Продукція > WMZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|
| WMZ12A-105S | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| WMZ12A-105SL18RM150 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| WMZ26N60C4 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: DFN8x8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.205Ω Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| WMZ26N65C4 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: DFN8x8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| WMZ36N65C4 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: DFN8x8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| WMZ53N60F2 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 280W Case: DFN8x8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |