Продукція > NXP > Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP
Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP

Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP


Виробник: NXP
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP NXP

ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ.