Продукція > PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS > Всі товари виробника PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS (97336) > Сторінка 500 з 1623
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
MALS06800L | Panasonic Electronic Components |
Description: TVS DIODE 4VWM SSMINI2-F1Power Line Protection: No Voltage - Breakdown (Min): 6.4V Supplier Device Package: SSMini2-F1 Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4V Capacitance @ Frequency: 50pF @ 1MHz Applications: General Purpose Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-79, SOD-523 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MALT062H0L | Panasonic Electronic Components |
Description: TVS DIODE 4VWM SSMINI3-F2Part Status: Obsolete Power Line Protection: No Voltage - Breakdown (Min): 5.8V Unidirectional Channels: 2 Supplier Device Package: SSMini3-F2 Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4V Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz Applications: General Purpose Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
MTM231100L | Panasonic Electronic Components |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
MTM231230L | Panasonic Electronic Components |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMini3-G1 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
MTM232230L | Panasonic Electronic Components |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SMINI3-G1Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMini3-G1 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
NP0450100A | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A SSSMINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NP062AN00A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NP063D300A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
NP0A54700A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS 2NPN 7V 0.01A SSSMINI6Supplier Device Package: SSSMini6-F1 Frequency - Transition: 4GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V / 80 @ 1mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 7V Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Power - Max: 50mW Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
NP0G3A000A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
NP0G3D300A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR32A700L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR411100A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 80 MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR411400A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 80 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-B1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR41160RA | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 80 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR411800A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Resistor - Emitter Base (R2): 5.1 kOhms Resistor - Base (R1): 510 Ohms Frequency - Transition: 80 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR411900A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 80 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR411E00A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 80 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR411H00A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 80 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR412100A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SSIP Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-A1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR412200A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-A1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SSIP Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR412300A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NS-A1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SSIP Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR42100RA | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 150 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421100A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421200A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421400A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 150 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: NS-B1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UNR42160RA | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR42170RA | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421900A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421D00A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421F00A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421K00A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR421L00A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR422100A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR422200A | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR511T00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR515400L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 30V SMINI3Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 80 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMini3-G1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330µA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR521T00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR521W00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR522600L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V SMINI3Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: SMini3-G1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR911DJ0L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR921CJ0L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UNR921KJ0L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UP0121400L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UP0121M00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5Supplier Device Package: SSMini5-F2 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 125mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-665 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UP0411200L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UP0431N00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UP0453400L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS 2NPN 20V 0.015A SSMINI6Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SSMINI6-F1 Frequency - Transition: 650MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 15mA Power - Max: 125mW Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UP0459800L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6-F1 Supplier Device Package: SSMINI6-F1 Frequency - Transition: 650MHz, 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V / 160 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V Current - Collector (Ic) (Max): 15mA, 100mA Power - Max: 125mW Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UP0459900L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SSMINI6-F1 Frequency - Transition: 1.6GHz, 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V / 160 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, 100mA Power - Max: 125mW Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
UP0487C00L | Panasonic Electronic Components |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
UP05C8B00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS ARRAY NPN/CCD SSMINI-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
XN0111M00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
XN0121E00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
XN0121F00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
XN0160200L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
XN0187200L | Panasonic Electronic Components |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Mini5-G1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74A, SOT-753 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
XN0413000L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
XN0421F00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
XN0421L00L | Panasonic Electronic Components |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MALS06800L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TVS DIODE 4VWM SSMINI2-F1
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Supplier Device Package: SSMini2-F1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4V
Capacitance @ Frequency: 50pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TVS DIODE 4VWM SSMINI2-F1
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Supplier Device Package: SSMini2-F1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4V
Capacitance @ Frequency: 50pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MALT062H0L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TVS DIODE 4VWM SSMINI3-F2
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SSMini3-F2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TVS DIODE 4VWM SSMINI3-F2
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SSMini3-F2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MTM231100L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MTM231230L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMini3-G1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMini3-G1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MTM232230L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SMINI3-G1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMini3-G1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SMINI3-G1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMini3-G1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NP0450100A |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A SSSMINI
Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A SSSMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NP062AN00A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NP063D300A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NP0A54700A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN 7V 0.01A SSSMINI6
Supplier Device Package: SSSMini6-F1
Frequency - Transition: 4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V / 80 @ 1mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 7V
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Power - Max: 50mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2NPN 7V 0.01A SSSMINI6
Supplier Device Package: SSSMini6-F1
Frequency - Transition: 4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V / 80 @ 1mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 7V
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Power - Max: 50mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NP0G3A000A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NP0G3D300A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UNR32A700L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UNR411100A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR411400A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR41160RA |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR411800A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 5.1 kOhms
Resistor - Base (R1): 510 Ohms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 5.1 kOhms
Resistor - Base (R1): 510 Ohms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR411900A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR411E00A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR411H00A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR412100A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SSIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-A1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SSIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-A1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR412200A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-A1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SSIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-A1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SSIP
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR412300A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-A1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SSIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NS-A1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SSIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR42100RA |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR421100A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR421200A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UNR421400A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UNR42160RA |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR42170RA |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR421900A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR421D00A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR421F00A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR421K00A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UNR421L00A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR422100A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR422200A |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR511T00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR515400L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 30V SMINI3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SMini3-G1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330µA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 30V SMINI3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 80 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SMini3-G1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330µA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR521T00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UNR521W00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UNR522600L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V SMINI3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SMini3-G1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V SMINI3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SMini3-G1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR911DJ0L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
Description: TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UNR921CJ0L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
Description: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UNR921KJ0L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
Description: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UP0121400L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UP0121M00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
Supplier Device Package: SSMini5-F2
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 125mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-665
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
Supplier Device Package: SSMini5-F2
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 125mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-665
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UP0411200L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UP0431N00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UP0453400L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN 20V 0.015A SSMINI6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSMINI6-F1
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Power - Max: 125mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2NPN 20V 0.015A SSMINI6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSMINI6-F1
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Power - Max: 125mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UP0459800L |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6-F1
Supplier Device Package: SSMINI6-F1
Frequency - Transition: 650MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V / 160 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA, 100mA
Power - Max: 125mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6-F1
Supplier Device Package: SSMINI6-F1
Frequency - Transition: 650MHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V / 160 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA, 100mA
Power - Max: 125mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UP0459900L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSMINI6-F1
Frequency - Transition: 1.6GHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V / 160 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, 100mA
Power - Max: 125mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSMINI6-F1
Frequency - Transition: 1.6GHz, 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V / 160 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, 100mA
Power - Max: 125mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UP0487C00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| UP05C8B00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS ARRAY NPN/CCD SSMINI-6
Description: TRANS ARRAY NPN/CCD SSMINI-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XN0111M00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| XN0121E00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| XN0121F00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| XN0160200L |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI5
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| XN0187200L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Mini5-G1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Mini5-G1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XN0413000L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| XN0421F00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XN0421L00L |
![]() |
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


















