Продукція > IPT

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0001G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0002G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005D33R-A

Description: SENSOR 5PSID 0.26" 24BIT
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: ±5PSI (±34.47kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube, Dual
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: ±15PSI (±103.42kPa)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0005G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 10PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0010G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT0020D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0020G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03L

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2067 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.43 грн
10+	263.97 грн
100+	185.93 грн
500+	165.27 грн
1000+	141.55 грн
2000+	133.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	185.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	158.66 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.33 грн
10+	270.38 грн
100+	202.57 грн
500+	172.95 грн
1000+	143.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	138.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	170.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	349.03 грн
10+	254.30 грн
25+	211.18 грн
100+	162.21 грн
250+	159.91 грн
500+	153.03 грн
1000+	151.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	209.33 грн
61+	201.36 грн
100+	194.52 грн
250+	181.88 грн
500+	163.83 грн
1000+	153.43 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

на замовлення 9947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	202.57 грн
500+	172.95 грн
1000+	143.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

на замовлення 2581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.59 грн
10+	231.14 грн
100+	170.75 грн
500+	153.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	329.47 грн
50+	255.98 грн
100+	236.60 грн
200+	192.71 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050A33R

Description: SENSOR 50PSIA 0.26" 24BIT
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: 50PSI (344.74kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.04%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 4V ~ 12V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: 150PSI (1034.21kPa)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT0050G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	520.42 грн
10+	405.64 грн
25+	314.47 грн
100+	275.45 грн
250+	251.73 грн
500+	247.91 грн
2000+	221.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06N
Код товару: 193411

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	497.84 грн
36+	340.69 грн
100+	257.82 грн
250+	236.20 грн
500+	220.66 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1
Код товару: 180783

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	211.08 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	533.40 грн
10+	370.39 грн
25+	365.03 грн
100+	276.24 грн
250+	253.07 грн
500+	236.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	487.53 грн
50+	345.05 грн
100+	289.26 грн
500+	257.44 грн
1000+	228.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 3730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	431.22 грн
40+	309.28 грн
50+	293.13 грн
100+	267.87 грн
500+	246.58 грн
1000+	215.26 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	234.42 грн
4000+	234.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 13453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.98 грн
10+	315.22 грн
100+	248.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.64 грн
10+	360.76 грн
25+	303.00 грн
100+	246.38 грн
250+	240.25 грн
500+	221.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	254.37 грн
4000+	253.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm

на замовлення 12683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	387.97 грн
100+	335.61 грн
500+	291.71 грн
1000+	242.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

на замовлення 1327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.24 грн
10+	376.20 грн
100+	274.96 грн
500+	225.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	405.13 грн
100+	296.12 грн
500+	240.70 грн
1000+	217.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	590.05 грн
10+	394.20 грн
25+	330.54 грн
100+	260.91 грн
1000+	251.73 грн
2000+	216.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	589.68 грн
10+	405.13 грн
100+	296.12 грн
500+	240.70 грн
1000+	217.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	571.31 грн
10+	390.68 грн
100+	252.50 грн
500+	239.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	544.61 грн
10+	363.44 грн
100+	270.06 грн
500+	227.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT009N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	292.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2000+	331.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	314.90 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	612.37 грн
10+	422.36 грн
25+	345.84 грн
100+	275.45 грн
250+	271.63 грн
500+	260.15 грн
2000+	244.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	253.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	417.25 грн
16000+	383.12 грн
24000+	358.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

SP005560711

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	642.79 грн
50+	448.98 грн
100+	406.99 грн
200+	313.03 грн
500+	283.35 грн
1000+	227.03 грн
2000+	213.61 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00105 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	650.62 грн
10+	454.92 грн
100+	341.62 грн
500+	298.88 грн
1000+	270.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.00 грн
10+	384.32 грн
100+	298.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.09 грн
10+	339.53 грн
100+	246.59 грн
500+	198.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	550.19 грн
10+	451.48 грн
25+	412.86 грн
100+	347.50 грн
500+	243.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.03 грн
10+	263.97 грн
25+	228.78 грн
100+	181.34 грн
250+	180.57 грн
500+	171.39 грн
1000+	121.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N06NATMA1

на замовлення 1814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	451.48 грн
25+	412.86 грн
100+	347.50 грн
500+	243.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

на замовлення 40050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 300A HSOF-8

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	527.57 грн
10+	354.61 грн
100+	264.74 грн
500+	263.97 грн
1000+	235.66 грн
2000+	224.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	352.78 грн
500+	307.65 грн
1000+	254.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	457.71 грн
10+	334.51 грн
100+	281.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	549.33 грн
50+	388.82 грн
100+	320.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	810.29 грн
21+	590.98 грн
50+	524.06 грн
100+	474.57 грн
200+	414.60 грн
500+	370.65 грн
1000+	347.71 грн
2000+	346.82 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	244.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	238.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFET N-Channel 80 V 39A PG-HSOF-8

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	163.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.46 грн
10+	274.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.87 грн
10+	315.89 грн
100+	198.94 грн
500+	166.80 грн
1800+	162.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	182.25 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	532.92 грн
10+	406.52 грн
100+	272.39 грн
500+	254.03 грн
2000+	231.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	426.59 грн
100+	329.60 грн
500+	284.54 грн
1000+	257.50 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	551.91 грн
10+	426.59 грн
100+	329.60 грн
500+	284.54 грн
1000+	257.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	473.43 грн
10+	350.13 грн
100+	266.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT013N08NM5LFATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.76 грн
10+	405.13 грн
100+	327.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	533.85 грн
10+	346.86 грн
100+	252.25 грн
500+	203.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	499.00 грн
10+	365.16 грн
25+	307.59 грн
100+	235.66 грн
250+	234.90 грн
500+	208.12 грн
1000+	207.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	389.68 грн
100+	290.12 грн
500+	247.08 грн
1000+	223.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 1121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	557.86 грн
10+	364.24 грн
100+	266.42 грн
500+	218.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.02 грн
10+	397.72 грн
100+	257.09 грн
500+	245.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	562.21 грн
10+	389.68 грн
100+	290.12 грн
500+	247.08 грн
1000+	223.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT014N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 353A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	592.48 грн
25+	567.02 грн
50+	545.42 грн
100+	508.10 грн
250+	456.19 грн
500+	426.02 грн
1000+	415.61 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	266.64 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 9273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	208.95 грн
500+	197.84 грн
1000+	186.74 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	282.39 грн
100+	222.31 грн
500+	175.35 грн
1000+	156.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 29986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	320.31 грн
10+	233.45 грн
100+	178.09 грн
500+	161.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	382.76 грн
43+	283.44 грн
50+	266.48 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 300A HSOF-8

на замовлення 6352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.85 грн
10+	257.81 грн
25+	205.82 грн
100+	172.92 грн
500+	160.68 грн
1000+	157.62 грн
2000+	142.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	245.48 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	571.65 грн
50+	385.39 грн
100+	333.03 грн
500+	262.22 грн
1000+	234.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	146.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.02 грн
10+	240.53 грн
25+	192.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.24 грн
500+	149.04 грн
1000+	112.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	138.21 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	346.35 грн
10+	226.14 грн
100+	139.26 грн
500+	129.31 грн
1000+	109.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	145.50 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	167.56 грн
500+	160.49 грн

Мінімальне замовлення: 181

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

на замовлення 1608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	369.94 грн
50+	245.48 грн
100+	174.24 грн
500+	149.04 грн
1000+	112.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	321.14 грн
10+	204.20 грн
100+	144.55 грн
500+	125.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	195.22 грн

Мінімальне замовлення: 63

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	364.79 грн
100+	295.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.51 грн
10+	204.14 грн
100+	127.01 грн
500+	115.54 грн
1000+	108.65 грн
1800+	97.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	507.28 грн
10+	364.79 грн
100+	295.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	290.52 грн
10+	184.11 грн
100+	129.69 грн
500+	110.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	125.87 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	632.35 грн
10+	413.66 грн
100+	303.55 грн
500+	244.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	518.64 грн
10+	397.72 грн
25+	312.94 грн
100+	276.22 грн
250+	260.15 грн
2000+	220.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	272.96 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.64 грн
10+	301.51 грн
100+	247.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT017N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	501.68 грн
10+	347.57 грн
100+	226.48 грн
500+	215.77 грн
2000+	179.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	247.08 грн
500+	194.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 3850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.46 грн
10+	269.87 грн
100+	193.08 грн
500+	150.45 грн
1000+	142.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	403.42 грн
10+	324.45 грн
25+	295.27 грн
100+	247.08 грн
500+	194.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.67 грн
10+	263.09 грн
25+	212.71 грн
100+	162.98 грн
250+	161.45 грн
500+	134.67 грн
1000+	129.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	157.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-23SSR

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01A16-8PPHM11F2

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01G10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT01J14-12/3S

Circular MIL Spec Connector

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT01QC12-A6PGB39

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	642.72 грн
10+	497.15 грн
25+	390.22 грн
100+	345.08 грн
250+	326.72 грн
2000+	276.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	140.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.28 грн
500+	174.55 грн
1000+	158.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.00 грн
10+	161.28 грн
25+	159.56 грн
100+	152.21 грн
250+	139.40 грн
500+	132.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	152.13 грн
81+	150.53 грн
82+	148.92 грн
100+	142.06 грн
250+	130.10 грн
500+	123.53 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	164.30 грн
77+	158.04 грн
100+	152.68 грн
250+	142.76 грн
500+	128.59 грн
1000+	120.43 грн
2500+	117.77 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.04 грн
10+	234.88 грн
100+	197.33 грн
500+	169.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

на замовлення 3056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	393.98 грн
10+	277.24 грн
100+	198.28 грн
500+	174.55 грн
1000+	158.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	280.30 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	255.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	392.77 грн
10+	293.01 грн
25+	249.44 грн
100+	213.47 грн
500+	200.47 грн
1000+	190.52 грн
2000+	146.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 46000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	152.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	298.79 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 16032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.25 грн
10+	229.66 грн
25+	181.34 грн
100+	141.55 грн
250+	137.73 грн
500+	124.72 грн
1000+	120.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	175.96 грн
500+	143.46 грн
1000+	128.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	369.94 грн
50+	248.06 грн
100+	175.96 грн
500+	143.46 грн
1000+	128.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A T/R

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	459.36 грн
10+	326.86 грн
100+	276.75 грн
500+	234.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	42255.27 грн
2+	37454.43 грн
5+	27889.46 грн
10+	15909.62 грн
25+	14340.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT0218-RJ45-1F7

GLENAIR

Description: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
usEccn: EAR99
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
euEccn: NLR
Magnetik: Ohne Magnetik
Produktpalette: IPT
LAN-Kategorie: Cat6
productTraceability: No
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20591.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	111.58 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.80 грн
10+	172.46 грн
100+	105.59 грн
500+	91.82 грн
1800+	76.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1800+	100.42 грн

Мінімальне замовлення: 1800

В кошику од. на суму грн.

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.25 грн
10+	241.26 грн
100+	171.81 грн
500+	133.43 грн
1000+	124.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.45 грн
10+	322.05 грн
25+	250.20 грн
100+	218.83 грн
250+	199.70 грн
500+	195.11 грн
2000+	165.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT023N10NM5LF2ATMA1

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	635.17 грн
100+	508.99 грн
500+	450.32 грн
1000+	407.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	731.09 грн
10+	589.54 грн
25+	462.91 грн
100+	410.88 грн
250+	391.75 грн
2000+	333.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	775.93 грн
10+	635.17 грн
100+	508.99 грн
500+	450.32 грн
1000+	407.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT025N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	116.52 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	154.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	163.08 грн
500+	131.51 грн
1000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

на замовлення 5612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.04 грн
10+	213.36 грн
100+	150.59 грн
500+	116.16 грн
1000+	108.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	295.27 грн
10+	218.02 грн
100+	163.08 грн
500+	131.51 грн
1000+	119.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT026N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 29557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.11 грн
10+	198.86 грн
100+	130.84 грн
500+	117.83 грн
1000+	110.18 грн
2000+	101.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT026N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	342.78 грн
10+	267.49 грн
100+	188.99 грн
500+	167.57 грн
1000+	162.98 грн
2000+	138.49 грн
4000+	134.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	365.10 грн
10+	240.22 грн
25+	208.12 грн
100+	148.44 грн
500+	123.19 грн
1000+	122.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

IPT029N08N5 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	219.98 грн
500+	146.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT029N08N5ATMA1

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	360.50 грн
10+	290.12 грн
25+	263.51 грн
100+	219.98 грн
500+	146.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT02A10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A12-10SF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A14-19SCMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02A8-4PF7

Circular MIL Spec Connector REAR BOX MNT FLNG REC PIN BLACK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E10-6PMB

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02E12-3PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02PP14-15P/S

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	49871.50 грн
2+	44151.46 грн
5+	33311.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PCGA76

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02QC12-A6PGU01

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02Y20-41PX

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL10-6S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL12-10SW

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YL14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT02YS14-19SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 4968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	412.18 грн
10+	289.64 грн
100+	209.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	274.18 грн
500+	180.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	178.13 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

на замовлення 1841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	444.62 грн
10+	359.64 грн
25+	327.88 грн
100+	274.18 грн
500+	180.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT030N12N3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.40 грн
10+	340.53 грн
25+	285.40 грн
100+	215.01 грн
1000+	209.65 грн
2000+	182.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 0.0032 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	224.02 грн
500+	191.29 грн
1000+	164.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.64 грн
10+	190.08 грн
25+	175.98 грн
100+	158.77 грн
250+	141.44 грн
500+	135.49 грн
1000+	135.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	326.72 грн
10+	251.66 грн
100+	176.75 грн
500+	157.62 грн
1000+	134.67 грн
2000+	130.07 грн
4000+	127.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	210.60 грн
69+	177.41 грн
74+	164.25 грн
100+	148.18 грн
250+	132.02 грн
500+	126.46 грн
1000+	126.32 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPT034N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 0.0032 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.40 грн
10+	249.78 грн
100+	224.02 грн
500+	191.29 грн
1000+	164.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	586.48 грн
10+	450.52 грн
25+	353.50 грн
100+	312.18 грн
250+	293.81 грн
2000+	249.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.49 грн
10+	280.47 грн
100+	227.11 грн
500+	185.00 грн
1000+	183.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	168.36 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

SP005537494

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT039N15N5XTMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT03YQC12-A6PF7N405

Standard Circular Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

SP001326444

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT043N15N5ATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	388.18 грн
10+	259.59 грн
100+	206.71 грн
500+	160.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	243.89 грн
1000+	223.66 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	157.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	366.51 грн
50+	321.88 грн
100+	276.38 грн
500+	243.89 грн
1000+	223.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

SP005537524

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT044N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	472.22 грн
10+	332.61 грн
100+	227.25 грн
500+	194.35 грн
1000+	173.69 грн
2000+	156.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT047N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.34 грн
10+	195.34 грн
25+	155.32 грн
100+	140.02 грн
250+	133.13 грн
500+	128.54 грн
1000+	124.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.72 грн
10+	315.01 грн
100+	198.17 грн
500+	181.34 грн
1000+	165.27 грн
2000+	162.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	386.53 грн
10+	258.95 грн
100+	187.48 грн
500+	156.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	227.46 грн
500+	176.14 грн
1000+	152.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT054N15N5ATMA1

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	453.20 грн
10+	315.01 грн
100+	227.46 грн
500+	176.14 грн
1000+	152.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	374.03 грн
10+	300.93 грн
100+	211.94 грн
500+	188.23 грн
1000+	178.28 грн
2000+	151.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	775.59 грн
25+	739.78 грн
50+	710.01 грн
100+	660.52 грн
250+	592.62 грн
500+	553.33 грн
1000+	539.89 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	392.45 грн
38+	324.84 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	399.19 грн
10+	335.65 грн
100+	263.25 грн
500+	235.65 грн
1000+	193.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	223.08 грн
500+	211.97 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.21 грн
10+	291.25 грн
100+	200.47 грн
500+	188.99 грн
1000+	162.21 грн
2000+	155.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 41049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	223.08 грн
500+	211.97 грн
1000+	199.86 грн
10000+	181.04 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.70 грн
10+	288.60 грн
100+	247.22 грн
500+	207.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	235.18 грн
500+	181.72 грн
1000+	144.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	169.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	223.08 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	283.12 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	334.75 грн
10+	296.12 грн
100+	235.18 грн
500+	181.72 грн
1000+	144.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	364.43 грн
38+	322.61 грн
100+	248.18 грн
500+	226.00 грн
1000+	179.72 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPT0618RJ45-3PHMF7

GLENAIR

IPT0618RJ453PH-0 RJ connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	419.72 грн
10+	279.82 грн
100+	199.99 грн
500+	165.78 грн
1000+	150.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

SP005537534

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	271.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.11 грн
10+	224.84 грн
100+	158.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

на замовлення 3897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	199.99 грн
500+	165.78 грн
1000+	150.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	180.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	306.18 грн
10+	233.18 грн
100+	147.67 грн
500+	138.49 грн
1000+	124.72 грн
2000+	117.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	213.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 34000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	342.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	278.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.49 грн
10+	397.72 грн
25+	339.72 грн
100+	294.58 грн
500+	284.63 грн
2000+	241.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 137A; Idm: 548A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 548A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	381.96 грн
35+	352.08 грн
50+	287.48 грн
200+	276.43 грн
500+	255.23 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 9137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	531.37 грн
10+	376.51 грн
100+	300.69 грн
500+	277.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14PN0

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-14SPHMN4F2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A12-A6SSRGA13

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-12/3SCB0PG11F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PB0N0GF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PCB0PHM11F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19PN0F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SB0N0F7GA43

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A14-19SPG13.5F2N485

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16PPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A20-16SPG16F7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A22-21SCB0PG21F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-33PCPHM7F2

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-3SPHM7F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4PN0

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SCN0F7

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF2

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SN0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06A8-4SPHM7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E10-6SSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-10SSR-F7

Circular MIL Spec Connector Straight Plug 10P Size 12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E12-A6PSR

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E14-5SSRF8

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E16-8PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-3SSRF7

Circular MIL Spec Connector ST PLUG CBL CLAMP W/ BUSHING BLK ZINC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4PCB0SRF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06E8-4SN0F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G10-6PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-10SF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G12-14SC

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 5015 REVERSE BAYONET CONN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06G14-18PCF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-12/3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	51314.05 грн
2+	45484.53 грн
5+	33869.05 грн
10+	19321.39 грн
30+	17414.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT06J14-18PF11

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-23SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT06SE16-26SB0N0

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y12-10S

Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07Y14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT07YF14-19SF7

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT08EM14-18SC