Продукція > S6D

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
S6DGeneSiC SemiconductorRectifiers 200V 6A Std. Recovery
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0110A31-BOCXSAMSUNG06+
на замовлення 10074 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0117A01-B0FXSamsung
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D011A0A31-B0CXSamsung
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0128X01-B0C8
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0128X11-B0CXSAMSUNG06+
на замовлення 23373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0133sanxing09+
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0136X02-B0 FKSamsung
на замовлення 35490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0139X11-B0CYSamsung
на замовлення 19340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0139X31-B0C8
на замовлення 23223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0142Samsung
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0144-COGSamsung
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0144X01-B0CXSamsung
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0144X01-BHCY
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0147X05-B0F1Samsung
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0149X01-B4D8
на замовлення 31822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0154Samsung
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0154X011-BOC8
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0158A01sanxing09+
на замовлення 13338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0158A01-BOF8
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0158A02sanxing09+
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0164Samsung
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D02065ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 2A; TO220AC; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
Max. load current: 12.5A
Power dissipation: 60W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.69 грн
10+44.96 грн
50+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D04H0A0A-B0C1Samsung
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D04K1X02-BAF5Samsung
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D04K1X04-BXG5Samsung
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D05AOX01-B2D8-7P8B7C
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D06065ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 52A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
Max. load current: 25A
Power dissipation: 88W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.66 грн
10+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D06065FSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 3uA
Mounting: THT
Case: ITO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 6A
Max. load current: 25A
Power dissipation: 88W
Max. forward impulse current: 52A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D06065GTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 25A
Leakage current: 3µA
Max. forward impulse current: 52A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 88W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+71.46 грн
25+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D06065ISMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 559pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-Isolation
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 650 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.86 грн
100+58.21 грн
500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D06065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 6A, DFN88, SIC SCHOTTKY DI
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D06065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 6A, DFN88, SIC SCHOTTKY DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D0628X01-BOC8SAMSANG
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 40uA
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220AC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065D1SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-3,TO247AD
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-3; TO247AD
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.84 грн
10+171.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065ETRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: DPAK
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065FSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; ITO220AC; Ir: 40uA
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: ITO220AC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.77 грн
10+131.29 грн
50+106.36 грн
100+96.39 грн
250+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065GTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: D2PAK
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065ISMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 40uA
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ISO
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.05 грн
10+167.86 грн
50+136.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065ISMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 769pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-Isolation
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 10A, DFN88, SIC SCHOTTKY D
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065LSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: DFN8x8
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D10065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 10A, DFN88, SIC SCHOTTKY D
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D16065ASMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE DIODE 650V, 16A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1560pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D20065ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 61A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D20065ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; 59W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 72A
Power dissipation: 59W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D20065GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 61A TO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D20065GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 61A TO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6D20065PSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6D2115X21-B0CY-60
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D2121x01-BHC8
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6D2213X01-BHCKSamsung
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6DB53
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6DF30
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6DNF30LOO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6DNF30V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S6DRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6DRGeneSiC SemiconductorRectifiers 200V 6A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.