Продукція > RVQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RVQ040N05
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05FRAROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V Vds 4A 0.053Rds(on) 6.3Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05FRATRROHMDescription: ROHM - RVQ040N05FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 4 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05GZTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±21V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.18 грн
10+58.73 грн
100+38.85 грн
500+28.45 грн
1000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+39.17 грн
330+37.60 грн
500+36.24 грн
1000+33.81 грн
2500+30.37 грн
5000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V 4A Small Signal MOSFET
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.62 грн
10+44.53 грн
100+33.92 грн
500+28.97 грн
1000+26.41 грн
3000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±21V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05HZGTRROHMDescription: ROHM - RVQ040N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 4 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+57.48 грн
443+28.02 грн
484+25.64 грн
486+24.62 грн
597+18.56 грн
1000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 4A; Idm: 16A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±21V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+38.77 грн
334+37.21 грн
500+35.86 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 4A
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.70 грн
10+52.55 грн
100+31.13 грн
500+24.78 грн
1000+22.46 грн
3000+19.44 грн
6000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 21V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRROHMDescription: ROHM - RVQ040N05TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 4 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 5062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+66.48 грн
212+58.73 грн
232+53.66 грн
233+51.55 грн
500+29.54 грн
1000+25.96 грн
3000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
RVQ040N05TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 21V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.78 грн
10+50.83 грн
100+33.36 грн
500+24.28 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.