Продукція > CREE > Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree

Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree


Виробник: Cree
RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree Cree

RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.