НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
N3PF06
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N3PT1000MP170DNoMIS PowerDescription: 1700 V 1000 m SiC MOSFET TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 20V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 1000 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.84 грн
25+320.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.