Продукція > INFINEON > Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon
Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon

Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon


Виробник: Infineon
PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW   BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 3-4 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon Infineon

PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW   BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні.