Продукція > S2N
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S2N1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| S2N1RP | Littelfuse Inc. | Description: SCR NON-SENS 200V 1A DO-214 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S2N7002DW | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| S2N7002ET1G | onsemi | MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 310mA 25 Ohm Single N-Channel SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S2N7002ET1G | onsemi | Description: SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310MA 2. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S2N7002ET1G | onsemi | Description: SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310MA 2. Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S2N7002ET7G | onsemi | Description: DIODE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S2N7002K | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| S2N7002KT | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| S2N7002KW | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| S2NBC100-7062 | SHINDENGEN | S2NBC100-7062 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S2NBC100-7101 | SHINDENGEN | Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; DIP4 Max. forward impulse current: 60A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tube Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: single-phase Case: DIP4 Max. forward voltage: 1.05V Load current: 2A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| S2NBC100-7101 | SHINDENGEN | Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; DIP4 Max. forward impulse current: 60A Max. off-state voltage: 1kV Kind of package: tube Electrical mounting: THT Type of bridge rectifier: single-phase Case: DIP4 Max. forward voltage: 1.05V Load current: 2A | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| S2NF100 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |