Транзистор біполярний BCR505E6327 Infineon
Виробник: Infineon
Транзистор NPN SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW Транзистори біполярні
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Транзистор біполярний BCR505E6327 Infineon Infineon
Транзистор NPN SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW
Транзистори біполярні.


