Продукція > QED
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QED121 | ON Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED121 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED121A4R0 | ON Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED122 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED122 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED122.A3R0 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED122A3R0 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED122A3R0 | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED123 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 70mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123 | onsemi / Fairchild | Infrared Emitters 80mW/sr 1.7V IR LED | на замовлення 11857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 70mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - QED123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 16 °, T-1 3/4 (5mm), 45 mW/Sr, 900 ns, 800 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 45mW/Sr Halbwertswinkel: 16° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 70mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123 | onsemi | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V Viewing Angle: 18° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 50mW/sr @ 100mA Part Status: Active | на замовлення 72899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 70mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 12750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | onsemi | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Wavelength: 890nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max) Viewing Angle: 16° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 50mW/sr @ 100mA | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | Fairchild | на замовлення 38400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 70mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 T/R | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | onsemi / Fairchild | Infrared Emitters infrared Lt Emitting Plastic | на замовлення 46623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | ONSEMI | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 5mm; 890nm; diffused,violet; 200W; 16°; 1.7VDC LED diameter: 5mm LED current: 100mA Operating voltage: 1.7V DC Viewing angle: 16° Radiant power: 200W LED lens: diffused; violet Type of diode: IR transmitter Mounting: THT Wavelength: 890nm Wavelength of peak sensitivity: 890nm | на замовлення 1235 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 70mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 T/R | на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | onsemi | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Wavelength: 890nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max) Viewing Angle: 16° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 50mW/sr @ 100mA | на замовлення 9874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | onsemi | Infrared Emitters infrared Lt Emitting Plastic | на замовлення 47663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED123A4R0 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 70mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED123UL | ON Semiconductor / Fairchild | Infrared Emitters PlInf LiEmDiode UL217 | на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED123UL | Fairchild Semiconductor | Description: LED IR ALGAAS 880NM PEACH 5MM | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED123_Q | onsemi / Fairchild | Infrared Emitters - High Power 80mW/sr 1.7V IR LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED221 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED221 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED222 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED223 | ONSEMI | Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr Halbwertswinkel: 30° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 47457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED223 | onsemi | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA | на замовлення 42239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223 | ON Semiconductor / Fairchild | Infrared Emitters - High Power 25mW/sr 1.7V IR LED | на замовлення 6898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED223 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED223 | onsemi / Fairchild | Infrared Emitters 25mW/sr 1.7V IR LED | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - QED223A4R0 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns isCanonical: N usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr Halbwertswinkel: 15° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | onsemi | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V Viewing Angle: 40° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA Part Status: Active | на замовлення 28370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | onsemi / Fairchild | Infrared Emitters T13-4 ALGAAS LED T&R | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | Fairchild | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 T/R | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - QED223A4R0 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns isCanonical: Y usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr Halbwertswinkel: 15° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | onsemi | Description: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL Part Status: Active Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 40° Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Orientation: Top View Type: Infrared (IR) Mounting Type: Through Hole Wavelength: 880nm Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 27600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED223A4R0 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 890nm 25mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED233 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED233 | Fairchild | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QED233-NL | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED233A4A0 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER INFRARED 940NM 100MA RAD Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max) Viewing Angle: 40° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 10mW/sr | на замовлення 8121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED233A4R0 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED233A4R0_F132 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED234 | onsemi / Fairchild | Infrared Emitters T-1 3/4 0.13MW IR | на замовлення 7608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED234 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 940nm 27mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED234 | onsemi | Description: EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V (Max) Viewing Angle: 40° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 27mW/sr @ 100mA Part Status: Active | на замовлення 614050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED234 | ONSEMI | Description: ONSEMI - QED234 - Infrarot-Emitter, 940 nm, 40 °, T-1 3/4 (5mm), 27 mW/Sr, 1 µs, 1 µs tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) euEccn: NLR Durchlassspannung Vf max.: 1.6V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 1µs isCanonical: Y MSL: - Spitzenwellenlänge: 940nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 27mW/Sr Halbwertswinkel: 40° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 1µs | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED234 | ON Semiconductor | Infrared Emitter 940nm 27mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED234A4R0 | onsemi | Description: EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V (Max) Viewing Angle: 40° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 27mW/sr @ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED422 | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 19540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED422 | Fairchild Semiconductor | Description: INFRARED LED Packaging: Bulk Package / Case: TO-46-2 Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA Part Status: Active | на замовлення 4738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED423 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA TO-46 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED423 | на замовлення 777500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED522 | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED522 | Fairchild Semiconductor | Description: INFRARED LED Packaging: Bulk Package / Case: TO-46-2 Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V Viewing Angle: 20° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA Part Status: Active | на замовлення 9665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| QED523 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED523 | Fairchild Semiconductor | Description: EMITTER IR 880NM 100MA TO-46 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED604RD | Quantum Storage Systems | Description: SUPER TUFF EURO DRAWER, 3-3/4"W Depth: 17-5/8" Part Status: Active Height: 4-5/8" Width: 3-3/4" Material: Plastic Color: Red Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QED633 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QED634 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| QEDB101Q391J1GV002E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 390pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q511G3GV002E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q511J1NT001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/SnPb | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q561J1GU001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 5% Cu/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q561J1GV001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 5% Ni/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q561J3GU001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 5% Cu/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q561K1NT001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 10% Ni/SnPb | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q561K3GV001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 10% Ni/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q561K3NT001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 10% Ni/SnPb | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q621G1GU001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 620pF 2% Cu/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q621G1GV001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 620pF 2% Ni/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q621J1GV002E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 620pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q681J1GV001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 680pF 5% Ni/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB101Q821J1GV002E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 820pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R5B3GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.5PF 1KV NP0 1111 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R5C1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.5PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±0.25pF Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Capacitance: 0.5 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R6C1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.6PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±0.25pF Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Capacitance: 0.6 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R7A1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.7PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±0.05pF Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Capacitance: 0.7 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R7B1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.7PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±0.1pF Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Capacitance: 0.7 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R7C1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.7PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±0.25pF Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Capacitance: 0.7 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R8C1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.8PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±0.25pF Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Capacitance: 0.8 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R9C1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 0.9PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±0.25pF Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Capacitance: 0.9 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q0R9C1GV001E | Johanson Technology | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT HiQ 1111 0.9pF 0.25 1KV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q100F1GV001E | Johanson Technology | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT HiQ 1111 10pF 1% 1KV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q100J1GV001E | Johanson Technology | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT HiQ 1111 10pF 5% 1KV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q100J1GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 10PF 1KV NP0 1111 Tolerance: ±5% Features: High Q, Low Loss, High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 1000V (1kV) Package / Case: 1111 (2828 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.102" (2.59mm) Part Status: Active Capacitance: 10 pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q100J3GV001E | Johanson Technology | Silicon RF Capacitors / Thin Film 1111 Hi-Q NP0/C0G 1000V 10pF 5% Ni/Sn | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q100J3GV001E | Johanson Technology Inc. | Description: CAP CER 10PF 1KV NP0 1111 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QEDB102Q101F1GV001E | Johanson Technology | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT HiQ 1111 100pF 1% 1KV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

