Продукція > NDD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NDD | Neutrik | XLR Connectors DUMMYPLUG DIN - RUBBER | на замовлення 542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15P0PY18K | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-15P0PY18K-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 15P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 15 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15P0PY18S | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 15P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 15 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15PBRT-T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 15POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 15 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15PBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15PBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 15POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 15 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15PBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 15POS R/A SLDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-15S0PY18T | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 15P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 15 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15S0PY18T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 15P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 15 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15SBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-15SBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 15POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 15 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-15SBRTT | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-15SBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 15POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 15 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21P0PY18K-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: NANO MALE 21POS 18" YEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21P0PY18S | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 21P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 21 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21PBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21PBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 21POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 21 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21PBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 21POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 21 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21S0PY18T | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 21P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 21 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-21S0PY18T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: NANO FMALE 21POS 18" YEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21S0PY18T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-21SBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-21SBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 21POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 21 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-21SBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 21POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 21 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-25P0PY18K-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 25P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 25 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-25P0PY18S | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 25P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 25 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-25PBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-25PBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 25POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-25PBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 25POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-25S0PY18T | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 25P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 25 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-25S0PY18T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: NANO FMALE 25POS 18" YEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-25S0PY18T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-25SBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-25SBRTT | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-25SBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 25POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-25SBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 25POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31P0PY18K-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 31P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 31 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-31P0PY18S | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 31P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 31 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31PBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31PBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 31POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 31 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31PBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 31POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 31 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31S0PY18T | ITT Cannon, LLC | Description: NANO FMALE 31POS 18" YEL | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31S0PY18T | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-31S0PY18T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Cables | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31S0PY18T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: NANO FMALE 31POS 18" YEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31SBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31SBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 31POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 31 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-31SBRTT | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-31SBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 31POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 31 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-37P0PY18K-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: NANO MALE 37POS 18" YEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37P0PY18S | ITT Cannon, LLC | Description: NANO MALE 37POS 18" YEL JACKSCRE | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37PBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37PBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 37POS R/A SLDR | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37PBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 37POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 37 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37S0PY18T | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 37P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 37 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-37S0PY18T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: NANO FMALE 37POS 18" YEL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37S0PY18T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Cables | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37SBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-37SBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 37POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 37 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-37SBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 37POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 37 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51P0ET18K-A174 | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51P0PY18K | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51P0PY18K-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 51P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 51 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51P0PY18S | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51P0PY18S | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 51P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 51 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51PBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51PBRTT | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51PBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 51POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 51 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51PBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 51POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 51 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51S0PY18T | ITT Cannon, LLC | Description: NANO FMALE 51POS 18" YEL | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51S0PY18T | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51S0PY18T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: NANO FMALE 51POS 18" YEL Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 51 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51S0PY18T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Cables | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51SBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51SBRTT | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-51SBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 51POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 51 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-51SBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 51POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 51 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9P0PT18K | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9P0PY18K | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9P0PY18K-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 9P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 9 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-9P0PY18S | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9P0PY18S | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 9P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 9 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9PBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-9PBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 9POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 9 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-9PBRTT | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9PBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE PLUG 9POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 9 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9S0PY18T | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9S0PY18T | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 9P 457.2MM Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 9 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9S0PY18T-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CABLE ASSY D-NANO-D 9P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Yellow, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 9 Type: D-Type, Nano-D 1st Connector: Receptacle, Female Sockets 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-9S0PY18T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9SBRT-T-A174 | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-9SBRTT | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 9POS R/A SOLDER Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 9 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD-9SBRTT | ITT Cannon | D-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD-9SBRTT-A174 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN D-TYPE RCPT 9POS R/A SLDR Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 9 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (0-80) Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD01N60-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD01N60-1G - NDD01N60-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD01N60-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 6750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD01N60-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | на замовлення 10766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD01N60-1G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD01N60-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD01N60-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD01N60T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD01N60T4G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N40-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N40T4G | On Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N40T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N40T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V | на замовлення 369185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 25185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 326825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD02N60Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 88500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R | на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 13350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60ZT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | на замовлення 52779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60ZT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD02N60ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,600V,2.2A,DPAK tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 53629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60ZT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 47414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD02N60ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N60ZT4G | On Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD02N60ZT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N40Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 400V 2.4A 3.4OH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N40Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N40Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V | на замовлення 10125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N40Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD03N40Z-1G - NDD03N40Z-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N40ZT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD03N40ZT4G - NDD03N40ZT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N40ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N40ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 2.4A 3.4OHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N40ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N50Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD03N50Z-1G - NDD03N50Z-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N50Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V | на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N50Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N50ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V | на замовлення 20236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N50ZT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD03N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,2.6A,DPAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N50ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N60Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N60Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD03N60Z-1G - NDD03N60Z-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 43072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N60Z-1G | ON Semiconductor | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDD03N60Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V | на замовлення 43072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N60Z-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N60Z-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N60ZG | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDD03N60ZT4G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 2.6A 3.6R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N60ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N60ZT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD03N60ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,600V,2.6A,DPAK tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N80Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 800V 2.9A 4.5OH | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N80Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N80Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD03N80Z-1G - NDD03N80Z-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 141954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N80Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | на замовлення 108204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N80ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N80ZT4G | On Semiconductor | MOSFET, N-CH, 800V, 2.9A, TO-252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N80ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD03N80ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD03N80ZT4G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ohm Single N-Channel DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N50Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD04N50Z-1G - NDD04N50Z-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 28275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD04N50Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V | на замовлення 28275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD04N50Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK | на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N50Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N50ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N50ZT4G | ONN | на замовлення 907 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDD04N50ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V | на замовлення 153061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD04N50ZT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD04N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,3A,DPAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 155796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD04N50ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N50ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET 500V 3A HV MOSFET DPAK | на замовлення 814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N60Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N60Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N60ZT4G | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 600V 4A 1.8R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N60ZT4G | On Semiconductor | N-Ch 600V 4.1A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD04N60ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD05N50Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD05N50Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD05N50Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.7 A, 1.25 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 236925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD05N50Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | на замовлення 665325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD05N50Z-1G9 | onsemi | Description: RF MOSFET 500V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD05N50Z-1G9 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD05N50Z-1G9 - NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD05N50ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD05N50ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET IPAK 500V 5A 1.2OHM | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD05N50ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD36PT6-2AIT | Insignis Technology Corporation | Description: IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD36PT6-2AIT | Insignis Technology Corporation | Description: IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD36PT6-2AIT TR | Insignis Technology Corporation | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 700 ps Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD36PT6-2AIT TR | Insignis Technology Corporation | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 700 ps Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD5060 | на замовлення 13086 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDD506A | FAIRCHIL | TO-263 | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD506AL | на замовлення 525 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDD56PT6-2AIT TR | Insignis Technology Corporation | Description: IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: SSTL_2 Access Time: 700 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD56PT6-2AIT TR | Insignis Technology Corporation | Description: IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: SSTL_2 Access Time: 700 ps Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N360U1-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N360U1-1G | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 600V 114A 360MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N360U1-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N360U1-1G - NDD60N360U1-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 37650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N360U1-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | на замовлення 37650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N360U1-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N360U1-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N360U1-35G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N360U1-35G - NDD60N360U1-35G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 32775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N360U1-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N360U1-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | на замовлення 32775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N360U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MO | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N360U1T4G | On Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 114A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N360U1T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N360U1T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MO | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N360U1T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N360U1T4G - NDD60N360U1T4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 37626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N550U1-1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO | на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N550U1-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N550U1-1G - NDD60N550U1-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N550U1-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V | на замовлення 20475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N550U1-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N550U1-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N550U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N550U1-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V | на замовлення 20625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N550U1-35G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N550U1-35G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N550U1T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N550U1T4G | ONN | на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDD60N745U1-1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 6.8A | на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N745U1-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N745U1-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V | на замовлення 22175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N745U1-35G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N745U1-35G - NDD60N745U1-35G, SHIFT REGISTERS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N745U1-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N745U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET Power MOSFET 600V 6.8A 745 m_ Single | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N745U1T4G | ONN | на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDD60N745U1T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V | на замовлення 10565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N745U1T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N745U1T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N745U1T4G - NDD60N745U1T4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N900U1-1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 5.9A | на замовлення 3675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N900U1-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N900U1-1G - NDD60N900U1-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N900U1-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N900U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 5.9A | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N900U1-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N900U1T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N900U1T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDD60N900U1T4G - NDD60N900U1T4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N900U1T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N900U1T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 600V 5.9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDD60N900U1T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V | на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDD60N900U1T4G | ONN | на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDDL01N60Z-1G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.50H | на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDL01N60Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDL01N60Z-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDDL01N60Z-1G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDDL01N60Z-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V | на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDDL01N60ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDDL01N60ZT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDDL01N60ZT4G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDDL01N60ZT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDL01N60ZT4G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 600V 0.4A 15OHM | на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDP010N25AZ-1H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 10A 250V TP(IPAK | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDP010N25AZ-1H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDP010N25AZT4H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK) | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDP010N25AZT4H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDP010N25AZT4H | ON Semiconductor | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDDP010N25AZT4H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDDP010N25AZT4H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDP010N25AZT4H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDDP010N25AZT4H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |