Продукція > XP7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XP700 | Apex Tool Group | Description: SCREWDRIVER SET W/CASE 7PC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| XP70AN1K0I | YAGEO | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| XP70SL1K4AH | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252 | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| XP70SL1K4AH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP70SL1K4A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| XP70SL1K4AH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| XP70SL1K4AH | XSemi | MOSFET N-CH 700V 3.2 A TO-252 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| XP70SL1K4AH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| XP70SL1K4AH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP70SL1K4AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP70SL1K4A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| XP70T03GJ | YAGEO XSemi | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| XP725AO | на замовлення 81 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| XP770BO | на замовлення 290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |