	212.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	401.91 грн
100+	295.45 грн
500+	234.50 грн
1000+	212.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

на замовлення 1327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	553.09 грн
10+	361.71 грн
100+	264.37 грн
500+	216.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.64 грн
10+	349.45 грн
100+	259.66 грн
500+	218.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	549.31 грн
10+	375.64 грн
100+	242.78 грн
500+	230.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

SP005560711

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 56000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	393.89 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	552.12 грн
5+	472.89 грн
10+	392.84 грн
50+	321.09 грн
100+	256.07 грн
250+	251.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	734.09 грн
20+	629.37 грн
50+	558.20 грн
100+	505.91 грн
200+	441.20 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	631.71 грн
10+	440.78 грн
25+	377.40 грн
100+	281.77 грн
2000+	261.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	580.15 грн
10+	395.12 грн
100+	290.56 грн
500+	256.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	502.95 грн
10+	326.46 грн
100+	237.10 грн
500+	190.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.19 грн
10+	318.11 грн
100+	207.46 грн
500+	200.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	434.10 грн
25+	396.96 грн
100+	334.12 грн
500+	234.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	529.01 грн
10+	434.10 грн
25+	396.96 грн
100+	334.12 грн
500+	234.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

на замовлення 40050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	816.19 грн
21+	595.29 грн
50+	527.87 грн
100+	478.02 грн
200+	417.62 грн
500+	373.35 грн
1000+	350.24 грн
2000+	349.35 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	544.69 грн
10+	401.91 грн
100+	300.40 грн
500+	245.23 грн
1000+	222.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	235.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	536.38 грн
10+	367.00 грн
100+	283.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

1+	551.88 грн
10+	409.48 грн
25+	348.71 грн
100+	260.43 грн
500+	238.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	240.51 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	339.19 грн
500+	295.81 грн
1000+	244.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.93 грн
10+	327.42 грн
25+	278.09 грн
100+	205.26 грн
500+	179.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.78 грн
10+	325.99 грн
100+	235.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 2763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.48 грн
10+	281.93 грн
100+	203.66 грн
500+	156.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	235.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	394.49 грн
100+	290.50 грн
500+	236.80 грн
1000+	214.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.34 грн
10+	394.49 грн
100+	290.50 грн
500+	236.80 грн
1000+	214.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	518.87 грн
10+	355.89 грн
100+	260.41 грн
500+	214.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

1+	591.37 грн
10+	405.25 грн
100+	263.37 грн
500+	253.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	513.30 грн
10+	333.51 грн
100+	242.54 грн
500+	195.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	489.23 грн
10+	365.49 грн
25+	295.74 грн
100+	231.00 грн
500+	206.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	525.71 грн
10+	389.53 грн
100+	315.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	559.61 грн
10+	382.41 грн
100+	247.19 грн
500+	236.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 1121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	536.38 грн
10+	350.22 грн
100+	256.16 грн
500+	209.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	540.56 грн
10+	374.68 грн
100+	278.95 грн
500+	237.56 грн
1000+	215.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	374.68 грн
100+	278.95 грн
500+	237.56 грн
1000+	215.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	502.13 грн
26+	480.56 грн
50+	462.25 грн
100+	430.62 грн
250+	386.63 грн
500+	361.06 грн
1000+	352.23 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	171.48 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	324.47 грн
40+	312.35 грн
41+	300.31 грн
100+	277.97 грн
250+	246.56 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	510.03 грн
50+	361.47 грн
100+	272.34 грн
500+	240.63 грн
1000+	217.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	236.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8

на замовлення 6002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	433.44 грн
10+	285.11 грн
100+	221.44 грн
250+	219.97 грн
500+	212.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 9713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	219.62 грн
500+	210.47 грн
1000+	199.28 грн

Мінімальне замовлення: 139

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 6434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.44 грн
10+	255.96 грн
100+	210.59 грн
500+	168.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	181.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	298.87 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

на замовлення 11604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	510.03 грн
50+	361.47 грн
100+	272.34 грн
500+	240.63 грн
1000+	217.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	158.99 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	152.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	171.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.29 грн
10+	290.04 грн
25+	278.86 грн
100+	258.12 грн
250+	228.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	168.78 грн
500+	161.66 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	321.04 грн
50+	226.95 грн
100+	173.31 грн
500+	150.20 грн
1000+	113.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.98 грн
10+	208.37 грн
100+	149.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	196.64 грн

Мінімальне замовлення: 63

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

на замовлення 1128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	173.31 грн
500+	150.20 грн
1000+	113.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	139.90 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.05 грн
10+	233.51 грн
100+	143.46 грн
500+	118.44 грн
1800+	115.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	139.21 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	121.02 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.87 грн
10+	213.20 грн
100+	130.95 грн
500+	107.41 грн
1800+	103.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	487.74 грн
10+	350.75 грн
100+	283.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.80 грн
10+	192.89 грн
100+	135.91 грн
500+	115.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	350.75 грн
100+	283.90 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	262.45 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	608.00 грн
10+	397.73 грн
100+	291.87 грн
500+	235.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	551.03 грн
10+	423.02 грн
25+	331.79 грн
100+	293.54 грн
250+	275.88 грн
2000+	233.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	449.63 грн
10+	289.90 грн
100+	237.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 7392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	481.50 грн
10+	318.11 грн
100+	231.00 грн
500+	222.18 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	387.88 грн
10+	311.96 грн
25+	283.90 грн
100+	237.56 грн
500+	187.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	396.53 грн
10+	276.65 грн
25+	217.03 грн
100+	176.56 грн
250+	169.94 грн
500+	147.14 грн
1000+	145.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 3850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.27 грн
10+	259.48 грн
100+	185.64 грн
500+	144.66 грн
1000+	136.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	237.56 грн
500+	187.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	151.51 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-23SSR

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-8PPHM11F2

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01G10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01J14-12/3S

Circular MIL Spec Connector

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT01QC12-A6PGB39

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	617.97 грн
10+	478.01 грн
25+	375.20 грн
100+	331.79 грн
250+	314.14 грн
2000+	266.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	269.50 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	731.20 грн
10+	611.54 грн
25+	498.47 грн
100+	357.11 грн
2000+	316.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.22 грн
10+	302.88 грн
500+	261.17 грн
1000+	259.70 грн
2000+	193.48 грн
4000+	192.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 6518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.78 грн
10+	261.17 грн
100+	260.81 грн
500+	239.28 грн
1000+	236.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	611.54 грн
25+	498.47 грн
100+	357.11 грн
2000+	316.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	158.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	441.53 грн
25+	406.04 грн
100+	344.85 грн
500+	246.17 грн
2000+	236.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A T/R

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

на замовлення 3244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	554.59 грн
10+	441.53 грн
25+	406.04 грн
100+	344.85 грн
500+	246.17 грн
2000+	236.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	335.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 12388 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.36 грн
10+	243.66 грн
100+	207.46 грн
250+	205.26 грн
500+	204.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1553 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	626.56 грн
10+	431.48 грн
100+	281.03 грн
500+	275.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	581.74 грн
10+	413.82 грн
100+	307.17 грн
500+	254.62 грн
1000+	234.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	40628.27 грн
2+	36012.29 грн
5+	26815.60 грн
10+	15297.03 грн
25+	13788.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F7

GLENAIR

Description: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
usEccn: EAR99
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
euEccn: NLR
Magnetik: Ohne Magnetik
Produktpalette: IPT
LAN-Kategorie: Cat6
productTraceability: No
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20476.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	107.29 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.94 грн
10+	175.98 грн
100+	106.67 грн
500+	87.55 грн
1800+	80.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.69 грн
10+	231.97 грн
100+	165.20 грн
500+	128.30 грн
1000+	119.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.89 грн
10+	372.26 грн
25+	305.31 грн
100+	261.17 грн
250+	247.19 грн
500+	232.48 грн
1000+	199.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	775.90 грн
10+	626.07 грн
25+	492.17 грн
100+	436.26 грн
250+	415.66 грн
2000+	354.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	112.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.90 грн
10+	209.62 грн
100+	156.80 грн
500+	126.45 грн
1000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 29742 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.54 грн
10+	214.05 грн
25+	175.09 грн
100+	139.04 грн
500+	133.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 5612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	323.10 грн
10+	205.15 грн
100+	144.79 грн
500+	111.69 грн
1000+	103.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	148.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.80 грн
500+	126.45 грн
1000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	211.51 грн
500+	140.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.95 грн
10+	254.66 грн
25+	220.70 грн
100+	158.17 грн
500+	130.95 грн
1000+	129.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.62 грн
10+	278.95 грн
25+	253.36 грн
100+	211.51 грн
500+	140.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

IPT029N08N5 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10SF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A14-19SCMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A8-4PF7

Circular MIL Spec Connector REAR BOX MNT FLNG REC PIN BLACK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PCGA76

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PGU01

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41PX

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL10-6S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL12-10SW

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YS14-19SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 5626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.48 грн
10+	294.43 грн
100+	212.99 грн
500+	168.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	427.50 грн
10+	345.79 грн
25+	315.26 грн
100+	263.62 грн
500+	174.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.45 грн
10+	334.18 грн
25+	261.17 грн
100+	211.14 грн
250+	208.93 грн
500+	184.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	186.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	263.62 грн
500+	174.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	600.04 грн
10+	393.13 грн
100+	288.77 грн
500+	240.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	563.90 грн
10+	433.17 грн
25+	339.88 грн
100+	300.16 грн
250+	282.50 грн
2000+	239.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

SP005537494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT03YQC12-A6PF7N405

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

SP001326444

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

SP005537524

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	234.50 грн
1000+	215.05 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	168.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.43 грн
10+	453.47 грн
25+	356.81 грн
100+	328.11 грн
250+	308.25 грн
500+	289.12 грн
1000+	260.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	352.40 грн
50+	309.48 грн
100+	265.74 грн
500+	234.50 грн
1000+	215.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.29 грн
10+	271.82 грн
100+	216.83 грн
500+	175.81 грн
1000+	152.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.82 грн
10+	266.15 грн
100+	190.96 грн
500+	149.13 грн
1000+	146.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	485.80 грн
10+	402.71 грн
100+	283.24 грн
500+	251.60 грн
1000+	216.29 грн
2000+	198.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	197.71 грн
1000+	173.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	439.88 грн
10+	302.88 грн
100+	222.83 грн
500+	197.71 грн
1000+	173.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	688.47 грн
25+	656.68 грн
50+	630.26 грн
100+	586.33 грн
250+	526.05 грн
500+	491.17 грн
1000+	479.25 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 8213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.60 грн
10+	368.02 грн
25+	301.63 грн
100+	284.71 грн
2000+	272.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	290.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	455.56 грн
50+	348.27 грн
100+	326.81 грн
500+	297.34 грн
1000+	268.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	270.46 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	463.96 грн
10+	300.63 грн
100+	287.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	674.62 грн
10+	465.32 грн
25+	381.82 грн
100+	300.16 грн
500+	295.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	407.51 грн
38+	324.55 грн
50+	316.41 грн
500+	303.54 грн
1000+	252.01 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	270.46 грн
500+	259.27 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

на замовлення 5982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	326.81 грн
500+	297.34 грн
1000+	268.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	298.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 41330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	270.46 грн
500+	259.27 грн
1000+	245.04 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0618RJ45-3PHMF7

GLENAIR

IPT0618RJ453PH-0 RJ connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	424.00 грн
10+	286.81 грн
25+	248.66 грн
100+	182.45 грн
500+	164.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	273.44 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	415.12 грн
10+	280.60 грн
100+	213.75 грн
500+	158.63 грн
1000+	145.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	388.36 грн
10+	248.91 грн
100+	177.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	182.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

SP005537534

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	186.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

на замовлення 4127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	213.75 грн
500+	158.63 грн
1000+	145.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	325.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	647.15 грн
10+	434.86 грн
100+	320.76 грн
250+	320.02 грн
500+	315.61 грн
4000+	256.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 6282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	553.88 грн
10+	387.92 грн
100+	322.81 грн
500+	288.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14PN0

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14SPHMN4F2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSRGA13

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-12/3SCB0PG11F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0GF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PCB0PHM11F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PN0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SB0N0F7GA43

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SPG13.5F2N485

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16PPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16SPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-33PCPHM7F2

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SPHM7F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4PN0

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SCN0F7

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SPHM7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10SSR-F7

Circular MIL Spec Connector Straight Plug 10P Size 12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-A6PSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E14-5SSRF8

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E16-8PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector ST PLUG CBL CLAMP W/ BUSHING BLK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4PCB0SRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4SN0F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-10SF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-14SC

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 5015 REVERSE BAYONET CONN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-12/3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	49338.26 грн
2+	43733.19 грн
5+	32564.96 грн
10+	18577.44 грн
30+	16744.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-18PF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-23SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-26SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y12-10S

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07YF14-19SF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT08EM14-18SC