Продукція > RHK
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RHK003N06 | ROHM | SOT-23 | на замовлення 11800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06 | ROHM | 10+ROHS SMT3 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06 | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06/RKS | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHK003N06<T146> | ROHM | SOT23 | на замовлення 1749 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V | на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM | Description: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Mounting: SMD Case: SMT3 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Mounting: SMD Case: SMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM Semiconductor | MOSFETs SMT3 N CHAN 45V | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM | Description: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK003N06FS T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2383 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK003N06T146 | ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 60V 300MA | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK003N06T146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK003N06T146 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RHK003N06T146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK005N03 | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK005N03 | ROHM | SOT23 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK005N03 | ROHM | 10+ROHS SMT3 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK005N03FRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK005N03FRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK005N03FRAT146 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified). MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and compl | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHK005N03T146 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RHK005N03T146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK005N03T146 | ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 30V 500MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK005N03T146 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK1N0038BPZEM5775 | Vishay | Speciality Ceramic Capacitors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK1N0038BPZEN5776 | Vishay | Specialty Ceramic Capacitors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK3845MKDICE | Analog Devices | RH3845MK DICE Current Mode PWM Controller 36VDC Output Development Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHK412BEA76 | APC by Schneider Electric | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RHKM-48.115.9002 | Elesa USA Corporation | Description: RH-KM, FLUSH PULL HANDLES, FLUSH | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RHKM-48.115.9005 | Elesa USA Corporation | Description: RH-KM, FLUSH PULL HANDLES, FLUSH | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|